作者:Alan J. Smith、William Adcock、William Kitching
DOI:10.1021/ja00724a007
日期:1970.10
Possible effects of substituents of the MR type (M = a group IVB metalloid, R = CH or CH) attached to an aryl system are evaluated and tested by examination of F substituent chemical shifts (SCS) of appropriate m- and p-fluorophenyl and 4,4′-fluorobiphenyl systems. (The extent to which a substituent electronically perturbs the C–F neighborhood is indicated by the substituent chemical shift (SCS), which
通过检查适当的间氟苯基和对氟苯基的 F 取代基化学位移 (SCS) 来评估和测试连接到芳基系统的 MR 型取代基(M = IVB 族准金属,R = CH 或 CH)的可能影响。 4,4'-氟联苯系统。(取代基对 C-F 邻域的电子干扰程度由取代基化学位移 (SCS) 表示,其定义为未取代的氟代芳烃和取代的氟代芳烃化学位移之间的差异。)(CH)Si取代基参与对氟苯基三甲基硅烷和 4-氟-4'-三甲基甲硅烷基联苯的共轭电子撤回,而 (CH)Ge 基团在 4-氟-4'-三甲基锗基联苯中产生净电子撤回。全面的,证据表明所有 M(CH) 取代基都参与了 dπ-pπ 电子撤回,但这可能被屏蔽机制掩盖了。M(CH) 中的 CH 被苯基和乙烯基等电负性基团取代会导致更负的 SCS 值,因为准金属中心的有效电负性增加。还与五氟苯基系统的结果进行了比较。CHMR 类型的取代基(如上的 M 和 R)在对氟时产生大的正