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1,4-bis(4'-tert-butylthiophenyl)-2,3,5,6-tetramethylbenzene | 1123888-19-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,4-bis(4'-tert-butylthiophenyl)-2,3,5,6-tetramethylbenzene
英文别名
1,4-bis(4'-t-butylphenylthio)-2,3,5,6-tetramethylbenzene;1,4-Bis[(4-tert-butylphenyl)sulfanyl]-2,3,5,6-tetramethylbenzene
1,4-bis(4'-tert-butylthiophenyl)-2,3,5,6-tetramethylbenzene化学式
CAS
1123888-19-6
化学式
C30H38S2
mdl
——
分子量
462.764
InChiKey
ZWUHOJJDGZDDDX-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    10.9
  • 重原子数:
    32
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.4
  • 拓扑面积:
    50.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,4-bis(4'-tert-butylthiophenyl)-2,3,5,6-tetramethylbenzeneN-溴代丁二酰亚胺(NBS)偶氮二异丁腈 作用下, 以 氯仿 为溶剂, 反应 3.0h, 以90%的产率得到1,2,4,5-tetrakis(bromomethyl)-3,6-bis(4'-tert-butylthiophenyl)benzene
    参考文献:
    名称:
    利用取代基效应合成抗光氧化的七苯衍生物
    摘要:
    已利用取代基效应产生异常持久的七苯衍生物。总共合成了四种具有不同抗光氧化性 (1 < 2 < 3 < 4) 的新型七苯衍生物。7 位和 16 位的对(叔丁基)噻吩取代基(即连接到反应性最强的环上的芳硫基取代基)和 5、9、14 和 18 位的邻二甲基苯基取代基(即对相邻环)使七苯衍生物 4 特别耐光氧化。它以固体形式存在数周,如果避光可在溶液中持续 1-2 天,如果直接暴露在光和空气中,则可在溶液中持续数小时。七苯衍生物 4 已被充分表征。它具有 1.37 eV 的小 HOMO-LUMO 间隙。
    DOI:
    10.1021/ja808881x
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    SOLUBLE, PERSISTENT NONACENE DERIVATIVES
    摘要:
    本发明涉及一种新类半导体非十环衍生物。这些化合物都是可溶性物种,并且与缺乏本文所披露的取代模式的对应物相比,它们都具有更优越的抗氧化性能。
    公开号:
    US20110130593A1
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文献信息

  • Exploiting Substituent Effects for the Synthesis of a Photooxidatively Resistant Heptacene Derivative
    作者:Irvinder Kaur、Nathan N. Stein、Ryan P. Kopreski、Glen P. Miller
    DOI:10.1021/ja808881x
    日期:2009.3.18
    14, and 18 (i.e., steric resistance on neighboring rings) make heptacene derivative 4 especially resistant to photooxidation. It persists for weeks as a solid, for 1-2 days in solution if shielded from light, and for several hours in solution when directly exposed to both light and air. Heptacene derivative 4 has been fully characterized. It possesses a small HOMO-LUMO gap of 1.37 eV.
    已利用取代基效应产生异常持久的七苯衍生物。总共合成了四种具有不同抗光氧化性 (1 < 2 < 3 < 4) 的新型七苯衍生物。7 位和 16 位的对(叔丁基)噻吩取代基(即连接到反应性最强的环上的芳硫基取代基)和 5、9、14 和 18 位的邻二甲基苯基取代基(即对相邻环)使七苯衍生物 4 特别耐光氧化。它以固体形式存在数周,如果避光可在溶液中持续 1-2 天,如果直接暴露在光和空气中,则可在溶液中持续数小时。七苯衍生物 4 已被充分表征。它具有 1.37 eV 的小 HOMO-LUMO 间隙。
  • US8822731B2
    申请人:——
    公开号:US8822731B2
    公开(公告)日:2014-09-02
  • Kaur, Irvinder; Jazdzyk, Mikael; Stein, Nathan N., Journal of the American Chemical Society, 2010, vol. 132, p. 1261 - 1263
    作者:Kaur, Irvinder、Jazdzyk, Mikael、Stein, Nathan N.、Prusevich, Polina、Miller, Glen P.
    DOI:——
    日期:——
  • SOLUBLE, PERSISTENT NONACENE DERIVATIVES
    申请人:Miller Glen P.
    公开号:US20110130593A1
    公开(公告)日:2011-06-02
    The present invention is directed towards a new class of semi-conducting nonacene derivatives. These compounds are all soluble species and they all possess superior resistance to oxidation as compared to their counterparts that lack the substitution patterns disclosed herein.
    本发明涉及一种新类半导体非十环衍生物。这些化合物都是可溶性物种,并且与缺乏本文所披露的取代模式的对应物相比,它们都具有更优越的抗氧化性能。
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