(E,E)-1,3-Bis<2-(4-octyloxyphenyl)ethenyl>benzol | 114468-33-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二芳基庚烷
• 英文名称: (E,E)-1,3-Bis<2-(4-octyloxyphenyl)ethenyl>benzol
• 英文别名: m-bis(4-n-octyloxystyryl)benzene；(E,E)-1,3-Bis[2-(4-octyloxyphenyl)ethenyl]benzol
• CAS: 114468-33-6
• 化学式: C₃₈H₅₀O₂
• 分子量: 538.814
• InChiKey: MUTPJNJCXPWIFQ-FRCMOREXSA-N

物化性质

• 沸点：
  665.9±50.0 °C(predicted)
• 密度：
  1.007±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.51
• 重原子数：
  40.0
• 可旋转键数：
  20.0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  18.46
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (E,E)-1,3-Bis<2-(4-octyloxyphenyl)ethenyl>benzol 在 碘 作用下， 以 苯 为溶剂， 以35%的产率得到3,11-Dioctyloxybenzochrysen
  参考文献：
  名称：

  Noller, Klaus; Kosteyn, Frank; Meier, Herbert, Chemische Berichte, 1988, vol. 121, p. 1609 - 1616

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  4-辛氧基苯甲醛 在 potassium tert-butylate 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 (E,E)-1,3-Bis<2-(4-octyloxyphenyl)ethenyl>benzol
  参考文献：
  名称：

  Noller, Klaus; Kosteyn, Frank; Meier, Herbert, Chemische Berichte, 1988, vol. 121, p. 1609 - 1616

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Vacuum-Deposited Submonolayer Thin Films of a Three-Ring Bent-Core Compound
  作者：Yanhong Tang、Yan Wang、Guang Wang、Haibo Wang、Lixiang Wang、Donghang Yan

  DOI：10.1021/jp048607f

  日期：2004.8.1

  substrate that is responsible for the unusual formation of compact islands. All of the monolayer islands are unstable and apt to transform to slender bilayer crystals at room temperature. This phase transition results from the peculiar molecular shape and packing of the bent-core molecules and is interpreted as escaping from macroscopic net polarization by the formation of an antiferroelectric alignment

  采用真空沉积法制备了三环弯芯（即香蕉形）化合物间双（4-正辛氧基苯乙烯基）苯（m-OSB）的亚单层薄膜，及其形貌、结构和相行为通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）进行了研究。薄膜具有岛状形状，从低温（低于 40 摄氏度）下的紧凑椭圆或圆形图案到高温（高于 60 摄氏度）下的分支图案。这种形状演变与基于传统扩散限制聚集（DLA）理论的预测相反。AFM 观察表明，两种不同的机制控制着薄膜的生长，其中致密岛是通过类似去湿的行为形成的，而分支岛是扩散介导的。建议 m-OSB 在低温基板上形成二维液晶，这是致密岛异常形成的原因。所有单层岛都是不稳定的，在室温下容易转变为细长的双层晶体。这种相变是由弯曲核心分子的特殊分子形状和堆积引起的，并被解释为通过形成反铁电排列来逃避宏观净极化。