bis(4-tert-butylphenyl)sulfoxide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: bis(4-tert-butylphenyl)sulfoxide
• 英文别名: p-tert-butylphenylsulfoxide；4,4'-sulfinylbis(tert-butylbenzene)；bis-(4-t-butylphenyl) sulfoxide；Bis(4-tert-butylphenyl) sulfoxide；1-tert-butyl-4-(4-tert-butylphenyl)sulfinylbenzene
• 化学式: C₂₀H₂₆OS
• 分子量: 314.492
• InChiKey: CNQLAJSJIFZPCF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  36.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(4-tert-butylphenyl)sulfoxide 在 碘苯二乙酸 、 氨基甲酸铵 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 以81%的产率得到bis(4-(tert-butyl)phenyl)(imino)-λ⁶-sulfanone
  参考文献：
  名称：

  外消旋仲烷基卤化物的对映聚合铜催化自由基 C-N 偶联获得 α-手性伯胺

  摘要：

  α-手性烷基伯胺实际上是生物、制药和材料科学中普遍存在的所有其他α-手性含氮化合物的通用合成前体。普通烷基卤与氨的对映选择性胺化对于快速获得 α-手性伯胺很有吸引力，但由于使用氨的多方面困难和不发达的 C(sp 3 )-N 偶联，迄今为止仍然很少见。在这里，我们展示了亚砜亚胺作为优异的氨替代物，用于在温和的热条件下通过铜催化与不同的外消旋仲烷基卤化物（> 60 个例子）对映聚合自由基 C-N 偶联。该反应有效地提供了高度对映体富集的N-烷基亚砜亚胺（产率高达 99% 和 >99% ee），具有仲苄基、炔丙基、α-羰基烷基和 α-氰基烷基立体中心。此外，我们已将由此获得的掩蔽 α-手性伯胺转化为各种合成结构单元、配体和具有 α-手性 N-官能团的药物，如氨基甲酸酯、羧酰胺、仲和叔胺和恶唑啉，常见的α-取代模式。这些结果揭示了对映会聚自由基交叉偶联作为一般手性碳-杂原子形成策略的潜力。

  DOI：

  10.1021/jacs.1c07726
• 作为产物：
  描述：

  4-叔丁基溴苯 在 碘 、 magnesium 、 氯化亚砜 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 6.5h， 生成 bis(4-tert-butylphenyl)sulfoxide
  参考文献：
  名称：

  一种三(叔丁基苯基)硫溴的合成方法

  摘要：

  本发明属于电子材料技术领域，公开了一种三(叔丁基苯基)硫溴的合成方法，具体由对叔丁基溴苯和镁粉在四氢呋喃中回流，生成格式试剂，再在低温下滴入二氯亚砜的四氢呋喃溶液中，得到的二对叔丁基苯亚砜再和格式试剂在低温下与三甲基溴硅烷反应；将反应液倒入氢溴酸冰水中，反应液分液后水相用乙酸乙酯和二氯甲烷提取，将二氯甲烷相和乙酸乙酯相分别浓缩，浓缩后乙酸乙酯相加入正己烷析出固体，二氯甲烷相加入乙酸乙酯析出固体均为目标产物三(叔丁基苯基)硫溴；产物分子式为C30H39BrS。本发明所制备的产品是一种白色粉末，易溶于二氯乙烷，其合成方法生产成本低、制备线路短、设备简单易于工业化生产，可广泛应用于电子材料生产。

  公开号：

  CN106892847A

文献信息

• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100099042A1

  公开（公告）日：2010-04-22

  A polymerizable anion-containing sulfonium salt having formula (1) is provided wherein R 1 is H, F, methyl or trifluoromethyl, R 2 , R 3 and R 4 are C 1 -C 10 alkyl, alkenyl or oxoalkyl or C 6 -C 18 aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or two of R 2 , R 3 and R 4 may bond together to form a ring with S, A is a C 2 -C 20 hydrocarbon group having cyclic structure, and n is 0 or 1. The sulfonium salt generates a very strong sulfonic acid upon exposure to high-energy radiation. A resist composition comprising a polymer derived from the sulfonium salt is also provided.

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为具有环状结构的C2-C20烃基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了一种包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。