蒽[2,3-b：6,7-b']二噻吩 | 144413-58-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 中文名称: 蒽[2,3-b：6,7-b']二噻吩
• 英文名称: anthra[2,3-b:6,7-b']dithiophene
• 英文别名: anthraceno[2,3-b:6,7-b']dithiophene；anthra[2,3-b:6,7-b’]dithiophene；ADT；anthradithiophene；6,16-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1,3(11),4,7,9,12,14,17,19-nonaene
• CAS: 144413-58-1
• 化学式: C₁₈H₁₀S₂
• 分子量: 290.409
• InChiKey: DAMUWSYTQPWFIY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  534.8±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.417±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.1
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• WGK Germany：
  3
• 储存条件：
  应存放在室温、密封、干燥且惰性气体保护的环境中。

SDS

1.1 产品标识符
: ADT
产品名称
1.2 鉴别的其他方法
Anthra[2,3-b:6,7-b']dithiophene
1.3 有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途

仅供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。

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模块2. 危险性概述
2.1 GHS分类
急性毒性, 经口 (类别4)
2.2 GHS 标记要素，包括预防性的陈述
象形图
警示词警告
危险申明
H302吞咽有害。
警告申明
预防
P264操作后彻底清洁皮肤。
P270使用本产品时不要进食、饮水或吸烟。
措施
P301 + P312如果吞下去了: 如感觉不适，呼救解毒中心或看医生。
P330漱口。
处理
P501将内容物/ 容器处理到得到批准的废物处理厂。
2.3 其它危害物 - 无

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模块3. 成分/组成信息
3.1 物 质
: Anthra[2,3-b:6,7-b']dithiophene
别名
: C18H10S2
分子式
: 290.40 g/mol
分子量
组分浓度或浓度范围
Anthra[2,3-b:6,7-b']dithiophene
-
CAS 号144413-58-1

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模块4. 急救措施
4.1 必要的急救措施描述
一般的建议
请教医生。 出示此安全技术说明书给到现场的医生看。
吸入
如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。 如果停止了呼吸,给于人工呼吸。 请教医生。
皮肤接触
用肥皂和大量的水冲洗。 请教医生。
眼睛接触
用水冲洗眼睛作为预防措施。
食入
切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。 用水漱口。 请教医生。
4.2 主要症状和影响，急性和迟发效应
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
4.3 及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示
无数据资料

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模块5. 消防措施
5.1 灭火介质
灭火方法及灭火剂
用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。
5.2 源于此物质或混合物的特别的危害
碳氧化物, 硫氧化物
5.3 给消防员的建议
如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。
5.4 进一步信息
无数据资料

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模块6. 泄露应急处理
6.1 人员的预防,防护设备和紧急处理程序
使用个人防护设备。 防止粉尘的生成。 防止吸入蒸汽、气雾或气体。 保证充分的通风。 避免吸入粉尘。
6.2 环境保护措施
不要让产物进入下水道。
6.3 抑制和清除溢出物的方法和材料
收集、处理泄漏物，不要产生灰尘。 扫掉和铲掉。 存放进适当的闭口容器中待处理。
6.4 参考其他部分
丢弃处理请参阅第13节。

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模块7. 操作处置与储存
7.1 安全操作的注意事项
避免接触皮肤和眼睛。 防止粉尘和气溶胶生成。
在有粉尘生成的地方,提供合适的排风设备。
7.2 安全储存的条件,包括任何不兼容性
贮存在阴凉处。 容器保持紧闭，储存在干燥通风处。
充气操作和储存 对空气敏感。
7.3 特定用途
无数据资料

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模块8. 接触控制和个体防护
8.1 容许浓度
最高容许浓度
没有已知的国家规定的暴露极限。
8.2 暴露控制
适当的技术控制
按照良好工业和安全规范操作。 休息前和工作结束时洗手。
个体防护设备
眼/面保护
带有防护边罩的安全眼镜符合 EN166要求请使用经官方标准如NIOSH (美国) 或 EN 166(欧盟)
检测与批准的设备防护眼部。
皮肤保护
戴手套取 手套在使用前必须受检查。
请使用合适的方法脱除手套(不要接触手套外部表面),避免任何皮肤部位接触此产品.
使用后请将被污染过的手套根据相关法律法规和有效的实验室规章程序谨慎处理. 请清洗并吹干双手
所选择的保护手套必须符合EU的89/686/EEC规定和从它衍生出来的EN 376标准。
身体保护
全套防化学试剂工作服, 防护设备的类型必须根据特定工作场所中的危险物的浓度和含量来选择。
呼吸系统防护
如须暴露于有害环境中,请使用P95型(美国)或P1型(欧盟 英国
143)防微粒呼吸器。如需更高级别防护,请使用OV/AG/P99型(美国)或ABEK-P2型 (欧盟 英国 143)
防毒罐。
呼吸器使用经过测试并通过政府标准如NIOSH（US）或CEN（EU）的呼吸器和零件。

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模块9. 理化特性
9.1 基本的理化特性的信息
a) 外观与性状
形状: 固体
b) 气味
无数据资料
c) 气味阈值
无数据资料
d) pH值
无数据资料
e) 熔点/凝固点
> 400 °C
f) 起始沸点和沸程
无数据资料
g) 闪点
无数据资料
h) 蒸发速率
无数据资料
i) 易燃性(固体,气体)
无数据资料
j) 高的/低的燃烧性或爆炸性限度 无数据资料
k) 蒸汽压
无数据资料
l) 蒸汽密度
无数据资料
m) 相对密度
无数据资料
n) 水溶性
无数据资料
o) n-辛醇/水分配系数
辛醇--水的分配系数的对数值: 5.775
p) 自燃温度
无数据资料
q) 分解温度
无数据资料
r) 粘度
无数据资料

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模块10. 稳定性和反应活性
10.1 反应性
无数据资料
10.2 稳定性
无数据资料
10.3 危险反应的可能性
无数据资料
10.4 应避免的条件
无数据资料
10.5 不兼容的材料
强氧化剂
10.6 危险的分解产物
其它分解产物 - 无数据资料

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模块11. 毒理学资料
11.1 毒理学影响的信息
急性毒性
无数据资料
皮肤刺激或腐蚀
无数据资料
眼睛刺激或腐蚀
无数据资料
呼吸道或皮肤过敏
无数据资料
生殖细胞突变性
无数据资料
致癌性
IARC:
此产品中没有大于或等于 0。1%含量的组分被 IARC鉴别为可能的或肯定的人类致癌物。
生殖毒性
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（一次接触）
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（反复接触）
无数据资料
吸入危险
无数据资料
潜在的健康影响
吸入吸入可能有害。 可能引起呼吸道刺激。
摄入误吞对人体有害。
皮肤如果通过皮肤吸收可能是有害的。 可能引起皮肤刺激。
眼睛可能引起眼睛刺激。
接触后的征兆和症状
据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。
附加说明
化学物质毒性作用登记: 无数据资料

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模块12. 生态学资料
12.1 生态毒性
无数据资料
12.2 持久存留性和降解性
无数据资料
12.3 潜在的生物蓄积性
无数据资料
12.4 土壤中的迁移性
无数据资料
12.5 PBT 和 vPvB的结果评价
无数据资料
12.6 其它不利的影响
无数据资料

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模块13. 废弃处置
13.1 废物处理方法
产品
将剩余的和未回收的溶液交给处理公司。
与易燃溶剂相溶或者相混合，在备有燃烧后处理和洗刷作用的化学焚化炉中燃烧
受污染的容器和包装
作为未用过的产品弃置。

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模块14. 运输信息
14.1 联合国危险货物编号
欧洲陆运危规: -国际海运危规: -国际空运危规: -
14.2 联合国（UN）规定的名称
欧洲陆运危规: 非危险货物
国际海运危规: 非危险货物
国际空运危规: 非危险货物
14.3 运输危险类别
欧洲陆运危规: -国际海运危规: -国际空运危规: -
14.4 包裹组
欧洲陆运危规: -国际海运危规: -国际空运危规: -
14.5 环境危险
欧洲陆运危规: 否国际海运危规 海运污染物: 否国际空运危规: 否
14.6 对使用者的特别提醒
无数据资料

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模块 15 - 法规信息
N/A

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模块16 - 其他信息
N/A

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  anthraceno[2,3-b:7,6-b']dithiophene 、 蒽[2,3-b：6,7-b']二噻吩 在 正丁基锂 、 碘 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.5h， 生成 2,8-diiodoanthraceno[2,3-b:6,7-b']dithiophene 、 2,8-diiodoanthraceno[2,3-b:7,6-b']dithiophene
  参考文献：
  名称：

  一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其 制备方法与应用

  摘要：

  本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效；原料简单易得；合成方法具有普适性，可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中；该类化合物是具有较大的π-共轭平面，很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件；该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级（HOMO），空气中稳定性好，有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件；以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率（μ）和开关比较高（μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1，开关比大于104），在OFET中具有一定的应用前景。

  公开号：

  CN103242360B
• 作为产物：
  描述：

  2,6-bis(methylthio)-3,7-bis(trimethylsilylethynyl)anthracene 在 sodium tetrahydroborate 、 碘 作用下， 以 乙醇 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 27.0h， 生成 蒽[2,3-b：6,7-b']二噻吩
  参考文献：
  名称：

  Isomerically Pure Anthra[2,3-b:6,7-b′]-difuran (anti-ADF), -dithiophene (anti-ADT), and -diselenophene (anti-ADS): Selective Synthesis, Electronic Structures, and Application to Organic Field-Effect Transistors

  摘要：

  A new straightforward synthesis of isomerically pure anthra[2,3-b:6,7-b'] -difuran (anti-ADF), -dithiophene (anti-ADT), and -diselenophene (anti-ADS) from readily available 2,6-dimethoxyanthracene is described. The present successful synthesis makes it possible to overview the linear-shaped anti-acenedichalcogenophene compounds, that is, benzo[1,2-b:4,5-b']-, naphtho[2,3-b:6,7-b']-, and anthra[2,3-b:6,7-b']- difuran, -dithiophene, and -diselenophene. By comparing their electrochemical and photochemical properties, the electronic structures of acenedichalcogenophenes can be expressed as the outcome of balance between the central acene core and the outermost chalcogenophene rings. Among isomerically pure parent anti-anthradichalcogenophenes, anti-ADT and anti-ADS can afford crystalline thin films by vapor deposition, which acted as active layer in organic field-effect transistors with mobility as high as 0.3 cm(2) V-1 s(-1) for ADT and 0.7 cm(2) V-1 s(-1) for ADS. The mobility of isomerically pure anti-ADT is higher by several times than those reported for isomercally mixed ADT, implying that the isomeric purity could be beneficial for realizing the better FET mobility. We also tested the diphenyl derivatives of anti-ADF, -ADT, and -ADS as the active material for OFET devices, which showed high mobility of up to 1.3 cm(2) V-1 s(-1).

  DOI：

  10.1021/jo301438t

文献信息

• Functionalized anthradithiophenes for organic field-effect transistors
  作者：Ming-Chou Chen、Choongik Kim、Sheng-Yu Chen、Yen-Ju Chiang、Ming-Che Chung、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1039/b715746k

  日期：——

  Two new semiconductors for organic thin-film transistors (OTFTs), diperfluorophenyl anthradithiophene (DFPADT) and dimethyl anthradithiophene (DMADT), have been synthesized and characterized. The first material exhibits ambipolar transport in OTFT devices with field-effect mobilities (μ) of 6 × 10−4 cm2 V−1 s−1 and 0.05 cm2 V−1 s−1 for electrons and holes, respectively. Therefore, diperfluorophenyl substitution was found to be effective to induce n-type transport. Dimethyl-substituted anthradithiophene (DMADT) was also synthesized for comparison and exhibited exclusively hole transport with carrier mobility of ∼0.1 cm2 V−1 s−1. Within this semiconductor family, OTFT carrier mobility values are strongly dependent on the semiconductor film growth conditions, substrate deposition temperatures, and gate dielectric surface treatment.

  合成并表征了两种新的有机薄膜晶体管（OTFT）的半导体材料，分别为双氟苯基蒽二硫醚（DFPADT）和二甲基蒽二硫醚（DMADT）。第一种材料在OTFT器件中表现出双极输运，电子和孔的场效应迁移率（μ）分别为6 × 10−4 cm2 V−1 s−1和0.05 cm2 V−1 s−1。因此，发现双氟苯基取代能够有效地诱导n型输运。二甲基取代的蒽二硫醚（DMADT）也进行了合成以作比较，结果仅表现出孔输运，载流子迁移率约为0.1 cm2 V−1 s−1。在这个半导体家族中，OTFT的载流子迁移率值强烈依赖于半导体薄膜的生长条件、基片沉积温度和栅极介电层的表面处理。
• Solution-processed anthradithiophene–PCBM p–n junction photovoltaic cells fabricated by using the photoprecursor method
  作者：Hiroko Yamada、Yuji Yamaguchi、Ryuta Katoh、Takao Motoyama、Tatsuya Aotake、Daiki Kuzuhara、Mitsuharu Suzuki、Tetsuo Okujima、Hidemitsu Uno、Naoki Aratani、Ken-ichi Nakayama

  DOI：10.1039/c3cc46178e

  日期：——

  P–n junction solar cells based on anthradithiophene (ADT) as a p-type semiconductor were fabricated by using the photoprecursor method in which an α-diketone-type precursor was spin-coated and then transformed to ADT in situ by photoirradiation. Combination with PC71BM as an n-layer material led to 1.54% photoconversion efficiency.

  采用光前驱体法制备了以蒽并噻吩（ADT）为p型半导体的P-n结太阳能电池，其中α-二酮型前驱体被旋涂，然后通过光辐照原位转化为ADT。与 PC71BM 结合作为 n 层材料，光电转换效率为 1.54%。
• ANTHRADITHIOPHENE-BASED SEMICONDUCTING POLYMERS AND METHODS THEREOF
  申请人：Phillips 66 Company

  公开号：US20150136224A1

  公开（公告）日：2015-05-21

  Compositions, synthesis and applications for benzene, furan, thiophene, selenophene, pyrole, pyran, pyridine, oxazole, thiazole and imidazole derivatized anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene (ADT) based polymers, namely, poly5,11-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-ethyl-1-(thieno[3,4-b]thiophen-2-yl)hexan-1-one-4,6-diyl}, poly5,11-bis(5-(2-ethylhexyl)furan-2-yl)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-ethyl-1-(thieno[3,4-b]thiophen-2-yl)hexan-1-one-4,6-diyl and poly5,11-bis(5-(2-ethylhexyl)selenophen-2-yl)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-ethyl-1-(thieno[3,4-b]thiophen-2-yl)hexan-1-one-4,6-diyl} are disclosed. Further, an organic solar cell constructed of a derivatized anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene (ADT) based polymer is discussed.

  本文介绍了基于苯、呋喃、噻吩、硒噻吩、吡咯、吡喃、吡啶、噁唑、噻唑和咪唑衍生的anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene (ADT)基聚合物的合成、组成和应用，包括poly5,11-bis(5-(2-乙基己基)噻吩-2-基)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-乙基-1-(噻吩[3,4-b]噻吩-2-基)己酮-4,6-diyl}、poly5,11-bis(5-(2-乙基己基)呋喃-2-基)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-乙基-1-(噻吩[3,4-b]噻吩-2-基)己酮-4,6-diyl}和poly5,11-bis(5-(2-乙基己基)硒噻吩-2-基)anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene-2,8-diyl-alt-2-乙基-1-(噻吩[3,4-b]噻吩-2-基)己酮-4,6-diyl}。此外，本文还讨论了一种基于衍生的anthra[2,3-b:6,7-b′]dithiophene (ADT)基聚合物的有机太阳能电池。
• ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
  申请人：Fujifilm Corporation

  公开号：EP3116031A1

  公开（公告）日：2017-01-11

  Provided are an organic thin-film transistor including: a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, in which the organic semiconductor layer includes an organic semiconductor and a resin (C) having one or more groups selected from the group consisting of a group having fluorine atoms, a group having silicon atoms, an alkyl group having one or more carbon atoms or having two or more carbon atoms in a case of forming an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, an aromatic ring group substituted with at least one alkyl group, and an aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group; and a method for manufacturing an organic thin-film transistor including: applying a coating solution which contains the organic semiconductor and the resin (C) and causing the resin (C) to be unevenly distributed.

  提供了一种有机薄膜晶体管，包括基板上的栅电极、有机半导体层、栅绝缘层、源电极和漏电极，其中有机半导体层包括有机半导体和树脂 (C)，树脂 (C)具有一个或多个基团，这些基团选自具有氟原子的基团、具有硅原子的基团组成的组、具有一个或多个碳原子的烷基，或在形成烷氧基羰基、环烷基、芳烷基、芳氧基羰基、被至少一个烷基取代的芳环基和被至少一个环烷基取代的芳环基的情况下具有两个或多个碳原子的烷基；一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括涂敷含有有机半导体和树脂（C）的涂层溶液，并使树脂（C）不均匀分布。
• SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INSULATING LAYER-FORMING COMPOSITION
  申请人：Fujifilm Corporation

  公开号：EP3142160A1

  公开（公告）日：2017-03-15

  A semiconductor element which comprises a semiconductor layer and an insulating layer that is adjacent to the semiconductor layer, and wherein the insulating layer is formed of a crosslinked product of a polymer compound that has a repeating unit (IA) represented by general formula (IA) and a repeating unit (IB) represented by general formula (IB); and an insulating layer-forming composition for forming an insulating layer of a semiconductor element, which contains a polymer compound that has the repeating structures (IA) and (IB). (In general formulae, each of R1a and R1b independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group; each of L1a, L2a and L1b independently represents a single bond or a linking group; X represents a crosslinkable group; YB represents a decomposable group or a hydrogen atom; each of m1a and m2a independently represents an integer of 1-5; and each * represents a bonding position of the repeating units.)

  一种半导体元件，它包括半导体层和与半导体层相邻的绝缘层，其中绝缘层由具有通式(IA)代表的重复单元(IA)和通式(IB)代表的重复单元(IB)的聚合物化合物的交联产物形成；以及一种用于形成半导体元件绝缘层的绝缘层形成组合物，它含有具有重复结构(IA)和(IB)的聚合物化合物。(通式中，R1a和R1b各自独立地代表氢原子、卤原子或烷基；L1a、L2a和L1b各自独立地代表单键或连接基团；X代表可交联基团；YB代表可分解基团或氢原子；m1a和m2a各自独立地代表1-5的整数；每个*代表重复单元的键合位置)。