dimethyl 5-triphenylphosphoniomethylisophthalate bromide | 142746-78-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: dimethyl 5-triphenylphosphoniomethylisophthalate bromide
• 英文别名: (3,5-Bis-methoxycarbonyl-benzyl)-triphenyl-phosphonium; bromide；[3,5-Bis(methoxycarbonyl)phenyl]methyl-triphenylphosphanium;bromide
• CAS: 142746-78-9
• 化学式: Br*C₂₉H₂₆O₄P
• 分子量: 549.401
• InChiKey: DPNYKYBUZYNBLZ-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.76
• 重原子数：
  35
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.1
• 拓扑面积：
  52.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  均苯三甲醛 、 dimethyl 5-triphenylphosphoniomethylisophthalate bromide 在 甲醇 、 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 12.0h， 以64%的产率得到dimethyl 5-[(E)-2-[3,5-bis[(E)-2-[3,5-bis(methoxycarbonyl)phenyl]ethenyl]phenyl]ethenyl]benzene-1,3-dicarboxylate
  参考文献：
  名称：

  Voegtle, Fritz; Gross, Jens; Seel, Christian, Angewandte Chemie, 1992, vol. 104, # 8, p. 1112 - 1113

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  5-甲基间苯二酸 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 氯化亚砜 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 、 四氯化碳 、 丙酮 为溶剂， 生成 dimethyl 5-triphenylphosphoniomethylisophthalate bromide
  参考文献：
  名称：

  COMPOUND, POLYMER, PATTERN FORMING MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

  摘要：

  一种形成图案的材料被配置用于在待加工的薄膜上形成有机薄膜，对有机薄膜进行图案化处理，然后通过将金属化合物渗入图案化的有机薄膜来形成复合薄膜。该图案形成材料包含一种聚合物，其中包括以下通用公式（3）所表示的单体单元，其中R21为H或CH3，每个R22为碳原子为主要碳、次要碳或三级碳的C2-14烃基，Q为单键或由C1-20碳原子组成的烃基，该烃基可能在碳-碳键的碳原子之间或在键末端包括一个氧原子、一个氮原子或一个硫原子，并且卤素原子可能替代氢原子。

  公开号：

  US20210070898A1

文献信息

• 環状マクロモノマー、高分子架橋体、高分子ゲル、及びそれらの製造方法
  申请人：積水化成品工業株式会社

  公开号：JP2015010112A

  公开（公告）日：2015-01-19

  【課題】他の重合性モノマーとの重合により、機械的特性及び膨潤性に優れた高分子架橋体を形成し得る新規の環状マクロモノマー、この環状マクロモノマーに由来する構造単位を有する高分子架橋体、この高分子架橋体を含む高分子ゲルを提供する。【解決手段】環状マクロモノマーは、下記一般式（Ｉ）： （一般式（Ｉ）中、Ｍは置換又は非置換の炭素数２～４のアルキレン基であり、ｎは括弧内の構造の繰り返し単位数を表し、５～１００の整数である。また、ｎ＋１個のＭは、それぞれ同一であっても、異なっていてもよい。）で表される。【選択図】なし
• COMPOUND, POLYMER, PATTERN FORMING MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：Kioxia Corporation

  公开号：US20210070898A1

  公开（公告）日：2021-03-11

  A pattern forming material is configured to use for forming an organic film on a film to be processed, patterning the organic film, and then forming a composite film by infiltrating a metallic compound into the patterned organic film. The pattern forming material contains a polymer including a monomer unit represented by a general formula (3) described below, where R 21 is H or CH 3 , each R 22 is a hydrocarbon group of C 2-14 where α carbon is primary carbon, secondary carbon or tertiary carbon, Q is a single bond or a hydrocarbon group of C 1-20 carbon atoms which may include an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom between carbon-carbon atoms of or at a bond terminal, and a halogen atom may be substituted for the hydrogen atom.

  一种形成图案的材料被配置用于在待加工的薄膜上形成有机薄膜，对有机薄膜进行图案化处理，然后通过将金属化合物渗入图案化的有机薄膜来形成复合薄膜。该图案形成材料包含一种聚合物，其中包括以下通用公式（3）所表示的单体单元，其中R21为H或CH3，每个R22为碳原子为主要碳、次要碳或三级碳的C2-14烃基，Q为单键或由C1-20碳原子组成的烃基，该烃基可能在碳-碳键的碳原子之间或在键末端包括一个氧原子、一个氮原子或一个硫原子，并且卤素原子可能替代氢原子。
• Voegtle, Fritz; Gross, Jens; Seel, Christian, Angewandte Chemie, 1992, vol. 104, # 8, p. 1112 - 1113
  作者：Voegtle, Fritz、Gross, Jens、Seel, Christian、Nieger, Martin

  DOI：——

  日期：——