45 eV for CuSbS 2 nanocrystals. Semiconductors of Cu–Sb–S compounds with such band gaps are desirable for solar cell applications. The Cu 3 SbS 4 and CuSbS 2 nanocrystals both showed obvious photo-electric response, indicating their potential application as an active layer in thin-film solar cells.
摘要 已开发出一种新的溶剂热
化学途径以可控方式合成 Cu-Sb-S 化合物纳米晶体。通过改变反应温度可以选择性地制备Cu 3 SbS 4 和CuSbS 2 纳米晶体。
锑从
酒石酸锑钾三
水合物中的温度依赖性释放促进了Cu 3 SbS 4 和CuSbS 2 的选择性合成。Cu 3 SbS 4 纳米晶体的带隙为1.0eV,CuSbS 2 纳米晶体的带隙为1.45eV。具有这种带隙的 Cu-Sb-S 化合物半导体是太阳能电池应用的理想选择。Cu 3 SbS 4 和CuSbS 2 纳米晶体均表现出明显的光电响应,表明它们作为薄膜太阳能电池活性层的潜在应用。