三氯丙烯腈 | 16212-28-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 乙烯基卤化物
• 中文名称: 三氯丙烯腈
• 英文名称: trichloroacrylylnitrile
• 英文别名: trichloroacrylonitrile；trichloro-acrylonitrile；Trichlor-acrylonitril；2-Propenenitrile, 2,3,3-trichloro-；2,3,3-trichloroprop-2-enenitrile
• CAS: 16212-28-5
• 化学式: C₃Cl₃N
• mdl: MFCD01673892
• 分子量: 156.399
• InChiKey: RIMSDWNIRWMXBC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  18-20 °C
• 沸点：
  151-153 °C(Press: 750 Torr)
• 密度：
  1.6561 (estimate)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

安全信息

• 海关编码：
  2926909090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三氯丙烯腈 在 氯 作用下， 生成 五氯丙腈
  参考文献：
  名称：

  Roedig,A. et al., Chemische Berichte, 1966, vol. 99, p. 121 - 129

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  2,2,3,3-Tetrachlor-propionitril 在 甲烷 作用下， 生成 三氯丙烯腈
  参考文献：
  名称：

  Brintzinger; Pfannstiel; Koddebusch, Angewandte Chemie, 1948, vol. 60, p. 312

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Fungicidal 1,2-dichlorocyanovinyl compounds
  申请人：Stauffer Chemical Company

  公开号：US04238405A1

  公开（公告）日：1980-12-09

  Novel biocidal compounds have the general structural formula ##STR1## wherein n is 0, 1, or 2 and R is alkyl, alkylcarbalkoxy, cyclohexyl, halophenyl, benzyl, N,N-di-lower alkyl carbamoyl, hexamethyleneimino carbonyl, pyrimidyl, lower alkyl substituted pyrimidyl, benzimidazole, lower alkyl substituted imidazole, benzothiazole and O,O-di-lower alkyl thiophosphoryl; with the proviso that when n is 0, R is other than alkyl or cyclohexyl.

  新型生物杀菌化合物具有一般的结构式##STR1##其中n为0、1或2，R为烷基、烷基羰氧基、环己基、卤代苯基、苄基、N,N-二烷基羰胺基、己亚甲基胺基、嘧啶基、烷基取代的嘧啶基、苯并咪唑基、烷基取代的咪唑基、苯并噻唑基和O,O-二烷基硫代磷酰基；但当n为0时，R不是烷基或环己基。
• Polyhalogenoheterocyclic compounds - 38.
  作者：Richard D. Chambers、Thomas Shepherd、Masayuki Tamura

  DOI：10.1016/s0040-4020(01)81709-9

  日期：1988.1

  3-triazine (1) with potassium fluoride at elevated temperatures gives trifluoro-l,2,3-triazine (4) and corresponding chlorofluoro derivatives. Introduction of perfluoroiso- propyl groups occurs, using fluoride ion and hexafluoropropene. A novel product (7) is described that arises from uucleophilic attack of perfluoroisopropyl anion on ring nitrogen in an intermediate triazine derivative.

  使三氯-1,2,3-三嗪（1）与氟化钾在高温下反应，得到三氟-1,2,3-三嗪（4）和相应的氯氟衍生物。使用氟离子和六氟丙烯引入全氟异丙基。描述了一种新产物（7），该产物是由全氟异丙基阴离子对中间体三嗪衍生物中环氮的亲核攻击而产生的。
• Fungicidal 4-substituted-5-trifluoromethyl-3-(1,2-dichloro-2-cyanovinyl
  申请人：Chevron Research Company

  公开号：US04477459A1

  公开（公告）日：1984-10-16

  Compounds of the formula: ##STR1## wherein R is lower alkyl or lower alkenyl are fungicidal.

  公式为##STR1## 的化合物，其中R为低碳基或低烯基，具有杀真菌作用。
• CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090130849A1

  公开（公告）日：2009-05-21

  A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.

  本文描述了一种化学机械平整化（或其他抛光）的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率，包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
• METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20100043823A1

  公开（公告）日：2010-02-25

  The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.

  本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法，包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分，如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。

表征谱图