1-甲氧基-4-[1,2,2-三(4-甲氧基苯基)乙基]苯 | 51048-43-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 二苯乙烯类
• 中文名称: 1-甲氧基-4-[1,2,2-三(4-甲氧基苯基)乙基]苯
• 英文名称: 1,1,2,2-tetrakis(4-methoxyphenyl)ethane
• 英文别名: 1-Methoxy-4-[1,2,2-tris(4-methoxyphenyl)ethyl]benzene
• CAS: 51048-43-2
• 化学式: C₃₀H₃₀O₄
• 分子量: 454.566
• InChiKey: HHQUIFSDUCERBJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.9
• 重原子数：
  34
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  36.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二氧化碳 、 1-甲氧基-4-[1,2,2-三(4-甲氧基苯基)乙基]苯 在 tetrabutylammonium tetrafluoroborate 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 20.0 ℃ 、101.33 kPa 条件下， 以68 %的产率得到2,2-bis-(4-methoxyphenyl)acetic acid
  参考文献：
  名称：

  芳香烃中无环 C(sp3)–C(sp3) 键与 CO2 的电还原羧化

  摘要：

  尽管最近在特定底物中 C-C 键的选择性功能化方面取得了进展，但无环底物（例如乙烷衍生物）中 C-C 键的裂解和功能化仍然具有挑战性。与 C-C 键断裂后一个碳片段的成熟官能化相反，本文报道了多芳基乙烷中 C (sp 3 )-C(sp 3 ) 键与二氧化碳的新型电还原羧化反应（CO 2 ）通过利用两个碳碎片。因此，该反应展示了一种原子、逐步经济的羧酸合成方法，实现了有机合成的主要愿望。此外，该方法还具有反应条件温和、底物范围广、官能团耐受性好的特点。带有一级、二级或三级 C(sp 3 )–C(sp 3 ) 键的对称和不对称底物都适合这种策略，从而能够同时轻松构建一种或两种结构不同的羧酸。机理研究表明碳负离子可能是该反应的关键中间体，可以被CO 2有效捕获。

  DOI：

  10.1007/s11426-024-2075-6
• 作为产物：
  描述：

  二甲氧基苯甲醇 在 titanium(IV) isopropylate 、 溶剂黄146 、 异丙醇 作用下， 以 氯苯 为溶剂， 反应 8.0h， 以71%的产率得到1-甲氧基-4-[1,2,2-三(4-甲氧基苯基)乙基]苯
  参考文献：
  名称：

  异丙醇作为还原剂用于利用Ti-O键光均解作用的苯甲醇催化脱氧二聚反应

  摘要：

  通过异丙醇的光辐照已经实现了钛醇对苄基醇的钛催化脱羟基二聚作用。关键步骤是Ti-O键的光均解，这使得能够利用异丙醇作为氢原子供体。该反应还可以在巯基乙酸为配体的情况下在可见光照射下进行。

  DOI：

  10.1002/ejoc.202100286

文献信息

• Generation and Reactivity Studies of Diarylmethyl Radical Pairs in Crystalline Tetraarylacetones via Laser Flash Photolysis Using Nanocrystalline Suspensions
  作者：Jin H. Park、Melissa Hughs、Tim S. Chung、A. Jean-Luc Ayitou、Vanessa M. Breslin、Miguel A. Garcia-Garibay

  DOI：10.1021/jacs.7b04449

  日期：2017.9.27

  The nanosecond electronic spectra and kinetics of the radical pairs from various crystalline tetraarylacetones were obtained using transmission laser flash photolysis methods by taking advantage of aqueous nanocrystalline suspensions in the presence of submicellar CTAB, which acts as a surface passivator. After showing that all tetraarylacetones react efficiently by a photodecarbonylation reaction

  使用透射激光闪光光解法，在亚胶束 CTAB 存在下，利用纳米晶水悬浮液作为表面钝化剂，获得了来自各种结晶四芳基丙酮的自由基对的纳秒电子光谱和动力学。在证明所有四芳基丙酮在结晶状态下通过光脱羰反应有效反应后，我们能够检测到约内的中间自由基对。我们的激光装置的 8 ns 激光脉冲。我们表明自由基对的固态光谱与在溶液中检测到的非常相似，λmax 在 330-360 nm 范围内。观察到固态动力学是双指数的，不受氧气存在或激光功率变化的影响。一个相对短暂的组件（0.3-1.
• THERMOSETTING ALKOXYSILYL COMPOUND HAVING TWO OR MORE ALKOXYSILYL GROUPS, COMPOSITION AND CURED PRODUCT COMPRISING SAME, USE THEREOF, AND METHOD FOR PREPARING ALKOXYSILYL COMPOUND
  申请人：KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY

  公开号：US20180155370A1

  公开（公告）日：2018-06-07

  The present invention relates to: a thermosetting alkoxysilyl compound (hereinafter, referred to as “alkoxysilyl compound”)having two or more alkoxysilyl groups showing excellent heat-resistance characteristics in a composite; a composition and a cured product comprising the same; a use thereof; and a method for preparing an alkoxysilyl compound. The composition of an alkoxysilyl compound, comprising a novel alkoxysilyl compound according to the present invention shows, in a composite, improved heat-resistance characteristics, i.e., an effect of decreasing the CTE of the composition of an alkoxysilyl compound and not showing a glass transition temperature (hereinafter, referred to as “Tg-less”). Further, the cured product comprising an alkoxysilyl compound according to the present invention shows excellent flame retardant properties due to the alkoxysilyl groups.

  本发明涉及一种热固性烷氧基硅基化合物（以下简称“烷氧基硅基化合物”），其具有两个或两个以上的烷氧基硅基团，在复合材料中表现出优异的耐热特性；包括该烷氧基硅基化合物的组合物和固化产物；其用途；以及制备烷氧基硅基化合物的方法。根据本发明的一种烷氧基硅基化合物的组合物显示出改善的耐热特性，即降低烷氧基硅基化合物组合物的CTE并且不显示玻璃转变温度（以下简称“Tg-less”）的效果。此外，根据本发明的一种烷氧基硅基化合物的固化产物由于烷氧基硅基团表现出优异的阻燃性能。
• Structural requirements for decarbonylative α,α-diarylation reaction of 2-methoxyalkanoic acids in phosphorus pentoxide-methanesulfonic acid mixture yielding 1,1-diarylalkane homologs
  作者：Noriyuki Yonezawa、Tetsuo Hino、Yoshimi Tokita、Kazuhisa Matsuda、Tomiki Ikeda

  DOI：10.1016/s0040-4020(97)00996-4

  日期：1997.10

  2-Methoxyalkanoic acids were found to undergo consecutive decarbonylative α,α-diarylation in P2O5-MsOH instead of Friedel-Crafts type arylation on the carbonyl carbon. The influence of the substituents of the arenes and the carboxylic acids in this reaction was elucidated based on the reaction yields. The reaction behavior was found to be primarily governed by the electron-withdrawing/releasing property

  发现2-甲氧基链烷酸在P 2 O 5 -MsOH中经历连续的脱羰基α，α-二芳基化，而不是在羰基碳上进行Friedel-Crafts型芳基化。基于反应产率，阐明了芳烃和羧酸的取代基在该反应中的影响。发现反应行为主要受羧酸上α-取代基的吸电子/释放性能以及芳烃的正种接受能力支配。已显示出空间位阻参与确定反应的可行性，并将其作为次要因素。
• Palladium-Catalyzed Reaction of 2-Hydroxy-2-methylpropiophenone with Aryl Bromides:  A Unique Multiple Arylation via Successive C−C and C−H Bond Cleavages
  作者：Hiroyuki Wakui、Satoshi Kawasaki、Tetsuya Satoh、Masahiro Miura、Masakatsu Nomura

  DOI：10.1021/ja0477874

  日期：2004.7.1

  2-Hydroxy-2-methylpropiophenone undergoes a unique multiple arylation via C-C and C-H bond cleavages upon treatment with excess aryl bromides in the presence of a palladium catalyst to give 1,1,2,2-tetraarylethanes and 4,4-diaryl-1-phenylisochroman-3-ones.

  2-Hydroxy-2-methylpropiophenone 在钯催化剂存在下用过量的芳基溴化物处理后，通过 CC 和 CH 键裂解发生独特的多重芳基化，得到 1,1,2,2-四芳基乙烷和 4,4-二芳基-1 -phenylisochroman-3-ones。
• RESIST UNDERLAYER FILM MATERIAL, PATTERNING PROCESS, AND METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210397092A1

  公开（公告）日：2021-12-23

  A resist underlayer film material used in multilayer resist method contains (A) compound shown by following general formula (1), and (B) organic solvent, where X independently represents monovalent organic group shown by following general formula (2); W contains an “m” number of partial structures each independently shown by following formula (3); “m” and “n” each represent an integer of 1 to 10; broken lines represent bonding arms; Z represents aromatic group; A represents single bond or —O—(CH 2 ) p —; “k” represents integer of 1 to 5; “p” represents integer of 1 to 10; R 01 represents hydrogen atom or monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. Material is capable of forming resist underlayer film excellent in planarizing property in fine patterning process by multilayer resist method in semiconductor-device manufacturing process; and patterning processes and methods for forming resist underlayer film use material.

  多层光刻法中使用的抗蚀底层膜材料包含以下通式（1）所示的化合物（A）和有机溶剂（B），其中X独立地表示由以下通式（2）所示的一价有机基团；W包含“m”个部分结构，每个部分结构都独立地由以下式（3）所示；“m”和“n”分别表示1到10的整数；断裂的线表示连接臂；Z表示芳香基团；A表示单键或—O—（CH2）p—；“k”表示1到5的整数；“p”表示1到10的整数；R01表示氢原子或具有1到10个碳原子的一价有机基团。该材料能够形成在半导体器件制造过程中通过多层光刻法具有平坦化性能的抗蚀底层膜，以及用于形成抗蚀底层膜的图案化过程和方法。