(Z)-丁-2-烯二酸二壬酯 | 2787-64-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 中文名称: (Z)-丁-2-烯二酸二壬酯
• 英文名称: Dinonylmaleat
• 英文别名: Maleinsaeure-dinonylester；Dinonyl maleate；dinonyl (Z)-but-2-enedioate
• CAS: 2787-64-6
• 化学式: C₂₂H₄₀O₄
• 分子量: 368.557
• InChiKey: PQJYOOFQDXGDDS-ZCXUNETKSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.1
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  20
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.82
• 拓扑面积：
  52.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

安全信息

• 海关编码：
  2917190090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (Z)-丁-2-烯二酸二壬酯 在 C₁₆H₂₅N₃O₂S 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 16.0h， 以99%的产率得到(E)-丁-2-烯二酸二壬酯
  参考文献：
  名称：

  两性离子催化的马来酸向富马酸二酯的异构化

  摘要：

  富马酸二酯是有机合成的重要组成部分。发现一类基于酰胺阴离子/亚胺阳离子电荷对的两性离子有机催化剂可有效催化马来酸二酯的异构化以得到富马酸二酯。比较不同的两性离子有机催化剂对反应的性能，发现非经典的氢键参与了迈克尔加合物中间体的稳定化。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.0c02316
• 作为产物：
  描述：

  马来酸酐 、 1-壬醇 在 硫酸 作用下， 反应 16.0h， 以99%的产率得到(Z)-丁-2-烯二酸二壬酯
  参考文献：
  名称：

  两性离子催化的马来酸向富马酸二酯的异构化

  摘要：

  富马酸二酯是有机合成的重要组成部分。发现一类基于酰胺阴离子/亚胺阳离子电荷对的两性离子有机催化剂可有效催化马来酸二酯的异构化以得到富马酸二酯。比较不同的两性离子有机催化剂对反应的性能，发现非经典的氢键参与了迈克尔加合物中间体的稳定化。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.0c02316

文献信息

• [EN] SURFACTANTS<br/>[FR] TENSIOACTIFS
  申请人：AMYRIS INC

  公开号：WO2012103156A1

  公开（公告）日：2012-08-02

  This application relates to derivatives of hydrocarbon terpenes (e.g., myrcene or farnesene), to methods of making the derivatives, and to the use of the derivatives as surfactants.

  这个应用涉及到碳氢化合物萜类化合物（例如，肉豆蔻烯或芬尼烯）的衍生物，制备这些衍生物的方法，以及将这些衍生物用作表面活性剂的用途。
• Novolac resin-containing resist underlayer film-forming composition using bisphenol aldehyde
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10017664B2

  公开（公告）日：2018-07-10

  Resist underlayer film-forming composition for forming resist underlayer film with high dry etching resistance, wiggling resistance and exerts good flattening property and embedding property for uneven parts, including resin obtained by reacting organic compound A including aromatic ring and aldehyde B having at least two aromatic hydrocarbon ring groups having phenolic hydroxy group and having structure wherein the aromatic hydrocarbon ring groups are bonded through tertiary carbon atom. The aldehyde B may be compound of Formula (1): The obtained resin may have a unit structure of Formula (2): Ar1 and Ar2 each are C6-40 aryl group. The organic compound A including aromatic ring may be aromatic amine or phenolic hydroxy group-containing compound. The composition may contain further solvent, acid and/or acid generator, or crosslinking agent. Forming resist pattern used for semiconductor production, including forming resist underlayer film by applying the resist underlayer film-forming composition onto semiconductor substrate and baking it.

  用于形成具有高干法蚀刻抗性、抗扭曲性并具有良好的平整性和嵌入性能的抗蚀底层膜形成组合物，包括通过使含有芳香环的有机化合物A和至少具有两个含酚羟基的芳香烃环团的醛B反应而获得的树脂，并具有芳香烃环团通过三级碳原子键合的结构。醛B可以是化合物的化学式（1）： 所得的树脂可能具有化学式（2）的单元结构： Ar1和Ar2各自是C6-40芳基团。含有芳香环的有机化合物A可能是芳香胺或含酚羟基的化合物。该组合物可能进一步含有溶剂、酸和/或酸发生剂，或交联剂。用于半导体生产的形成抗蚀图案，包括通过将抗蚀底层膜形成组合物涂覆在半导体衬底上并对其进行烘烤来形成抗蚀底层膜。
• RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING SILICON HAVING NITROGEN-CONTAINING RING
  申请人：Nakajima Makoto

  公开号：US20120315765A1

  公开（公告）日：2012-12-13

  There is provided a resist underlayer film forming composition for lithography for forming a resist underlayer film capable of being used as a hardmask. A resist underlayer film forming composition for lithography, includes as a silane compound, a hydrolyzable organosilane, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof, wherein the hydrolyzable organosilane is a hydrolyzable organosilane of Formula (1): R 1 a R 2 b Si(R 3 ) 4−(a+b) Formula (1) wherein R 1 is Formula (2): in which R 4 is an organic group, and R 5 is a C 1-10 alkylene group, a hydroxyalkylene group, a sulfide bond, an ether bond, an ester bond, or a combination thereof, X 1 is Formula (3), Formula (4), or Formula (5): R 2 is an organic group, and R 3 is a hydrolysable group.

  提供了一种用于制备可用作硬面膜的光刻胶底层膜的抗性底层膜形成组合物。一种用于光刻胶底层膜形成的抗性底层膜形成组合物，包括硅烷化合物作为成分，所述硅烷化合物是可水解的有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物，其中所述可水解的有机硅烷是式(1)的可水解的有机硅烷： R1aR2bSi(R3)4−(a+b) 式(1) 其中R1是式(2)： 其中R4是有机基团，R5是C1-10烷基、羟基烷基、硫化键、醚键、酯键或其组合，X1是式(3)、式(4)或式(5)： R2是有机基团，R3是可水解基团。
• OXYGEN SCAVENGERS
  申请人：M&G USA Corporation

  公开号：US20140220281A1

  公开（公告）日：2014-08-07

  Described herein are oxygen scavengers, oxygen scavenging polymeric compositions, and oxygen scavenging articles. The polymeric compositions comprising the oxygen scavengers may have utility in packaging, sealing, wrapping, and storing oxygen-sensitive substances, e.g., to preserve freshness of foods, beverages, and the like.

  本文介绍了氧气清除剂、氧气清除聚合物组合物和氧气清除物品。含氧气清除剂的聚合物组合物可用于包装、封装、包裹和储存对氧气敏感的物质，例如保持食品、饮料等的新鲜度。
• NOVOLAC RESIN-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION USING BISPHENOL ALDEHYDE
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20160068709A1

  公开（公告）日：2016-03-10

  Resist underlayer film-forming composition for forming resist underlayer film with high dry etching resistance, wiggling resistance and exerts good flattening property and embedding property for uneven parts, including resin obtained by reacting organic compound A including aromatic ring and aldehyde B having at least two aromatic hydrocarbon ring groups having phenolic hydroxy group and having structure wherein the aromatic hydrocarbon ring groups are bonded through tertiary carbon atom. The aldehyde B may be compound of Formula (1): The obtained resin may have a unit structure of Formula (2): Ar 1 and Ar 2 each are C 6-40 aryl group. The organic compound A including aromatic ring may be aromatic amine or phenolic hydroxy group-containing compound. The composition may contain further solvent, acid and/or acid generator, or crosslinking agent. Forming resist pattern used for semiconductor production, including forming resist underlayer film by applying the resist underlayer film-forming composition onto semiconductor substrate and baking it.

  高干法蚀刻抗性、抗扭曲性、并对不平整部分表现出良好的平整和嵌入性的抗阻层薄膜形成组合物，包括通过反应含芳香环的有机化合物A和至少有两个芳香族碳环环团且具有酚羟基的醛B所获得的树脂，并具有芳香族碳环环团通过三级碳原子键合的结构。醛B可以是化合物式（1）的化合物：所获得的树脂可以具有式（2）的单元结构：其中Ar1和Ar2各自是C6-40芳基团。含芳香环的有机化合物A可以是芳香胺或含酚羟基的化合物。该组合物还可以含有溶剂、酸和/或酸发生剂，或交联剂。用于半导体生产的形成光刻图形，包括将抗阻层薄膜形成组合物涂覆在半导体基板上并烘烤以形成抗阻层薄膜。

表征谱图