3-trimethylsilylpropyl cyanoacetate | 136529-11-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: 3-trimethylsilylpropyl cyanoacetate
• 英文别名: trimethylsilylpropyl 2-cyanoacetate；3-Trimethylsilylpropyl 2-cyanoacetate
• CAS: 136529-11-8
• 化学式: C₉H₁₇NO₂Si
• 分子量: 199.325
• InChiKey: MMEBDKDKGSRASK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.17
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.78
• 拓扑面积：
  50.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-trimethylsilylpropyl cyanoacetate 在 PRIMENE 81-R iminium-LAS 作用下， 反应 0.02h， 以25%的产率得到3-trimethylsilylpropyl 2-cyanoacrylate
  参考文献：
  名称：

  WO2008/50313

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  3-(三甲硅基)-1-丙醇 、 氰乙酸 在 对甲苯磺酸一水合物 作用下， 以 水 、 甲苯 为溶剂， 生成 3-trimethylsilylpropyl cyanoacetate
  参考文献：
  名称：

  Anionically polymerizable monomers, polymers thereof and use of such

  摘要：

  含有至少一个硅或钛原子的阴离子聚合单体形成具有良好干法蚀刻抗性的聚合光阻，用于微影技术。这些单体的化学式为##STR1##其中A是--H或--CH.dbd.CH.sub.2; X是强电子提取基团; Y是含有至少一个硅或钛原子的强电子提取基团。优选的Y是##STR2##其中n为1-5，R.sup.2、R.sup.3和R.sup.4为C.sub.1-C.sub.10烷基。一种特别优选的单体是3-三甲基硅基丙基2-氰基丙烯酸酯。描述了通过蒸汽沉积这些单体并暴露于辐射下应用光阻涂层的方法。根据所采用的成像方法，可以产生正向或负向图像。成像层可以涂覆在平坦化层上以形成多层光阻。

  公开号：

  US05359101A1

文献信息

• WO2008/50313
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Anionically polymerizable monomers, polymers thereof and use of such
  申请人：Loctite Ireland, Ltd.

  公开号：US05359101A1

  公开（公告）日：1994-10-25

  Anionically polymerizable monomers containing at least one silicon or titanium atom form polymeric photoresists having good dry etch resistance for use in microlithography. The monomers are of the formula ##STR1## wherein A is --H or --CH.dbd.CH.sub.2 ; X is a strong electron withdrawing group; Y is a strong electron withdrawing group containing at least one silicon or titanium atom. Preferably Y is ##STR2## wherein n is 1-5 and R.sup.2, R.sup.3 and R.sup.4 are C.sub.1 -C.sub.10 alkyl. A particularly preferred monomer is 3-trimethylsilylpropyl 2-cyanoacrylate. Methods for applying a resist coating by vapor deposition of these monomers and exposure to radiation are described. A positive or negative tone image can be produced, depending upon the imaging method employed. The imaging layer may be applied over a planarizing layer to form a multilayer photoresist.

  含有至少一个硅或钛原子的阴离子聚合单体形成具有良好干法蚀刻抗性的聚合光阻，用于微影技术。这些单体的化学式为##STR1##其中A是--H或--CH.dbd.CH.sub.2; X是强电子提取基团; Y是含有至少一个硅或钛原子的强电子提取基团。优选的Y是##STR2##其中n为1-5，R.sup.2、R.sup.3和R.sup.4为C.sub.1-C.sub.10烷基。一种特别优选的单体是3-三甲基硅基丙基2-氰基丙烯酸酯。描述了通过蒸汽沉积这些单体并暴露于辐射下应用光阻涂层的方法。根据所采用的成像方法，可以产生正向或负向图像。成像层可以涂覆在平坦化层上以形成多层光阻。