near-infrared (NIR) platform for optical voltage sensing. We developed a new, sulfonated silicon rhodamine fluorophore and integrated it with a phenylenevinylene molecular wire to create a Berkeley Red Sensor of Transmembrane potential, or BeRST 1 ("burst"). BeRST 1 is the first member of a class of far-red to NIR voltage sensitive dyes that make use of a photoinduced electron transfer (PeT) trigger for optical
本文描述了用于光电压传感的光稳定、远红到近红外 (NIR) 平台的设计和合成。我们开发了一种新的磺化
硅罗丹明荧光团,并将其与亚苯基亚
乙烯基分子线集成,以创建跨膜电位的伯克利红传感器,或 BeRST 1(“爆裂”)。BeRST 1 是一类远红到 NIR 电压敏感
染料的第一个成员,该
染料利用光致电子转移 (PeT) 触发器对膜电压进行光学询问。我们表明,BeRST 1 在活细胞中显示出明亮的膜定位荧光,在神经元中具有高光稳定性和出色的电压敏感性。质膜的去极化导致荧光快速增加(每 100 mV 24% ΔF/F)。BeRST 1 可与细胞器、Ca(2+) 指示剂和电压敏感荧光蛋白的荧光染色剂结合使用。此外,与需要蓝光的 ChannelRhodopsin2 (ChR2) 等常用的光遗传致动器相比,BeRST 1 的红移光谱曲线使神经元中的光电生理学成为可能。BeRST 1 的高速、灵敏度、光稳定性