顺式-1,3-二甲基-4-苯基-2-氮杂环丁酮 | 4456-36-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 中文名称: 顺式-1,3-二甲基-4-苯基-2-氮杂环丁酮
• 英文名称: Di(p-methoxyphenyl)tellurium dichloride
• 英文别名: bis(4-methoxyphenyl) tellurium(IV) dichloride；bis-(p-methoxyphenyl) tellurium dichloride；Bis-(p-methoxyphenyl)tellurium dichloride；1-[dichloro-(4-methoxyphenyl)-λ4-tellanyl]-4-methoxybenzene
• CAS: 4456-36-4
• 化学式: C₁₄H₁₄Cl₂O₂Te
• 分子量: 412.77
• InChiKey: JLZFMVZRHPMWQM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.74
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  顺式-1,3-二甲基-4-苯基-2-氮杂环丁酮 在 sodium metabisulfite 作用下， 生成 bis(4-methoxyphenyl)telluride
  参考文献：
  名称：

  某些二芳基二卤化碲的低频红外光谱和拉曼光谱

  摘要：

  建议分配同构系列Ph 2 TeX 2（X = Cl，Br，I）的低频ir和拉曼频带。的强度的共振增强ν 8（特）指出，为X = Br的，I. R的振动光谱2的TeX 2（R = p -甲苯基，ö甲苯基，p -MeOC 6 ħ 4，C 6 ˚F 5 ; X = Cl，Br，I）也被报告，并且建议ν（TeX）的赋值。结论是所有这些化合物都具有ψ-具有轴卤原子的-三角双锥体结构，与芳基环中取代基的性质无关。在所有情况下ν 8（TeCl）在高于频率被指定ν为（TeCl），但对于溴-和碘代化合物的不对称模式在较高频率发生。

  DOI：

  10.1039/dt9720000199
• 作为产物：
  描述：

  bis(4-methoxyphenyl)telluride 在 乙醚 、 氯 作用下， 生成 顺式-1,3-二甲基-4-苯基-2-氮杂环丁酮
  参考文献：
  名称：

  Lederer, Chemische Berichte, 1916, vol. 49, p. 1077

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Diorganotellurium(IV) bis(fluorocarboxylates)
  作者：Sanjay Kumar Srivastava、T.N. Srivastava、Jai Deo Singh、Arun K. Srivastava、P. Kumar

  DOI：10.1016/0022-1139(93)02955-e

  日期：1994.5

  Diorganotellurium(IV) bis(fluorocarboxylates)[R2Te(OCOR')2] [R = Me, Ph,p-MeOC6H4 and p-EtOC6H4; R' = CF3, C2F5, C3F7] have been prepared by the interaction of R2Te(OMe)2 with fluorocarboxylic acids (R'COOH). Identical products were obtained by the metathetical reaction of R2TeCl2 with silver salts of the fluorocarboxylic acids in 1:2 molar ratios. However, when the reaction proceeded in a 1:1 molar ratio, the product

  二有机碲（IV）双（氟代羧酸盐）[R 2 Te（OCOR'）2 ] [R = Me，Ph，p -MeOC 6 H 4和p- EtOC 6 H 4 ; 通过R 2 Te（OMe）2与氟代羧酸（R'COOH）的相互作用制备了R'＝ CF 3，C 2 F 5，C 3 F 7 ] 。通过R 2 TeCl 2的易位反应获得相同的产物与氟羧酸的银盐的摩尔比为1：2。然而，当反应以1：1摩尔比进行时，产物为R 2 TeCl（OCOR'）。然而，R 2 TeO与CF 3 COOH的反应产生了[（R 2 TeOCOCF 3）2 O] 2 ·H 2 O}和[（R 2 TeOCOCF 3）2 O]种类。产品在溶液中为非导电单体。根据理化和光谱（IR，质量，1 H，13 C，19 F和125 Te NMR）研究。
• Reactions of tellurium(IV) chlorides with some organosilicon hydrides
  作者：Raj K. Chadha、John E. Drake、Mary K.H. Neo

  DOI：10.1016/0022-328x(84)80678-6

  日期：1984.12

  The reactions of several organosilicon hydrides PhnSiH4-n, n = 1, 2; R3SiH, R3 = Ph3, Ph2Me, PhMe2 (n-C6H13)3; (p-Me2HSi)2C6H4, with TeCl4 in benzene resulted in the formation of tellurium metal and chlorosilanes in 75–90% yields. Similar reactions with aryltellurium trichlorides (RTeCl3, R = Ph, p-MeOC6H4, p-EtOC6H4) proceeded in two different ways. On stirring at room temperature for 6–8 h, diaryl

  几种有机硅氢化物Ph n SiH 4- n的反应，n = 1，2; R 3 SiH，R 3＝ Ph 3，Ph 2 Me，PhMe 2（nC 6 H 13）3；（p -Me 2 HSi）2 C 6 H 4和苯中的TeCl 4导致碲金属和氯硅烷的形成，产率为75-90％。与三氯化芳基碲（RTeCl 3，R = Ph，p -MeOC 6 H在图4中，p- EtOC 6 H 4）以两种不同方式进行。在室温下搅拌6–8小时，以70–95％的收率获得二芳基二碲化物和氯硅烷，而在回流6–10小时时，以80–95％的收率获得碲粉和二氯二芳基碲化物。二芳基二氯化碲（R 2 TeCl 2，R = Ph，p -MeOC 6 H 4）不易与PhSiH 3或与Ph 3 SiH反应。
• Oxidation process using tellurium oxide catalysts
  申请人：——

  公开号：US04370497A1

  公开（公告）日：1983-01-25

  The present invention relates to the use of telluroxides as mild and selective oxidizing agents serving to oxidize certain functions, notably >C.dbd.S groups, in the presence of other relatively easily oxidized functions which remain unaffected; telluroxides of interest as oxidizing agents include, for example, compounds of the formula: ##STR1## wherein R and R.sup.1, which may be the same or different, each represent an optionally substituted aryl or heterocyclic group; or R and R.sup.1 together with the tellurium atom therebetween represent a heterocyclic ring, which may contain one or more further heteroatoms, and which may carry substituents and/or fused aromatic rings.

  本发明涉及碲氧化物作为温和且选择性的氧化剂的用途，用于氧化特定功能，特别是>C.dbd.S基团，在其他相对容易被氧化的功能存在的情况下保持不受影响；作为氧化剂感兴趣的碲氧化物包括例如下式的化合物：##STR1## 其中R和R.sup.1，可以相同也可以不同，分别代表可选择地取代的芳基或杂环基团；或者R和R.sup.1与其之间的碲原子一起代表一个杂环环，该环可以含有一个或多个进一步的杂原子，并且可以携带取代基和/或融合的芳香环。
• COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN FORMATION METHOD
  申请人：MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.

  公开号：US20200249573A1

  公开（公告）日：2020-08-06

  The present invention provides a composition for resist underlayer film formation comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.

  本发明提供了一种用于抗蚀底层膜形成的组合物，其包括含碲化合物或含碲树脂。
• OPTICAL COMPONENT FORMING COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20200262787A1

  公开（公告）日：2020-08-20

  The present invention provides an optical component forming composition comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.

  本发明提供了一种包括含碲化合物或含碲树脂的光学元件成型组合物。