tin tetradeuteride | 14061-78-0

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: tin tetradeuteride
• 英文别名: stannane-d4；deuterated stannane；Tetradeuteriostannane
• CAS: 14061-78-0
• 化学式: H₄Sn
• 分子量: 126.71
• InChiKey: KXCAEQNNTZANTK-NJJOSUKLSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  1
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tin tetradeuteride 、 germane 在 氢气 作用下， 以 solid 为溶剂， 生成 lambda~2~-Stannane--germane (1/1)
  参考文献：
  名称：

  Tunable band structure in diamond–cubic tin–germanium alloys grown on silicon substrates

  摘要：

  Novel chemical methods based on deuterium-stabilized Sn hydrides and ultra-high-vacuum chemical vapor deposition were used to grow SnxGe1-x alloys directly on silicon. Device-quality, strain-free films with a Sn-fraction as high as x = 0.2 were obtained. The optical properties provide evidence for a well-defined Ge-like band structure. In particular, the direct band gap EO is reduced to a value as low as 0.41 eV for Sn0.14Ge0.86. The growth of these high-optical quality infrared materials creates entirely new opportunities for band gap engineering on Si. (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/s0038-1098(03)00446-0
• 作为产物：
  描述：

  四氯化锡 在 lithium aluminium deuteride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 tin tetradeuteride
  参考文献：
  名称：

  Hasegawa, Akinori; Kaminaka, Shoji; Wakabayashi, Toshio, Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, 1984, p. 1667 - 1674

  摘要：

  DOI：

文献信息

• H₂MBH₂ and M(μ-H)₂BH₂ Molecules Isolated in Solid Argon: Interelement M–B and M–H–B Bonds (M = Ge, Sn)
  作者：Jie Zhao、Helmut Beckers、Tengfei Huang、Xuefeng Wang、Sebastian Riedel

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.7b03109

  日期：2018.2.19

  Laser-ablated boron atoms react with GeH4 molecules to form novel germylidene borane H2GeBH2, which undergoes a photochemical rearrangement to the germanium tetrahydroborate Ge(μ-H)2BH2 upon irradiation with light of λ = 405 nm. For comparison, the boron atom reactions with SnH4 only gave the tin tetrahydroborate Sn(μ-H)2BH2. Infrared matrix-isolation spectroscopy with deuterium substitution and the

  激光烧蚀的硼原子与GeH 4分子反应形成新的亚种基硼烷H 2 GeBH 2，在用λ= 405 nm的光照射时，硼氢化硼会发生光化学重排成四氢硼酸锗Ge（μ-H）2 BH 2。为了进行比较，硼原子与SnH 4反应仅得到四氢硼酸锡Sn（μ-H）2 BH 2。具有氘取代作用的红外矩阵隔离光谱法和最新的量子化学计算方法可用于识别固体氩气中的这些物质。H 2 GeBH 2的平面结构通过量子化学计算可预测具有部分多重键特征（键序= 1.5）的缺电子B-Ge键。在M（μ-H）2 BH 2（M = Ge，Sn）的情况下，两个3c–2e B–H–M氢桥键是通过将B–Hσ键中的电子捐赠给空p-形成的。 M的轨道
• Infrared Spectra of Group 14 Hydrides in Solid Hydrogen:  Experimental Observation of PbH₄, Pb₂H₂, and Pb₂H₄
  作者：Xuefeng Wang、Lester Andrews

  DOI：10.1021/ja029862l

  日期：2003.5.1

  and Pb atoms have been co-deposited with pure hydrogen at 3.5 K to form the group 14 hydrides. The initial SiH(2) product reacts completely to SiH(4), whereas substantial proportions of GeH(2), SnH(2), and PbH(2) are trapped in solid hydrogen. Further hydrogen atom reactions form the trihydride radicals and tetrahydrides of Ge, Sn, and Pb. The observation of PbH(4) at 1815 cm(-)(1) and PbD(4) at 1302

  激光烧蚀的 Si、Ge、Sn 和 Pb 原子与纯氢在 3.5 K 下共沉积，形成 14 族氢化物。最初的 SiH(2) 产品与 SiH(4) 完全反应，而 GeH(2)、SnH(2) 和 PbH(2) 的很大比例被困在固体氢中。进一步的氢原子反应形成 Ge、Sn 和 Pb 的三氢化物自由基和四氢化物。1815 cm(-)(1) 处的 PbH(4) 和 1302 cm(-)(1) 处的 PbD(4) 的观察结果与这些不稳定的甲烷四氢化物类似物的量子化学计算的预测一致。此外，新的吸收被观察到 Pb(2)H(2) 和 Pb(2)H(4)，它们具有基于量子化学计算的双桥结构。
• Next generation of Ge1−ySny (y = 0.01-0.09) alloys grown on Si(100) via Ge3H8 and SnD4: Reaction kinetics and tunable emission
  作者：G. Grzybowski、R. T. Beeler、L. Jiang、D. J. Smith、J. Kouvetakis、J. Menéndez

  DOI：10.1063/1.4745770

  日期：2012.8.13

  the epitaxial synthesis of Ge1−ySny/Si(100) alloys using ultra-high vacuum chemical vapor deposition. The Ge3H8/SnD4 combination yields 3-4 times higher growth rates than the traditional Ge2H6/SnD4 approach, with film Sn/Ge ratios reflecting the corresponding gas-phase stoichiometries much more closely. These advances have led to optical quality Ge1−ySny layers with Sn concentrations up to at least

  薄膜生长和反应动力学研究表明，三锗烷 (Ge3H8) 是使用超高真空化学气相沉积外延合成 Ge1-ySny/Si(100) 合金的优良锗源。 /SnD4 组合产生比传统 Ge2H6/SnD4 方法高 3-4 倍的生长速率，薄膜 Sn/Ge 比率更接近地反映相应的气相化学计量。这些进步导致了光学质量的 Ge1-ySny 层，其 Sn 浓度高达至少 9%，厚度接近 1 μm。发现这些厚膜对于观察预测的直接-间接带隙交叉阈值附近的强、可调光致发光信号至关重要。
• Extended performance GeSn/Si(100) p-i-n photodetectors for full spectral range telecommunication applications
  作者：Jay Mathews、Radek Roucka、Junqi Xie、Shui-Qing Yu、José Menéndez、John Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.3238327

  日期：2009.9.28

  First-generation n-i-GeSn/p-Si(100) photodiode detectors with Ge0.98Sn0.02 active layers were fabricated under complementary metal oxide semiconductor compatible conditions. It is found that, even at this low Sn concentration, the detector quantum efficiencies are higher than those in comparable pure-Ge device designs processed at low temperature. Most significantly, the spectral range of the GeSn device responsivity

  在互补金属氧化物半导体兼容条件下制造了具有 Ge0.98Sn0.02 有源层的第一代 ni-GeSn/p-Si(100) 光电二极管探测器。发现，即使在这种低 Sn 浓度下，探测器量子效率也高于在低温下处理的类似纯 Ge 器件设计中的量子效率。最重要的是，GeSn 器件响应度的光谱范围显着增加 - 至少达到 1750 nm - 远超过 Ge 的直接带隙（1550 nm）。这允许完全使用第 IV 族材料覆盖所有电信频段。
• Synthesis of Silicon-Based Infrared Semiconductors in the Ge−Sn System Using Molecular Chemistry Methods
  作者：Jennifer Taraci、S. Zollner、M. R. McCartney、Jose Menendez、M. A. Santana-Aranda、D. J. Smith、Arne Haaland、Andrey V. Tutukin、Grete Gundersen、G. Wolf、J. Kouvetakis

  DOI：10.1021/ja0115058

  日期：2001.11.1

  deuterium-stabilized Sn hydride [(Ph)SnD(3)] with Ge(2)H(6) produce a new family of Ge-Sn semiconductors with tunable band gaps and potential applications in high-speed, high-efficiency infrared optoelectronics. Metastable diamond-cubic films of Ge(1-x)Sn(x) alloys are created by chemical vapor deposition at 350 degrees C on Si(100). These exhibit unprecedented thermal stability and superior crystallinity despite the

  基于新开发的氘稳定氢化锡 [(Ph)SnD(3)] 和 Ge(2)H(6) 的生长反应产生了一系列新的 Ge-Sn 半导体，具有可调带隙和高速潜在应用, 高效红外光电。Ge(1-x)Sn(x) 合金的亚稳态金刚石-立方薄膜是通过化学气相沉积在 350 摄氏度的 Si(100) 上创建的。尽管组成材料之间存在 17% 的晶格失配，但它们仍表现出前所未有的热稳定性和优异的结晶度。这些材料的组成、晶体结构、电子结构和光学特性通过卢瑟福背散射、高分辨率电子显微镜和 X 射线衍射以及拉曼、红外和光谱椭偏仪进行表征。电子衍射揭示了单晶和完美的外延层，其晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 之间。theta-2theta 模式下的 X 射线衍射显示出与随机合金相对应的明确定义的峰，(004) 反射的面内摇摆扫描证实了晶体镶嵌的紧密排列的扩展。包括角扫描在内的 RBS 离子通道证实 Sn 占据替代晶格位置，并且还提供了元素随着