lambda~2~-Stannane--germane (1/1) | 12025-37-5

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: lambda~2~-Stannane--germane (1/1)
• 英文别名: germane;λ2-stannane
• CAS: 12025-37-5
• 化学式: Ge₀Sn₀
• 分子量: 73.5124
• InChiKey: BTLROKXAKKAMNQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.37
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  镍 、 lambda~2~-Stannane--germane (1/1) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tin 、 nickel germanide
  参考文献：
  名称：

  Demeulemeester, J.; Schrauwen, A.; Nakatsuka, O., Applied Physics Letters, p. 1 - 3

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  二锗烷 、 苯基锡烷-d3 在 Si 、 H₂ 作用下， 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 lambda~2~-Stannane--germane (1/1)
  参考文献：
  名称：

  使用分子化学方法在 Ge-Sn 系统中合成硅基红外半导体

  摘要：

  基于新开发的氘稳定氢化锡 [(Ph)SnD(3)] 和 Ge(2)H(6) 的生长反应产生了一系列新的 Ge-Sn 半导体，具有可调带隙和高速潜在应用, 高效红外光电。Ge(1-x)Sn(x) 合金的亚稳态金刚石-立方薄膜是通过化学气相沉积在 350 摄氏度的 Si(100) 上创建的。尽管组成材料之间存在 17% 的晶格失配，但它们仍表现出前所未有的热稳定性和优异的结晶度。这些材料的组成、晶体结构、电子结构和光学特性通过卢瑟福背散射、高分辨率电子显微镜和 X 射线衍射以及拉曼、红外和光谱椭偏仪进行表征。电子衍射揭示了单晶和完美的外延层，其晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 之间。theta-2theta 模式下的 X 射线衍射显示出与随机合金相对应的明确定义的峰，(004) 反射的面内摇摆扫描证实了晶体镶嵌的紧密排列的扩展。包括角扫描在内的 RBS 离子通道证实 Sn 占据替代晶格位置，并且还提供了元素随着

  DOI：

  10.1021/ja0115058

文献信息

• Next generation of Ge1−ySny (y = 0.01-0.09) alloys grown on Si(100) via Ge3H8 and SnD4: Reaction kinetics and tunable emission
  作者：G. Grzybowski、R. T. Beeler、L. Jiang、D. J. Smith、J. Kouvetakis、J. Menéndez

  DOI：10.1063/1.4745770

  日期：2012.8.13

  the epitaxial synthesis of Ge1−ySny/Si(100) alloys using ultra-high vacuum chemical vapor deposition. The Ge3H8/SnD4 combination yields 3-4 times higher growth rates than the traditional Ge2H6/SnD4 approach, with film Sn/Ge ratios reflecting the corresponding gas-phase stoichiometries much more closely. These advances have led to optical quality Ge1−ySny layers with Sn concentrations up to at least

  薄膜生长和反应动力学研究表明，三锗烷 (Ge3H8) 是使用超高真空化学气相沉积外延合成 Ge1-ySny/Si(100) 合金的优良锗源。 /SnD4 组合产生比传统 Ge2H6/SnD4 方法高 3-4 倍的生长速率，薄膜 Sn/Ge 比率更接近地反映相应的气相化学计量。这些进步导致了光学质量的 Ge1-ySny 层，其 Sn 浓度高达至少 9%，厚度接近 1 μm。发现这些厚膜对于观察预测的直接-间接带隙交叉阈值附近的强、可调光致发光信号至关重要。
• Extended performance GeSn/Si(100) p-i-n photodetectors for full spectral range telecommunication applications
  作者：Jay Mathews、Radek Roucka、Junqi Xie、Shui-Qing Yu、José Menéndez、John Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.3238327

  日期：2009.9.28

  First-generation n-i-GeSn/p-Si(100) photodiode detectors with Ge0.98Sn0.02 active layers were fabricated under complementary metal oxide semiconductor compatible conditions. It is found that, even at this low Sn concentration, the detector quantum efficiencies are higher than those in comparable pure-Ge device designs processed at low temperature. Most significantly, the spectral range of the GeSn device responsivity

  在互补金属氧化物半导体兼容条件下制造了具有 Ge0.98Sn0.02 有源层的第一代 ni-GeSn/p-Si(100) 光电二极管探测器。发现，即使在这种低 Sn 浓度下，探测器量子效率也高于在低温下处理的类似纯 Ge 器件设计中的量子效率。最重要的是，GeSn 器件响应度的光谱范围显着增加 - 至少达到 1750 nm - 远超过 Ge 的直接带隙（1550 nm）。这允许完全使用第 IV 族材料覆盖所有电信频段。
• Simple chemical routes to diamond-cubic germanium–tin alloys
  作者：Jennifer Taraci、John Tolle、J. Kouvetakis、M. R. McCartney、David J. Smith、J. Menendez、M. A. Santana

  DOI：10.1063/1.1376156

  日期：2001.6.4

  We report the development of a simple chemical route to growing Ge1−xSnx semiconductors using ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition and the molecular precursor (Ph)SnD3 as the source of Sn atoms. Thin films were deposited on oxidized and oxide-free Si by reactions of (Ph)SnD3 with Ge2H6 at 350 °C. The composition, microstructure, and bonding properties of the films were characterized by Rutherford

  我们报告了使用超高真空化学气相沉积和分子前体 (Ph)SnD3 作为 Sn 原子源来生长 Ge1-xSnx 半导体的简单化学途径的发展。通过 (Ph)SnD3 与 Ge2H6 在 350°C 下的反应，在氧化和无氧化物的 Si 上沉积薄膜。通过卢瑟福背向散射、高分辨率分析电子显微镜和拉曼光谱对薄膜的组成、微观结构和粘合性能进行了表征。氧化硅上沉积的 Ge1-xSnx 显示出良好的结晶度，通过在 400°C 下退火可显着提高结晶度。高分辨率电子显微镜和衍射表明金刚石立方结构的晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 的晶格常数之间。在纯 Si 上沉积的 Ge1-xSnx 是单晶和外延的。平面图和横截面的纳米探针分析表明，沉积态和退火态的材料均质，具有良好的化学纯度。拉曼光谱显示的波段对应...
• Ge–Sn semiconductors for band-gap and lattice engineering
  作者：M. Bauer、J. Taraci、J. Tolle、A. V. G. Chizmeshya、S. Zollner、David J. Smith、J. Menendez、Changwu Hu、J. Kouvetakis

  DOI：10.1063/1.1515133

  日期：2002.10.14

  semiconductors in the Ge1−xSnx system. Deuterium-stabilized Sn hydrides provide a low-temperature route to a broad range of highly metastable compositions and structures. Perfectly epitaxial diamond-cubic Ge1−xSnx alloys are grown directly on Si(100) and exhibit high thermal stability, superior crystallinity, and crystallographic and optical properties, such as adjustable band gaps and lattice constants

  我们描述了 Ge1-xSnx 系统中的一类硅基半导体。氘稳定的 Sn 氢化物为各种高度亚稳态的成分和结构提供了低温途径。完美外延的金刚石-立方 Ge1-xSnx 合金直接在 Si(100) 上生长，并表现出高热稳定性、优异的结晶度以及晶体学和光学特性，例如可调节带隙和晶格常数。这些特性完全由卢瑟福背散射、低能二次离子质谱、高分辨率透射电子显微镜、X 射线衍射（摇摆曲线）以及红外和拉曼光谱以及光谱椭偏仪表征。从头算密度泛函理论模拟也用于阐明结构和光谱行为。
• Direct-gap photoluminescence with tunable emission wavelength in Ge1−ySny alloys on silicon
  作者：J. Mathews、R. T. Beeler、J. Tolle、C. Xu、R. Roucka、J. Kouvetakis、J. Menéndez

  DOI：10.1063/1.3521391

  日期：2010.11.29

  Direct-gap photoluminescence has been observed at room temperature in Ge1−ySny alloys grown on (001) Si substrates. The emission wavelength is tunable over a 90 meV (200 nm) range by increasing the Sn concentration from y=0 to y=0.03. A weaker feature at lower energy is assigned to the indirect gap transitions, and the separation between the direct and indirect emission peaks is found to decrease as

  在室温下在 (001) Si 衬底上生长的 Ge1-ySny 合金中观察到直接间隙光致发光。通过将 Sn 浓度从 y=0 增加到 y=0.03，发射波长可在 90 meV (200 nm) 范围内进行调谐。较低能量下较弱的特征被分配给间接间隙跃迁，并且发现直接和间接发射峰之间的分离作为 y 的函数减小，正如这些合金所预期的那样。这些结果表明 Ge1-ySny 合金代表了一种有吸引力的 Ge 替代品，用于在 Si 上制造激光器件。