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2,2-dimethyl-5-(4-vinylbenzyl)-1,3-dioxane-4,6-dione | 324740-11-6

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,2-dimethyl-5-(4-vinylbenzyl)-1,3-dioxane-4,6-dione
英文别名
5-[(4-ethenylphenyl)methyl]-2,2-dimethyl-1,3-dioxane-4,6-dione
2,2-dimethyl-5-(4-vinylbenzyl)-1,3-dioxane-4,6-dione化学式
CAS
324740-11-6
化学式
C15H16O4
mdl
——
分子量
260.29
InChiKey
FDJBIJOPONZSBW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.4
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.33
  • 拓扑面积:
    52.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量
  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    迈向环保型光刻材料:一类新型的水溶性光刻胶
    摘要:
    合成了具有两个官能团的新的水溶性苯乙烯聚合物,丙二酸半酯的侧挂侧铵盐和酸不稳定的烷基酯,并对其进行水溶性正型光刻胶的应用进行了评估。这些聚合物具有两个溶解度开关:通过烘烤使整个薄膜不溶解和在暴露于紫外线下选择性溶解。烘焙膜的时间分辨FT-IR测量表明,氨从膜上依次蒸发,丙二酸酯半酯脱羧。脱羧速率取决于丙二酸酯2位上取代基的结构。酸不稳定酯的选择,半酯的结构和聚合物组成均经过仔细优化,
    DOI:
    10.1021/ma034461r
  • 作为产物:
    描述:
    4-乙烯基苯甲醛哌啶 、 sodium tetrahydroborate 、 溶剂黄146 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 反应 0.17h, 生成 2,2-dimethyl-5-(4-vinylbenzyl)-1,3-dioxane-4,6-dione
    参考文献:
    名称:
    迈向环保型光刻材料:一类新型的水溶性光刻胶
    摘要:
    合成了具有两个官能团的新的水溶性苯乙烯聚合物,丙二酸半酯的侧挂侧铵盐和酸不稳定的烷基酯,并对其进行水溶性正型光刻胶的应用进行了评估。这些聚合物具有两个溶解度开关:通过烘烤使整个薄膜不溶解和在暴露于紫外线下选择性溶解。烘焙膜的时间分辨FT-IR测量表明,氨从膜上依次蒸发,丙二酸酯半酯脱羧。脱羧速率取决于丙二酸酯2位上取代基的结构。酸不稳定酯的选择,半酯的结构和聚合物组成均经过仔细优化,
    DOI:
    10.1021/ma034461r
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文献信息

  • LOW OUTGASSING PHOTORESIST COMPOSITIONS
    申请人:DiPietro Richard A.
    公开号:US20100062368A1
    公开(公告)日:2010-03-11
    Polymers for use in photoresist compositions include a repeat unit having a formula of: wherein Z represents a repeat unit of a polymer backbone; X is a linking group selected from the group consisting of alkylene, arylene, araalkylene, carbonyl, carboxyl, carboxyalkylene, oxy, oxyalkylene, and combinations thereof, and R is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, aryl, and cycloalkyl groups with the proviso that X and R are not part of the same ring system. Also disclosed are processes for patterning a relief image of the photoresist composition, wherein the photoresist composition has an outgassing rate of less than 6.5E+14 molecules/cm 2 /s.
    用于光阻组合物的聚合物包括具有以下公式的重复单元:其中Z表示聚合物骨架的重复单元;X是从烷基,芳基,芳基烷基,羰基,羧基,羧基烷基,氧,氧烷基和它们的组合中选择的连接基团,而R是从氢,烷基,芳基和环烷基群中选择的,但X和R不是同一环系统的一部分。还公开了用于形成光阻组合物的浮雕图像的工艺,其中光阻组合物的放气速率小于6.5E + 14分子/厘米2/秒。
  • Low outgassing photoresist compositions
    申请人:International Business Machines Corporation
    公开号:US07951525B2
    公开(公告)日:2011-05-31
    Polymers for use in photoresist compositions include a repeat unit having a formula of: wherein Z represents a repeat unit of a polymer backbone; X is a linking group selected from the group consisting of alkylene, arylene, araalkylene, carbonyl, carboxyl, carboxyalkylene, oxy, oxyalkylene, and combinations thereof, and R is selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, aryl, and cycloalkyl groups with the proviso that X and R are not part of the same ring system. Also disclosed are processes for patterning a relief image of the photoresist composition, wherein the photoresist composition has an outgassing rate of less than 6.5E+14 molecules/cm2/s.
    用于光阻组成的聚合物包括具有以下公式的重复单元:其中Z表示聚合物主链的重复单元;X是从烷基,芳基,芳基烷基,羰基,羧基,羧基烷基,氧,氧烷基和它们的组合中选择的连接基团,R选择自氢,烷基,芳基和环烷基组成的群体,前提是X和R不是同一环系统的一部分。还公开了用于图案化光阻组成的浮雕图像的过程,其中光阻组成具有小于6.5E+14分子/平方厘米/秒的放气速率。
  • WATER-PROCESSABLE PHOTORESIST COMPOSITIONS
    申请人:Board of Regents,The University of Texas System
    公开号:EP1240552A1
    公开(公告)日:2002-09-18
  • EP1240552A4
    申请人:——
    公开号:EP1240552A4
    公开(公告)日:2007-10-17
  • US6399273B1
    申请人:——
    公开号:US6399273B1
    公开(公告)日:2002-06-04
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