2,6-dibromo-4,8-dihexylbenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene | 937028-39-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 2,6-dibromo-4,8-dihexylbenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
• 英文别名: 2,6-dibromo-4,8-dihexylthieno[2,3-f][1]benzothiole
• CAS: 937028-39-2
• 化学式: C₂₂H₂₈Br₂S₂
• 分子量: 516.404
• InChiKey: AWYXKECIKVHBKM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.9
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.55
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-己基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)噻吩 、 2,6-dibromo-4,8-dihexylbenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene 在 tetrakis(triphenylphosphine palladium⁽⁰⁾) sodium carbonate 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 26.0h， 以49%的产率得到4,8-dihexyl-2,6-bis(3-hexylthiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
  参考文献：
  名称：

  用于薄膜晶体管的低温、溶液处理、高迁移率聚合物半导体

  摘要：

  聚(4,8-二烷基-2,6-双(3-烷基噻吩-2-基)苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩) 1 代表了一类新的聚合物半导体当用作薄膜晶体管中的溶液处理薄膜半导体时，无需热退火即可组装成更高的结构级，并提供出色的场效应晶体管性能，迁移率高达 0.25 cm2 V-1 s-1。

  DOI：

  10.1021/ja067879o
• 作为产物：
  描述：

  苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-4,8-二酮 在 palladium on activated charcoal N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 氢气 、 异丙基氯化镁 、 溶剂黄146 作用下， 以 四氢呋喃 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 51.58h， 生成 2,6-dibromo-4,8-dihexylbenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
  参考文献：
  名称：

  用于薄膜晶体管的低温、溶液处理、高迁移率聚合物半导体

  摘要：

  聚(4,8-二烷基-2,6-双(3-烷基噻吩-2-基)苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩) 1 代表了一类新的聚合物半导体当用作薄膜晶体管中的溶液处理薄膜半导体时，无需热退火即可组装成更高的结构级，并提供出色的场效应晶体管性能，迁移率高达 0.25 cm2 V-1 s-1。

  DOI：

  10.1021/ja067879o

文献信息

• Electronic devices
  申请人：Ong Beng S.

  公开号：US20080102559A1

  公开（公告）日：2008-05-01

  An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of Formula/Structure wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

  一种电子设备，例如含有Formula/Structure中的半导体的薄膜晶体管，其中R、R'和R''，例如独立地是氢、适当的碳氢化合物、适当的含杂原子基团、卤素或其混合物；n代表重复单元的数量。
• Poly(dithienylbenzo[1,2-B:4,5-B']dithiophene) polymers
  申请人：Ong Beng S.

  公开号：US20080103286A1

  公开（公告）日：2008-05-01

  A polymer of the formula/structure wherein R, R′, and R″ are, for example, a suitable hydrocarbon, a halogen (halide) a hetero-containing group, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating groups.

  一种聚合物的化学式/结构，其中R、R'和R''可以是适当的碳氢化合物、卤素（卤化物）、含杂原子的基团或其混合物；n代表重复单元的数量。
• ELECTRONIC DEVICES
  申请人：Ong Beng S.

  公开号：US20110034668A1

  公开（公告）日：2011-02-10

  An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

  一种电子设备，例如包含公式中的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R''可以独立地是氢，适当的碳氢化合物，适当的杂原子含量基团，卤素或其混合物；n代表重复单元的数量。
• Electronic devices comprising poly(dithienyl-benzodithiophenes) as semiconductors
  申请人：Xerox Corporation

  公开号：EP1916250B1

  公开（公告）日：2011-01-05
• US7820782B2
  申请人：——

  公开号：US7820782B2

  公开（公告）日：2010-10-26