Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same
申请人:Facchetti Antonio
公开号:US20080177073A1
公开(公告)日:2008-07-24
The present teachings provide compounds of formulae I and II:
where Q, R
a
, R
1
, W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.
[EN] METHODS FOR PREPARING ARENE-BIS(DICARBOXIMIDE)-BASED SEMICONDUCTING MATERIALS AND RELATED INTERMEDIATES FOR PREPARING SAME<br/>[FR] PROCÉDÉS POUR PRÉPARER DES MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS À BASE D'ARENE-BIS(DICARBOXIMIDE) ET INTERMÉDIAIRES POUR PRÉPARER LESDITS MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
申请人:POLYERA CORP
公开号:WO2008085942A2
公开(公告)日:2008-07-17
[EN] The present teachings provide compounds of formulae I and H: where Q, Ra, R1, W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices. [FR] L'invention concerne des composés représentés par les formules I et H dans lesquelles Q, Ra, R1, W et n sont tels que définis dans les spécifications. L'invention concerne également des procédés pour préparer des composés représentés par les formules I et II, notamment des procédés pour préparer des composés représentés par la formule II à partir de composés représentés par la formule I. Les composés précités peuvent être utilisés pour préparer des matériaux semi-conducteurs et des composites et des dispositifs électroniques correspondants.