propane-2,2-diylbis(4,1-phenylene) dimethanesulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: propane-2,2-diylbis(4,1-phenylene) dimethanesulfonate
• 英文别名: 2,2-Bis-(4-methylsulphonyloxy-phenyl)-propane；2,2-bis(4-methylsulfonyloxyphenyl)propane；[4-[2-(4-methylsulfonyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] methanesulfonate
• 化学式: C₁₇H₂₀O₆S₂
• 分子量: 384.474
• InChiKey: HKTHUQUSMNQOQO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  104
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  propane-2,2-diylbis(4,1-phenylene) dimethanesulfonate 在 乌洛托品 、 palladium on activated charcoal 、 氢气 、 三乙胺 、 三氟乙酸 作用下， 以 乙酸乙酯 为溶剂， 80.0~100.0 ℃ 、310.27 kPa 条件下， 反应 64.0h， 生成 4-(1-methyl-1-phenylethyl)benzaldehyde
  参考文献：
  名称：

  [EN] OXACAZONE COMPOUNDS TO TREAT CLOSTRIDIUM DIFFICILE
  [FR] COMPOSÉS D'OXACAZONE POUR TRAITER CLOSTRIDIUM DIFFICILE

  摘要：

  提供用于治疗C. difficile的化合物、组合物和方法。

  公开号：

  WO2016019588A1
• 作为产物：
  描述：

  双酚A 、 甲基磺酰氯 在 三乙胺 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 propane-2,2-diylbis(4,1-phenylene) dimethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Process for the preparation of aromatic dicarboxylic acids and aromatic

  摘要：

  公式为##STR1##的芳香二羧酸，其中R.sup.1、R.sup.2、m、n和X的含义如描述中所述，可以从基于公式为##STR2##的双酚制备而来，如果首先将双酚反应以得到双磺酸酯，然后用H.sub.2催化地去除磺酸基团，以已知方法将获得的烃进行双酰化，然后将酰基氧化为羧基。用这种方法可以制备许多新的芳香二羧酸。

  公开号：

  US05183926A1

文献信息

• Process for the preparation of aromatic dicarboxylic acids and aromatic
  申请人：Bayer Aktiengesellschaft

  公开号：US05183926A1

  公开（公告）日：1993-02-02

  Aromatic dicarboxylic acids of the formula ##STR1## in which R.sup.1, R.sup.2, m, n, and X have the meaning mentioned in the description, can be prepared from the bisphenols, on which they are based, of the formula ##STR2## if the bisphenols are first reacted to give the bissulphonates, the sulphonate groups are removed catalytically with H.sub.2 and the hydrocarbons obtained in this way are doubly acylated in a known manner and the acyl groups are oxidized to the carboxyl groups. Many of the aromatic dicarboxylic acids which can be prepared in this way are new.

  公式为##STR1##的芳香二羧酸，其中R.sup.1、R.sup.2、m、n和X的含义如描述中所述，可以从基于公式为##STR2##的双酚制备而来，如果首先将双酚反应以得到双磺酸酯，然后用H.sub.2催化地去除磺酸基团，以已知方法将获得的烃进行双酰化，然后将酰基氧化为羧基。用这种方法可以制备许多新的芳香二羧酸。
• Composition for film formation and material for insulating film formation
  申请人：JSR CORPORATION

  公开号：US20020172652A1

  公开（公告）日：2002-11-21

  A composition for film formation capable of forming a coating film excellent in low dielectric constant characteristics, cracking resistance, modulus of elasticity, and adhesion to substrates and useful as an interlayer insulating film material in semiconductor devices, etc. The composition for film formation contains (A) at least one member selected from an aromatic polyarylene and an aromatic poly (arylene ether), (B) a polyvinylsiloxane, and (C) an organic solvent.

  一种用于制备薄膜的组合物，能够形成具有低介电常数特性、抗开裂性、弹性模量和对基底的附着力优异的涂层膜，并可用作半导体器件中的层间绝缘膜材料等。该制膜组合物包含（A）至少一种选自芳香族聚芳烃和芳香族聚（芳烃醚）的成员，（B）聚乙烯基硅氧烷和（C）有机溶剂。
• Verfahren zur Herstellung von aromatischen Dicarbonsäuren und neue aromatische Dicarbonsäuren
  申请人：BAYER AG

  公开号：EP0414062A2

  公开（公告）日：1991-02-27

  Aromatische Dicarbonsäuren der Formel in der R¹, R², m, n und X die in der Beschreibung genannte Bedeutung haben, können aus den zugrunde liegenden Bisphenolen der For­mel hergestellt werden, wenn man die Bisphenole zunächst zu den Bissulfonaten umsetzt, die Sulfonatgruppen kataly­tisch mit H₂ entfernt und die dabei erhaltenen Kohlen­wasserstoffe in bekannter Weise zweifach acyliert und die Acylgruppen zu den Carboxylgruppen oxidiert. Viele der so herstellbaren aromatischen Dicarbonsäuren sind neu.

  式中的芳香族二羧酸 其中 R¹、R²、m、n 和 X 具有说明中给出的含义、 可由式中的基础双酚制备 如果首先将双酚转化为双磺酸盐，然后用 H₂ 催化去除磺酸盐基团，再用已知的方法将生成的烃酰化两次，然后将酰基氧化为羧基。 用这种方法可以生产出许多新的芳香族二羧酸。
• LAMINATE AND METHOD FOR FORMATION THEREOF, INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITION FOR FORMING FILM
  申请人：JSR Corporation

  公开号：EP1679184A1

  公开（公告）日：2006-07-12

  A laminate having a low relative dielectric constant and exhibiting excellent adhesion, a method of forming the laminate, an insulating film, a semiconductor device, and a film-forming composition are provided. A laminate according to the invention includes: a first silica-based film; a second silica-based film; and an organic film, wherein the second silica-based film includes a monovalent organic group containing a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond. A method of forming a laminate according to the invention includes: forming a first coating for a first silica-based film on a substrate; forming a second coating for a second silica-based film on the first coating, the second coating including a monovalent organic group containing a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond; forming a third coating for an organic film on the second coating; and curing a multilayer film including the first to third coatings.

  本发明提供了一种具有低相对介电常数并表现出优异附着力的层压板、一种形成该层压板的方法、一种绝缘膜、一种半导体器件和一种成膜组合物。 根据本发明的层压板包括：第一硅基薄膜；第二硅基薄膜；以及有机薄膜，其中第二硅基薄膜包括含有碳碳双键或碳碳三键的一价有机基团。 根据本发明形成层压板的方法包括：在基底上形成第一硅基薄膜的第一涂层；在第一涂层上形成第二硅基薄膜的第二涂层，第二涂层包括含有碳碳双键或碳碳三键的一价有机基团；在第二涂层上形成有机薄膜的第三涂层；以及固化包括第一至第三涂层的多层薄膜。
• INSULATING FILM, METHOD FOR FORMING SAME AND COMPOSITION FOR FORMING FILM
  申请人：JSR Corporation

  公开号：EP1696478A1

  公开（公告）日：2006-08-30

  The invention provides a method of forming an insulating film which exhibits resistance against processing such as RIE used when forming a dual-damascene structure while maintaining a low relative dielectric constant of a polysiloxane insulating film. A polysiloxane insulating film is formed on a substrate by hydrolysis and condensation of a silane compound. A solution obtained by dissolving a polycarbosilane compound shown by the following general formula in a solvent is applied to the polysiloxane insulating film, and the resulting coating is heated to form a polycarbosilane insulating film. An organic insulating film is then formed on the polycarbosilane insulating film.

  本发明提供了一种形成绝缘膜的方法，这种绝缘膜既能抵抗在形成双大马士革结构时使用的 RIE 等加工，又能保持聚硅氧烷绝缘膜较低的相对介电常数。聚硅氧烷绝缘膜是通过硅烷化合物的水解和缩合作用在基材上形成的。将下表通式所示的聚碳硅烷化合物溶解在溶剂中得到的溶液涂抹在聚硅氧烷绝缘膜上，然后加热涂层，形成聚碳硅烷绝缘膜。 然后在聚碳硅烷绝缘膜上形成有机绝缘膜。