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bis(4-(methylthio)phenyl)dimethylsilane

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis(4-(methylthio)phenyl)dimethylsilane
英文别名
dimethyldi(4-(methylthio)phenyl)silane;Dimethyl-bis(4-methylsulfanylphenyl)silane;dimethyl-bis(4-methylsulfanylphenyl)silane
bis(4-(methylthio)phenyl)dimethylsilane化学式
CAS
——
化学式
C16H20S2Si
mdl
——
分子量
304.552
InChiKey
GSGYLNQIHYIUOL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.95
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.25
  • 拓扑面积:
    50.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    bis(4-(methylthio)phenyl)dimethylsilane双氧水溶剂黄146 作用下, 以 溶剂黄146 为溶剂, 反应 480.0h, 以66%的产率得到dimethyldi<4-(methylsulfonyl)phenyl>silane
    参考文献:
    名称:
    在4-单-和4,4'-二取代的二苯基二甲基硅烷中通过SiMe 2间隔基传输电子效应:29 Si和13 C NMR光谱和PM3半经验计算
    摘要:
    对一系列4-取代的苯基三甲基硅烷和4-取代的和4,4'-二取代的二苯基二甲基硅烷进行了约29 Si和13 C NMR研究。在每个系列的线性关系被化学位移和(a)的哈米特取代基常数之间发现σ p和(b)的PM3计算总原子电荷。据推断,所述森达2 σ型分隔弱介导通过键偏振机构处于基态的取代基的影响。与4-取代的和4,4'-二取代的二苯基甲烷的可用数据进行的比较表明,SiMe 2基团比CH 2基团更好地传递电子效应。
    DOI:
    10.1016/0022-328x(95)05473-3
  • 作为产物:
    描述:
    4-溴茴香硫醚二氯二甲基硅烷正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃正己烷 为溶剂, 反应 2.25h, 以60%的产率得到bis(4-(methylthio)phenyl)dimethylsilane
    参考文献:
    名称:
    导电分子硅
    摘要:
    体硅是信息技术的基石,它由看似简单的 Si-Si σ 键电子结构组成。金刚石具有与硅相同的晶格结构,但这两种材料具有截然不同的电子特性。在这里,我们报告了一类分子低聚硅烷的具体合成和电学表征,这些分子含有强相互作用的 Si-Si σ 键,这是大块半导体的基本成分。我们使用基于扫描隧道显微镜的断裂连接技术来比较这些低聚硅烷与烷烃的单分子电导率。我们发现分子电导随着链长的增加呈指数下降,衰减常数 β = 0.27 ± 0.01 Å(-1),与 C=C π 键的共轭链相当。
    DOI:
    10.1021/ja211677q
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文献信息

  • Transmission of electronic effects via a SiMe2 spacer in 4-mono- and 4,4′-disubstituted diphenyldimethylsilanes: 29Si and 13C NMR spectroscopy and PM3 semi-empirical calculations
    作者:Cornelis A. van Walree、Xavier Y. Lauteslager、Andreas M.A. van Wageningen、Jan W. Zwikker、Leonardus W. Jenneskens
    DOI:10.1016/0022-328x(95)05473-3
    日期:1995.6
    13C NMR studies were performed on series of 4-substituted phenyltrimethylsilanes and 4-substituted and 4,4′-disubstituted diphenyldimethylsilanes. Within each series linear relationships are found between the chemical shifts and (a) the Hammett substituent constants σp and (b) the PM3-calculated total atomic charges. It is inferred that the SiMe2 σ-type spacer weakly mediates substituent effects in
    对一系列4-取代的苯基三甲基硅烷和4-取代的和4,4'-二取代的二苯基二甲基硅烷进行了约29 Si和13 C NMR研究。在每个系列的线性关系被化学位移和(a)的哈米特取代基常数之间发现σ p和(b)的PM3计算总原子电荷。据推断,所述森达2 σ型分隔弱介导通过键偏振机构处于基态的取代基的影响。与4-取代的和4,4'-二取代的二苯基甲烷的可用数据进行的比较表明,SiMe 2基团比CH 2基团更好地传递电子效应。
  • Conductive Molecular Silicon
    作者:Rebekka S. Klausen、Jonathan R. Widawsky、Michael L. Steigerwald、Latha Venkataraman、Colin Nuckolls
    DOI:10.1021/ja211677q
    日期:2012.3.14
    Bulk silicon, the bedrock of information technology, consists of the deceptively simple electronic structure of just Si-Si σ bonds. Diamond has the same lattice structure as silicon, yet the two materials have dramatically different electronic properties. Here we report the specific synthesis and electrical characterization of a class of molecules, oligosilanes, that contain strongly interacting Si-Si
    体硅是信息技术的基石,它由看似简单的 Si-Si σ 键电子结构组成。金刚石具有与硅相同的晶格结构,但这两种材料具有截然不同的电子特性。在这里,我们报告了一类分子低聚硅烷的具体合成和电学表征,这些分子含有强相互作用的 Si-Si σ 键,这是大块半导体的基本成分。我们使用基于扫描隧道显微镜的断裂连接技术来比较这些低聚硅烷与烷烃的单分子电导率。我们发现分子电导随着链长的增加呈指数下降,衰减常数 β = 0.27 ± 0.01 Å(-1),与 C=C π 键的共轭链相当。
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