Sn(O^sBu)2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机氧化物
• 英文名称: Sn(O^sBu)2
• 英文别名: Sn(OCHMeEt)2
• 化学式: 2C₄H₉O*Sn
• 分子量: 264.94
• InChiKey: MIMJZUOJKNIJBZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.24
• 重原子数：
  6.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  23.06
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  bis(bis(trimethylsilyl)amido)tin(II) 、 仲丁醇 以 正己烷 为溶剂， 以70%的产率得到Sn(O^sBu)2
  参考文献：
  名称：

  [EN] ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD OF METAL (II), (0), OR (IV) CONTAINING FILM LAYER
  [FR] PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE D'UNE COUCHE DE FILM CONTENANT UN MÉTAL (II), (0), OU (IV)

  摘要：

  本发明涉及使用式（I）的M（II）主要前体，其中：M为Sn或Ge或Pb；L为显示ALD反应性的配体，用于辅助前体；R1、R2和R3分别独立地选自：H或线性或支链烷基基团，其中R1、R2和R3中至少有一个是线性或支链烷基基团，或者是金属（M）（II）前体的加合物，用于在基底上进行M（II）、M（0）或含M（IV）的薄膜层的原子层沉积（ALD）。

  公开号：

  WO2021058986A1