triglycidyl acetate isocyanuric acid

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: triglycidyl acetate isocyanuric acid
• 英文别名: Oxiran-2-ylmethyl 2-[3,5-bis[2-(oxiran-2-ylmethoxy)-2-oxoethyl]-2,4,6-trioxo-1,3,5-triazinan-1-yl]acetate；oxiran-2-ylmethyl 2-[3,5-bis[2-(oxiran-2-ylmethoxy)-2-oxoethyl]-2,4,6-trioxo-1,3,5-triazinan-1-yl]acetate
• 化学式: C₁₈H₂₁N₃O₁₂
• 分子量: 471.378
• InChiKey: SAPGUFQFGNPJHG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.8
• 重原子数：
  33
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  177
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  triglycidyl acetate isocyanuric acid 、 2-巯基噻唑 在 乙基三苯基溴化膦 作用下， 反应 24.0h， 生成 [2-Hydroxy-3-(1,3-thiazol-2-ylsulfanyl)propyl] 2-[3,5-bis[2-[2-hydroxy-3-(1,3-thiazol-2-ylsulfanyl)propoxy]-2-oxoethyl]-2,4,6-trioxo-1,3,5-triazinan-1-yl]acetate
  参考文献：
  名称：

  TW2021/28671

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  Tris(carboxymethyl)isocyanurat 在 potassium carbonate 、 间氯过氧苯甲酸 作用下， 以 N-甲基吡咯烷酮 、 氯仿 为溶剂， 反应 49.0h， 生成 triglycidyl acetate isocyanuric acid
  参考文献：
  名称：

  TW2021/28671

  摘要：

  公开号：

文献信息

• JPH0881461A
  申请人：——

  公开号：JPH0881461A

  公开（公告）日：1996-03-26
• RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION HAVING A DISULFIDE STRUCTURE
  申请人：NISSAN CHEMICAL CORPORATION

  公开号：US20210063881A1

  公开（公告）日：2021-03-04

  A resist underlayer film having, in particular, a high dry etching speed; the resist underlayer film formation composition; a resist pattern formation method, and a method for manufacturing a semiconductor device. The resist underlay film formation composition contains: a bifunctional or higher compound having one or more disulfide bonds; a trifunctional or higher compound and/or a reaction product; and a solvent. The bifunctional or higher compound is a dicarboxylic acid containing a disulfide bond. The trifunctional or higher compound is a compound containing three or more epoxy groups.
• METHOD FOR PRODUCING POLYMER
  申请人：NISSAN CHEMICAL CORPORATION

  公开号：US20220153920A1

  公开（公告）日：2022-05-19

  Provided is a method for producing a polymer, characterized by reacting (A) an epoxy compound having two or more epoxy groups in the molecule with (B) a reactive compound having, in the molecule, two or more functional groups reactive with epoxy groups, in the presence of (C) a polymerization catalyst and (D) a cocatalyst.
• RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING HETEROCYCLIC COMPOUND
  申请人：NISSAN CHEMICAL CORPORATION

  公开号：US20220356297A1

  公开（公告）日：2022-11-10

  A resist underlayer film having an especially high dry etching rate; a composition for forming the resist underlayer film; a method for forming a resist pattern; and a method for producing a semiconductor device. The composition for forming the resist underlayer film has a solvent and a product of reaction between an epoxidized compound and a heterocyclic compound containing at least one moiety having reactivity with an epoxy group. It is preferable that the heteroring contained in the heterocyclic compound be selected from among furan, pyrrole, pyran, imidazole, pyrazole, oxazole, thiophene, thiazole, thiadiazole, imidazolidine, thiazolidine, imidazoline, dioxane, morpholine, diazine, thiazine, triazole, tetrazole, dioxolane, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, piperidine, piperazine, indole, purine, quinoline, isoquinoline, quinuclidine, chromene, thianthrene, phenothiazine, phenoxazine, xanthene, acridine, phenazine, and carbazole.
• [EN] RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION COMPOSITION HAVING DISULFIDE STRUCTURE<br/>[FR] COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE POSSÉDANT UNE STRUCTURE DE BISULFURE<br/>[JA] ジスルフィド構造を有するレジスト下層膜形成組成物
  申请人：NISSAN CHEMICAL CORP

  公开号：WO2019151471A1

  公开（公告）日：2019-08-08

  特に高ドライエッチング速度を有するレジスト下層膜、該レジスト下層膜形成組成物、レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。　ジスルフィド結合を少なくとも１つ以上有する２官能以上の化合物と、３官能以上の化合物、及び／又は反応生成物、並びに溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物とする。前記２官能以上の化合物が、好ましくはジスルフィド結合を含むジカルボン酸である。前記３官能以上の化合物が、好ましくは３つ以上のエポキシ基を含む化合物である。