四甲氧甲基甘脲 | 17464-88-9

• 物质功能分类: 医药中间体 - 杂环化合物
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 唑烷类
• 中文名称: 四甲氧甲基甘脲
• 中文别名: 1,3,4,6-四(甲氧甲基)苷脲；四氢-1,3,4,6-四甲氧基甲基-咪唑并[4,5-D]咪唑-2,5-(1H,3H)-二酮；1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲
• 英文名称: 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril
• 英文别名: tetra(methoxymethyl)glycoluril；tetramethoxymethylglycoluril；POWDERLINK1174；TMOM-GU；N,N,N,N-tetra(methoxymethyl)glycoluril；Imidazo[4,5-d]imidazole-2,5(1H,3H)-dione, tetrahydro-1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-；1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione
• CAS: 17464-88-9
• 化学式: C₁₂H₂₂N₄O₆
• 分子量: 318.33
• InChiKey: XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  90-110°C
• 沸点：
  454.7±45.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.243±0.06 g/cm3(Predicted)
• 物理描述：
  DryPowder

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.1
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.83
• 拓扑面积：
  84
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

安全信息

• 海关编码：
  2924210090
• 危险性防范说明：
  P280
• 危险性描述：
  H302,H312,H332
• 储存条件：
  存放在室温、干燥且密封的环境中。

SDS

1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲 修改号码：5

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模块 1. 化学品
产品名称： 1,3,4,6-Tetrakis(methoxymethyl)glycoluril
修改号码： 5

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模块 2. 危险性概述
GHS分类
物理性危害 未分类
健康危害 未分类
环境危害 未分类
GHS标签元素
图标或危害标志 无
信号词 无信号词
危险描述 无
防范说明 无

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模块 3. 成分/组成信息
单一物质/混和物 单一物质
化学名(中文名)： 1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲
百分比： >98.0%(N)
CAS编码： 17464-88-9
分子式： C12H22N4O6

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模块 4. 急救措施
吸入： 将受害者移到新鲜空气处，保持呼吸通畅，休息。若感不适请求医/就诊。
皮肤接触： 立即去除/脱掉所有被污染的衣物。用水清洗皮肤/淋浴。
若皮肤刺激或发生皮疹：求医/就诊。
眼睛接触： 用水小心清洗几分钟。如果方便，易操作，摘除隐形眼镜。继续清洗。
如果眼睛刺激：求医/就诊。
食入： 若感不适，求医/就诊。漱口。
紧急救助者的防护： 救援者需要穿戴个人防护用品，比如橡胶手套和气密性护目镜。

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模块 5. 消防措施
合适的灭火剂： 干粉，泡沫，雾状水，二氧化碳
特殊危险性： 小心，燃烧或高温下可能分解产生毒烟。
1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲 修改号码：5

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模块 5. 消防措施
特定方法： 从上风处灭火，根据周围环境选择合适的灭火方法。
非相关人员应该撤离至安全地方。
周围一旦着火：如果安全，移去可移动容器。
消防员的特殊防护用具： 灭火时，一定要穿戴个人防护用品。

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模块 6. 泄漏应急处理
个人防护措施，防护用具， 使用个人防护用品。远离溢出物/泄露处并处在上风处。
紧急措施： 泄露区应该用安全带等圈起来，控制非相关人员进入。
环保措施： 防止进入下水道。
控制和清洗的方法和材料： 清扫收集粉尘，封入密闭容器。注意切勿分散。附着物或收集物应该立即根据合适的
法律法规处置。

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模块 7. 操作处置与储存
处理
技术措施： 在通风良好处进行处理。穿戴合适的防护用具。防止粉尘扩散。处理后彻底清洗双手
和脸。
注意事项： 如果粉尘或浮质产生，使用局部排气。
操作处置注意事项： 避免接触皮肤、眼睛和衣物。
贮存
储存条件： 保持容器密闭。存放于凉爽、阴暗处。
远离不相容的材料比如氧化剂存放。
包装材料： 依据法律。

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模块 8. 接触控制和个体防护
工程控制： 尽可能安装封闭体系或局部排风系统，操作人员切勿直接接触。同时安装淋浴器和洗
眼器。
个人防护用品
呼吸系统防护： 防尘面具。依据当地和政府法规。
手部防护： 防护手套。
眼睛防护： 安全防护镜。如果情况需要，佩戴面具。
皮肤和身体防护： 防护服。如果情况需要，穿戴防护靴。

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模块 9. 理化特性
固体
外形（20°C）：
外观： 晶体-粉末
颜色： 白色类白色
气味： 无资料
pH: 无数据资料
熔点：
118°C
沸点/沸程 无资料
闪点： 无资料
爆炸特性
爆炸下限： 无资料
爆炸上限： 无资料
密度： 无资料
溶解度：
[水] 溶于
[其他溶剂] 无资料
1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲 修改号码：5

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模块 10. 稳定性和反应性
化学稳定性： 一般情况下稳定。
危险反应的可能性： 未报道特殊反应性。
须避免接触的物质 氧化剂
危险的分解产物: 一氧化碳, 二氧化碳, 氮氧化物 (NOx)

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模块 11. 毒理学信息
急性毒性： 无资料
对皮肤腐蚀或刺激： 无资料
对眼睛严重损害或刺激： 无资料
生殖细胞变异原性： 无资料
致癌性：
IARC = 无资料
NTP = 无资料
生殖毒性： 无资料

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模块 12. 生态学信息
生态毒性：
鱼类： 无资料
甲壳类： 无资料
藻类： 无资料
残留性 / 降解性： 无资料
潜在生物累积 （BCF): 无资料
土壤中移动性
log水分配系数： 无资料
土壤吸收系数 （Koc）： 无资料
亨利定律 无资料
constant(PaM3/mol):

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模块 13. 废弃处置
如果可能，回收处理。请咨询当地管理部门。建议在可燃溶剂中溶解混合，在装有后燃和洗涤装置的化学焚烧炉中
焚烧。废弃处置时请遵守国家、地区和当地的所有法规。

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模块 14. 运输信息
联合国分类： 与联合国分类标准不一致
UN编号： 未列明

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模块 15. 法规信息
《危险化学品安全管理条例》（2002年1月26日国务院发布，2011年2月16日修订）: 针对危险化学品的安全使用、
生产、储存、运输、装卸等方面均作了相应的规定。
1,3,4,6-四(甲氧甲基)甘脲 修改号码：5

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模块16 - 其他信息
N/A

制备方法与用途

用途：用于水处理。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四甲氧甲基甘脲 、 丙二醇甲醚 在 AMBERLYST 作用下， 25.0~60.0 ℃ 、13.33 kPa 条件下， 反应 7.0h， 生成 1,3,4,6-tetrakis(1'-methyl-2'-methoxy)ethoxymethylglycoluril
  参考文献：
  名称：

  COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

  摘要：

  一种用于形成抗蚀底层膜的组合物具有良好的常温储存稳定性。一种用于光刻的抗蚀底层膜的组合物包括具有以下式(1)中的2至6个取代基的含氮化合物，一种聚合物，一种促进交联反应的化合物和一种有机溶剂。其中，具有式(1A)的甘氨酰脲衍生物的每个R1是甲基基团或乙基基团，而R2和R3分别是氢原子、C1-4烷基或苯基。

  公开号：

  US20190163063A1

文献信息

• ANTIREFLECTIVE COMPOSITIONS WITH THERMAL ACID GENERATORS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20190085173A1

  公开（公告）日：2019-03-21

  New methods and substrates are provided that include antireflective compositions that comprise one or more thermal acid generators.

  提供了包括一个或多个热酸发生剂的防反射组分的新方法和基板。
• MATERIAL FOR FORMING ORGANIC FILM, METHOD FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210286266A1

  公开（公告）日：2021-09-16

  The present invention is a material for forming an organic film, including: a compound shown by the following general formula (1); and an organic solvent, where in the general formula (1), X represents an organic group with a valency of “n” having 2 to 50 carbon atoms or an oxygen atom, “n” represents an integer of 1 to 10 , and R 1 independently represents any of the following general formulae (2), where in the general formulae (2), broken lines represent attachment points to X, and Q 1 represents a monovalent organic group containing a carbonyl group, at least a part of which is a group shown by the following general formulae (3), where in the general formulae (3), broken lines represent attachment points, X 1 represents a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms optionally having a substituent when the organic group has an aromatic ring, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and ** represents an attachment point. An object of the present invention is to provide a material for forming an organic film for forming an organic film having dry etching resistance, and also having high filling and planarizing properties and adhesion to a substrate.

  本发明是一种用于形成有机薄膜的材料，包括：由以下通用式（1）所示的化合物；和有机溶剂，在通用式（1）中，X代表具有2至50个碳原子或一个氧原子的价为“n”的有机基团，“n”表示1到10的整数，R1独立地表示以下通用式（2）中的任何一种，其中在通用式（2）中，虚线表示连接点到X，Q1表示含有羰基的一价有机基团，其中至少部分是以下通用式（3）所示的基团，其中在通用式（3）中，虚线表示连接点，X1表示单键或具有1到20个碳原子的二价有机基团，在有机基团具有芳香环时可选地具有取代基，R2表示氢原子、甲基基团、乙基基团或苯基团，**表示连接点。本发明的目的是提供一种用于形成具有干法刻蚀抗性的有机薄膜的材料，同时具有高填充和平整化性能以及对基底的粘附性。
• BASIC COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Hatakeyama Jun

  公开号：US20120141938A1

  公开（公告）日：2012-06-07

  A chemically amplified resist composition comprising a base polymer, an acid generator, and an amine quencher in the form of a β-alanine, γ-aminobutyric acid or 5-aminovaleric acid derivative having an acid labile group-substituted carboxyl group has a high contrast of alkaline dissolution rate before and after exposure and forms a pattern of good profile at a high resolution, minimal roughness and wide focus margin.

  一种化学放大型光刻胶组合物，包括基础聚合物、酸发生剂和胺淬灭剂，后者为β-丙氨酸、γ-氨基丁酸或5-氨基戊酸的衍生物，具有一个被酸不稳定基团所取代的羧基，这种组合物在曝光前后具有高对比度的碱性溶解速率，并且能够形成高分辨率、最小粗糙度和宽焦深度的良好图案轮廓。
• NOVOLAC RESIN AND RESIST FILM
  申请人：DIC Corporation

  公开号：US20180334523A1

  公开（公告）日：2018-11-22

  Provided are a novolac resin having developability, heat resistance, and dry etching resistance, and a photosensitive composition, a curable composition, and a resist film. A novolac resin including, as a repeating unit, a structural moiety represented by Structural Formula (1) or (2): (in the formula, Ar represents an arylene group, R 1 's each independently represent any one of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom, m's each independently represent an integer of 1 to 3, and X is any one of a hydrogen atom, a tertiary alkyl group, an alkoxyalkyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a hetero atom-containing cyclic hydrocarbon group, and a trialkylsilyl group) in which at least one of X's present in the resin is any one of a tertiary alkyl group, an alkoxyalkyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a hetero atom-containing cyclic hydrocarbon group, and a trialkylsilyl group.

  提供一种具有可开发性、耐热性和干法蚀刻抗性的新戊醛树脂，以及一种光敏组合物、可固化组合物和抗蚀膜。一种新戊醛树脂包括以下结构单元： （在公式中，Ar代表芳基，R 1 分别独立地代表氢原子、烷基、烷氧基和卤素原子中的任意一种，m分别独立地代表1至3的整数，X代表氢原子、三级烷基、烷氧基烷基、酰基、烷氧羰基、含杂原子的环烃基和三烷基硅基中的任意一种），树脂中至少有一个X是三级烷基、烷氧基烷基、酰基、烷氧羰基、含杂原子的环烃基和三烷基硅基中的任意一种。
• Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20100119970A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  There is disclosed a resist lower-layer composition configured to be used by a multi-layer resist method used in lithography to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, wherein the resist lower-layer composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and wherein the resist lower-layer composition comprises, at least, a thermal acid generator for generating an acid represented by the general formula (1) by heating at a temperature of 100° C. or higher. RCOO—CH 2 CF 2 SO 3 − H + (1) There can be provided a resist lower-layer composition in a multi-layer resist method (particularly, a two-layer resist method and a three-layer resist method), which composition is used to form a layer lower than a photoresist layer acting as a resist upper layer film, which composition becomes insoluble or poorly-soluble in an alkaline developer after formation of the lower layer, and which composition is capable of forming a resist lower layer film, intermediate-layered film, and the like having a higher anti-poisoning effect and exhibiting a lower load to the environment.

  揭示了一种抗性下层组合物，配置为在光刻中使用的多层抗性方法中使用，用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，其中抗性下层组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，且抗性下层组合物至少包括用于通过在100°C或更高温度下加热生成由通式（1）表示的酸的热酸发生剂。 可以提供一种抗性下层组合物，用于多层抗性方法（特别是双层抗性方法和三层抗性方法），该组合物用于形成低于作为抗性上层膜的光刻胶层的一层，该组合物在形成下层后变得不溶解或难溶解于碱性显影剂中，并且该组合物能够形成具有更高抗毒性效果并表现出对环境负荷较低的抗性下层膜、中间层膜等。