1,1,2,2-四氟-1,2-双[(三氟乙烯基)氧基]乙烷 | 1998-53-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 乙烯基卤化物
• 中文名称: 1,1,2,2-四氟-1,2-双[(三氟乙烯基)氧基]乙烷
• 中文别名: 1,1'-[(1,1,2,2-四氟乙烯)二(氧代)]二[1,2,2-三氟乙烯]
• 英文名称: 1,1,2,2-tetrafluoro-1,2-bis[(trifluorovinyl)oxy]ethane
• 英文别名: 1,1'-((1,1,2,2-Tetrafluoroethylene)bis(oxy))bis(1,2,2-trifluoroethylene)；1,1,2,2-tetrafluoro-1,2-bis(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethane
• CAS: 1998-53-4
• 化学式: C₆F₁₀O₂
• 分子量: 294.049
• InChiKey: JZCZUPUWPJOIFG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  132.9±40.0℃ (760 Torr)
• 密度：
  1.621±0.06 g/cm3 (20 ºC 760 Torr)
• 闪点：
  40.0±23.2℃

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.7
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,4-丁二醇 、 1,1,2,2-四氟-1,2-双[(三氟乙烯基)氧基]乙烷 在 氢氧化钾 作用下， 以 1,4-二氧六环 为溶剂， 反应 8.0h， 生成 HO(CH2)4OCF2HCFO(CF2)2OCFHCF2O(CH2)4OH
  参考文献：
  名称：

  EP1522536

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  2,2',3,3,3,3',3',3'-octafluoro-2,2'-[(perfluoro ethylene)dioxy]bis(propanoyl fluoride) 在 sodium carbonate 作用下， 生成 1,1,2,2-四氟-1,2-双[(三氟乙烯基)氧基]乙烷
  参考文献：
  名称：

  全氟-2,7-二甲基-3,6-二氧杂-1,8-辛二酸二甲酯的热解合成乙烯基醚化合物

  摘要：

  在Na 2 CO 3，K 2 CO 3，CaCO 3，BaCO 3和ZnO上热解二甲基全氟2,7-二甲基-3,6-二氧杂-1,8-辛二酸酯（1），得到含全氟-3的混合物1，6-二氧杂-1，7-辛二烯（2）和全氟-2-甲基-3，6-二氧杂辛酸酯-7-烯（3）。为了获得这些乙烯基醚所必需的热解条件，对于二价金属化合物而言，其温度要比对一价金属化合物更高。热解温度和分解时间的增加导致转化率增加1。在较低温度下，热解产物主要为3。但是，2的形成随着分解温度的升高而增加。在Na 2 CO 3，K 2 CO 3上1的热解分解产物中发现碳酸二甲酯。

  DOI：

  10.1016/0022-1139(95)03316-1

文献信息

• （ペル）フルオロポリエーテルポリマー
  申请人：ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス．ピー．エー．

  公开号：JP2020502100A

  公开（公告）日：2020-01-23

  本発明は、（ペル）フルオロポリエーテルポリマーの新規な合成方法、特定の新規な（ペル）フルオロポリエーテルポリマーに関する。本発明は、このようにして得られた（ペル）フルオロポリエーテルポリマーの、特には磁気記録媒体（ＭＲＭ）のための潤滑剤としての使用に適した更なるポリマーの製造のための中間体化合物としての使用にも関する。【選択図】なし

  这项发明涉及一种新的（全氟）聚醚醚酮聚合物的合成方法，以及特定的新型（全氟）聚醚醚酮聚合物。该发明还涉及利用这种获得的（全氟）聚醚醚酮聚合物作为润滑剂，特别适用于磁记录介质（MRM），以及作为制造更多适用于磁性记录介质的聚合物的中间体化合物。【选择图】无
• Sulfonyl-containing fluorocarbon vinyl ethers and ion exchange membrane formed therefrom
  申请人：E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY

  公开号：US03882093A1

  公开（公告）日：1975-05-06

  Sulfonyl-containing fluorocarbon vinyl ethers are disclosed of the formula WHEREIN M IS AN INTEGER FROM 2 TO 5 AND N IS AN INTEGER FROM 2 TO 10.

  含砜基的氟碳乙烯醚的化学式为M为2至5的整数，N为2至10的整数。
• Fluorine-containing unsaturated compound and method for its production
  申请人：Furukawa Yutaka

  公开号：US20050113609A1

  公开（公告）日：2005-05-26

  A novel fluorine-containing unsaturated compound and a method for its production. A fluorine-containing unsaturated compound represented by R 1 CY 1 HCY 2 Y 3 OQ 1 CH═CH 2 or CH 2 ═CHQ 2 OCZ 1 Z 2 CZ 3 HR 2 CZ 4 HCZ 5 Z 6 OQ 2 CH═CH 2 (wherein R 1 is a monovalent fluorine containing organic group, etc., R 2 is a bivalent fluorine containing organic group, etc., Y 1 to Y 3 and Z 1 to Z 6 are fluorine atoms, and Q 1 and Q 2 are alkylene groups, etc.). A method for producing a fluorine-containing unsaturated compound having a group represented by —CX 1 HCX 2 X 3 OQCH═CH 2 (wherein X 1 to X 3 are fluorine atoms, and Q is an alkylene group, etc.), which comprises reacting a compound having —CX 1 ═CX 2 X 3 with HOQCH═CH 2 in the presence of an alkali metal compound.

  一种含氟不饱和化合物及其制备方法。所述含氟不饱和化合物的化学式为R1CY1HCY2Y3OQ1CH═CH2或CH2═CHQ2OCZ1Z2CZ3HR2CZ4HCZ5Z6OQ2CH═CH2（其中，R1是一价含氟有机基团等，R2是二价含氟有机基团等，Y1到Y3和Z1到Z6是氟原子，Q1和Q2是亚烷基基团等）。一种制备含有—CX1HCX2X3OQCH═CH2基团的含氟不饱和化合物的方法（其中，X1到X3是氟原子，Q是亚烷基基团等），包括在碱金属化合物的存在下，将具有—CX1═CX2X3基团的化合物与HOQCH═CH2反应。
• Dry Etching Gas and Method of Dry Etching
  申请人：Sekiya Akira

  公开号：US20080274334A1

  公开（公告）日：2008-11-06

  A dry etching gas comprising a C 4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O 2 , O 3 , CO, CO 2 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CF 4 , C 2 F 6 , and C 3 F 8 ; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干法刻蚀气体，包括C4-6氟化合物，其具有醚键或羰基基团和分子中的一个或多个氟原子，仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子与碳原子的比例（F/C）为1.9或更低（前提是该化合物既不是具有一个环状醚键和一个碳-碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基基团的饱和氟化合物）;混合干法刻蚀气体包括干法刻蚀气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6和C3F8的气体的气体;以及一种干法刻蚀方法，包括将这些干法刻蚀气体之一转化为等离子体，并用等离子体处理半导体材料。这些干法刻蚀气体可以安全使用，对全球环境的影响减少，并且可以高度选择性地干法刻蚀半导体材料以形成令人满意的图案形状。这种干法刻蚀方法采用这些干法刻蚀气体之一。
• DRY ETCHING GASES AND METHOD OF DRY ETCHING
  申请人：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

  公开号：EP1760769A1

  公开（公告）日：2007-03-07

  A dry etching gas comprising a C4-6 fluorine compound which has an ether bond or carbonyl group and one or more fluorine atoms in the molecule and is constituted only of carbon, fluorine, and oxygen atoms and in which the ratio of the number of fluorine atoms to the number of carbon atoms (F/C) is 1.9 or lower (provided that the compound is neither a fluorine compound having one cyclic ether bond and one carbon-carbon double bond nor a saturated fluorine compound having one carbonyl group); a mixed dry etching gas comprising the dry etching gas and at least one gas selected from the group consisting of rare gases, O2, O3, CO, CO2, CHF3, CH2F2, CF4, C2F6, and C3F8; and a method of dry etching which comprises converting either of these dry etching gases into a plasma and processing a semiconductor material with the plasma. The dry etching gases can be safely used, are reduced in influence on the global environment, and can highly selectively dry-etch a semiconductor material at a high dry etching rate to form a satisfactory pattern shape. The dry etching method employs either of these dry etching gases.

  一种干蚀刻气体，包括一种C4-6氟化合物，其分子中具有一个醚键或羰基和一个或多个氟原子，且仅由碳、氟和氧原子构成，其中氟原子数与碳原子数之比（F/C）为1.9 或更低（条件是该化合物既不是具有一个环醚键和一个碳碳双键的氟化合物，也不是具有一个羰基的饱和氟化合物）；一种混合干蚀刻气体，包括干蚀刻气体和至少一种选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6 和 C3F8 组成的组的气体；以及一种干蚀刻方法，该方法包括将上述任一种干蚀刻气体转化为等离子体，并用该等离子体处理半导体材料。干蚀刻气体可以安全使用，对全球环境的影响较小，并能以较高的干蚀刻速率高度选择性地对半导体材料进行干蚀刻，以形成令人满意的图案形状。干蚀刻方法采用上述任何一种干蚀刻气体。