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1-(环己烯-1-基)-4-乙氧基苯 | 60557-91-7

中文名称
1-(环己烯-1-基)-4-乙氧基苯
中文别名
——
英文名称
4-cyclohex-1-enyl-phenetole
英文别名
Aethyl-[4-(cyclohexen-(1)-yl)-phenyl]-aether;4-Aethoxy-1-(cyclohexen-(1)-yl)-benzol;4-Cyclohex-1-enyl-phenetol;Benzene, 1-(1-cyclohexen-1-yl)-4-ethoxy-;1-(cyclohexen-1-yl)-4-ethoxybenzene
1-(环己烯-1-基)-4-乙氧基苯化学式
CAS
60557-91-7
化学式
C14H18O
mdl
——
分子量
202.296
InChiKey
JBAAKOBBYQNTRE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    45 °C(Solv: ethanol (64-17-5))
  • 沸点:
    304.7±31.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    0.999±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.9
  • 重原子数:
    15
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.43
  • 拓扑面积:
    9.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

上下游信息

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    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • PISANENKO D. A.; KOZLIKOVSKIJ YA. B.; BALITSKIJ YU. V., BECTH. KIEV. POLITEXN. IN-TA. XIM. MASHINOSTR. I TEXNOL., 1978, HO. 15, 2+
    作者:PISANENKO D. A.、 KOZLIKOVSKIJ YA. B.、 BALITSKIJ YU. V.
    DOI:——
    日期:——
  • SILICON-CONTAINING CONDENSATE, COMPOSITION FOR FORMING A SILICON-CONTAINING RESIST UNDER LAYER FILM, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20170154766A1
    公开(公告)日:2017-06-01
    The present invention provides a silicon-containing condensate comprising one or more repeating units selected from a repeating unit shown by the following general formula (A1), a repeating unit shown by the following general formula (A2), and a repeating unit shown by the following general formula (A3), wherein R 1 represents a group shown by the following general formula (A-1) or (A-2); R 2 and R 3 each independently represent the same group as R 1 , a hydrogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms other than R 1 . There can be provided a silicon-containing condensate to give a composition for forming a silicon-containing resist under layer film which can form a resist under layer film with good adhesiveness to any resist pattern, whether the pattern is formed by negative development or positive development.
  • Mentzer; Molho; Dat Xuong, Bulletin de la Societe Chimique de France, 1948, p. 263,267
    作者:Mentzer、Molho、Dat Xuong
    DOI:——
    日期:——
  • KOZLIKOVSKIJ YA. B.; PISANENKO D. A., IZV. VYSSH. UCHEB. ZAVEDENIJ. XIMIYA I XIM. TEXNOL., <IVUK-AR>, 1976, 19,+
    作者:KOZLIKOVSKIJ YA. B.、 PISANENKO D. A.
    DOI:——
    日期:——
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