2-吗啉-4-基丙腈 | 3626-56-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 恶嗪烷类
• 中文名称: 2-吗啉-4-基丙腈
• 中文别名: 2-(吗啉-4-基)丙腈
• 英文名称: 2-morpholinopropanenitrile
• 英文别名: 2-(Morpholin-4-yl)propanenitrile；2-morpholin-4-ylpropanenitrile
• CAS: 3626-56-0
• 化学式: C₇H₁₂N₂O
• mdl: MFCD01714149
• 分子量: 140.185
• InChiKey: YRJOBFAKVQTZCE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  127 °C
• 沸点：
  124-125 °C(Press: 24 Torr)
• 密度：
  1.045±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.1
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.857
• 拓扑面积：
  36.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

安全信息

• 海关编码：
  2934999090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-吗啉-4-基丙腈 在 tert-butyl magnesium halide 作用下， 生成 N-乙基吗啉
  参考文献：
  名称：

  Interaction of Certain Grignard Reagents with Nitriles Containing an α-Morpholinyl Substituent¹

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01580a032
• 作为产物：
  描述：

  N-乙基吗啉 、 potassium cyanide 在 2-吡啶甲酸 、 iron(III) chloride 、 过氧化苯甲酸叔丁酯 、 18-冠醚-6 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 48.0h， 以38%的产率得到2-吗啉-4-基丙腈
  参考文献：
  名称：

  铁催化的简单和复杂叔胺的α-C-H氰化

  摘要：

  该手稿详细介绍了叔胺α-C–H氰化的通用温和方法的开发及其在后期官能化中的应用。合适的底物包括叔脂族，苄基和苯胺型底物和复合物底物。在反应条件下容许的官能团包括各种杂环和酮，酰胺，烯烃和炔烃。这种宽泛的底物范围非常引人注目，因为类似的α-C–H氰化反应方案经常通过自由基机制发生，因此从根本上限制了它们的官能团耐受性。相反，所提出的催化剂体系可耐受通常与自由基反应的官能团，提示了另一种反应途径。所描述的催化剂体系的所有组分均易于获得，

  DOI：

  10.1021/acs.joc.0c02642

文献信息

• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• Photoredox-Catalyzed C_α–H Cyanation of Unactivated Secondary and Tertiary Aliphatic Amines: Late-Stage Functionalization and Mechanistic Studies
  作者：Ozgur Yilmaz、Martins S. Oderinde、Marion H. Emmert

  DOI：10.1021/acs.joc.8b01700

  日期：2018.9.21

  general, high-yielding amine Cα–H cyanation protocol via photoredox catalysis. Inexpensive NaCN is employed as the cyanide source and air is the external oxidant, resulting in mild and highly functional group tolerant conditions. Notably, efficient Cα–H cyanations of secondary and tertiary aliphatic amines and of complex, biologically active compounds (drugs) can be performed using the established methodology

  本文描述了开发和一个一般地，高产胺的C机理研究α -H氰化经由photoredox催化协议。廉价的NaCN用作氰化物源，空气是外部氧化剂，导致温和且高度官能团耐受的条件。值得注意的是，高效的C α -H的cyanations二级和三级可使用所建立的方法进行脂族胺和复杂的，生物活性化合物（药物）的。机理研究表明，该羧酸添加剂具有三种作用：形成稳定的半胱氨酸中间体，通过使底物质子化来防止催化剂分解以及调节光激发催化剂物种的荧光猝灭。
• NOVEL NITRILE AND AMIDOXIME COMPOUNDS AND METHODS OF PREPARATION
  申请人：Lee Wai Mun

  公开号：US20090111965A1

  公开（公告）日：2009-04-30

  The present application relates to semiconductor processing compositions comprising at least one compound containing at least one amidoxime functional group and to methods of using these compositions in semiconductor processing. The present application also describes the preparation of amidoximes for a semiconductor processing composition by (a) mixing a cyanoethylation catalyst, a nucleophile and an alpha-unsaturated nitrile to produce a cyanoethylation product; and (b) converting a cyano group in the cyanoethylation product into an amidoxime functional group.

  本申请涉及包含至少一个含有至少一个酰胺肟功能团的化合物的半导体加工组合物，以及使用这些组合物进行半导体加工的方法。本申请还描述了通过(a)混合氰乙基化催化剂、亲核试剂和不饱和α腈以产生氰乙基化产品；(b)将氰乙基化产品中的氰基团转化为酰胺肟功能团来制备用于半导体加工组合物的酰胺肟的方法。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：NISHI Tsunehiro

  公开号：US20100062374A1

  公开（公告）日：2010-03-11

  A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising recurring units containing a non-leaving hydroxyl group represented by formula (1) wherein R 1 is H, methyl or trifluoromethyl, X is a single bond or methylene, m is 1 or 2, and the hydroxyl group attaches to a secondary carbon atom. The composition is improved in resolution when processed by lithography.

  一种正性光刻胶组合物包括（A）在酸的作用下在碱性显影剂中变得可溶的树脂组分和（B）酸发生剂。树脂（A）是一种聚合物，包含由式（1）表示的非离去羟基的重复单元，其中R1为H、甲基或三氟甲基，X为单键或亚甲基，m为1或2，并且羟基连接到次级碳原子。当通过光刻工艺处理时，该组合物在分辨率方面得到改善。