硝基(NO 2)是最常见的吸电子基团之一,但很少用于有机半导体(OSC)的设计中。在本文中,我们报告了由NO 2和CN基官能化的简单芴酮衍生物的n型半导体行为。尽管在薄膜场效应晶体管中测得的电子迁移率适中(10 -6 –10 -4 cm 2 V -1 s -1),但硝基芴酮OSC具有出色的空气稳定性和出色的能量级可调性,可通过替换模式的轻松修改。我们研究了取代基对电化学性能,分子和晶体结构以及硝基芴酮的电荷传输性能的影响,以振兴有机电子中被低估的NO 2功能化潜力。
硝基(NO 2)是最常见的吸电子基团之一,但很少用于有机半导体(OSC)的设计中。在本文中,我们报告了由NO 2和CN基官能化的简单芴酮衍生物的n型半导体行为。尽管在薄膜场效应晶体管中测得的电子迁移率适中(10 -6 –10 -4 cm 2 V -1 s -1),但硝基芴酮OSC具有出色的空气稳定性和出色的能量级可调性,可通过替换模式的轻松修改。我们研究了取代基对电化学性能,分子和晶体结构以及硝基芴酮的电荷传输性能的影响,以振兴有机电子中被低估的NO 2功能化潜力。