硝基(NO 2)是最常见的吸电子基团之一,但很少用于有机半导体(OSC)的设计中。在本文中,我们报告了由NO 2和CN基官能化的简单芴酮衍生物的n型半导体行为。尽管在薄膜场效应晶体管中测得的电子迁移率适中(10 -6 –10 -4 cm 2 V -1 s -1),但硝基芴酮OSC具有出色的空气稳定性和出色的能量级可调性,可通过替换模式的轻松修改。我们研究了取代基对电化学性能,分子和晶体结构以及硝基芴酮的电荷传输性能的影响,以振兴有机电子中被低估的NO 2功能化潜力。
MYSYK, D. D.;PEREPICHKA, I. F.;SIVCHENKOVA, N. M.;KAMPAR, V. EH.;NEJLAND,+, IZV. AN LATVSSR. CEP. XIM., 1984, N 3, 328-331
作者:MYSYK, D. D.、PEREPICHKA, I. F.、SIVCHENKOVA, N. M.、KAMPAR, V. EH.、NEJLAND,+
DOI:——
日期:——
SEMIDETKO O. V.; CHETKINA L. A.; BELSKIJ V. K.; MYSYK D. D.; PEREPICHKA I+, ZH. OBSHCH. XIMII, 57,(1987) N 2, 415-420
作者:SEMIDETKO O. V.、 CHETKINA L. A.、 BELSKIJ V. K.、 MYSYK D. D.、 PEREPICHKA I+
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Nitroaromatics as n-type organic semiconductors for field effect transistors
作者:Muhammad Rizwan Niazi、Ehsan Hamzehpoor、Pegah Ghamari、Igor F. Perepichka、Dmitrii F. Perepichka
DOI:10.1039/d0cc01236j
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design of organic semiconductors (OSCs). Herein, we report the n-type semiconducting behavior of simple fluorenone derivatives functionalized with NO2 and CN groups. While the electron mobilities measured in the thin film field-effecttransistors are modest (10−6–10−4 cm2 V−1 s−1), the nitrofluorenone OSCs offer excellent air-stability and remarkable tunability of energy levels via facile modification
硝基(NO 2)是最常见的吸电子基团之一,但很少用于有机半导体(OSC)的设计中。在本文中,我们报告了由NO 2和CN基官能化的简单芴酮衍生物的n型半导体行为。尽管在薄膜场效应晶体管中测得的电子迁移率适中(10 -6 –10 -4 cm 2 V -1 s -1),但硝基芴酮OSC具有出色的空气稳定性和出色的能量级可调性,可通过替换模式的轻松修改。我们研究了取代基对电化学性能,分子和晶体结构以及硝基芴酮的电荷传输性能的影响,以振兴有机电子中被低估的NO 2功能化潜力。
Semidetko, O. V.; Chetkina, L. A.; Bel'skii, V. K., Journal of General Chemistry of the USSR, <hi>1987</hi>, vol. 57, p. 360 - 364
作者:Semidetko, O. V.、Chetkina, L. A.、Bel'skii, V. K.、Mysyk, D. D.、Perepichka, I. F.、Andrievskii, A. M.