(Hydroxymethyl)trimethylphosphonium-chlorid | 5728-04-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机磷化合物 - 四烷基鏻化合物
• 英文名称: (Hydroxymethyl)trimethylphosphonium-chlorid
• 英文别名: Hydroxymethyl(trimethyl)phosphanium;chloride
• CAS: 5728-04-1
• 化学式: C₄H₁₂OP*Cl
• 分子量: 142.565
• InChiKey: YXSCCQUJBNBTOI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.15
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (Hydroxymethyl)trimethylphosphonium-chlorid 在 氯化亚砜 作用下， 反应 1.0h， 以100%的产率得到(chloromethyl)trimethylphosphonium chloride
  参考文献：
  名称：

  有机-无机杂化钙钛矿半导体中有机阳离子的卤素取代调节相变和带隙。

  摘要：

  在过去的十年中，混合材料受到了广泛的关注。尤其是，混合卤化钙钛矿型半导体因其在带隙工程中的巨大灵活性而极具吸引力。这里，通过使用精确的分子修饰，三个一维钙钛矿型半导体材料被设计和获得：我3 PCH 2 X] [PbBr 3 ]（X = H，F，和Cl为化合物 1，2，和3， 分别）。在[Me 4 P] +中引入较重的卤素原子（F或Cl）增加了阳离子翻滚运动所需的势能垒，从而实现了相变温度从低温（192 K）到室温（285 K）和高温（402.3 K）的转变。此外，沿着H→F→Cl系列，光学带隙显示出3.176 eV，3.215 eV和3.376 eV的扩展趋势，这归因于结构畸变的形成。

  DOI：

  10.1002/chem.202001266
• 作为产物：
  描述：

  氯甲烷 、 Hydroxymethyl-dimethylphosphan 以 乙醇 为溶剂， 生成 (Hydroxymethyl)trimethylphosphonium-chlorid
  参考文献：
  名称：

  Grinshtein,E.I. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1966, vol. 36, # 2, p. 311 - 315

  摘要：

  DOI：

文献信息

• High-temperature phase transitions, switchable dielectric behaviors and barocaloric effects in three new organic molecule-based crystals
  作者：Rui-Xia Li、Lin Zhou、Ping-Ping Shi、Xuan Zheng、Ji-Xing Gao、Qiong Ye、Da-Wei Fu

  DOI：10.1039/c8nj03845g

  日期：——

  Three new organic molecule-based compounds, ethyl-trimethyl-phosphonium picrate (1, [ETtmp][picrate]), hydroxymethyl-trimethyl-phosphonium picrate (2, [HMtmp][picrate]), and cyclopentyl-trimethyl-phosphonium picrate (3, [CPtmp][picrate]), have been corroborated as high-temperature phase transition materials possessing switchable dielectric behaviors. Compounds 1, 2 and 3 undergo dielectric anomalies

  三种新的基于有机分子的化合物，苦味酸乙基三甲基ethyl（1，[ETtmp] [苦味酸]），苦味酸羟甲基-三甲基-（2，[HMtmp] [苦味酸]）和环戊基三甲基p​​ic苦味酸（在图3中，[CPtmp] [图]证实了具有可切换介电性能的高温相变材料。化合物1，2和3经历可能以两种明显的介电状态分别被调谐，并在320.8ķ切换由可逆相变，393.9 K和398.1 K，电介质异常。对于化合物1，2和3通过调节客体阳离子，不仅相变温度而且介电异常的幅度也呈现变化。在高介电态的各自的介电常数是1.6，2.7和3.6倍的那些化合物为低介电常数状态1，2和3。考虑到三种标题化合物的大熵变（ΔS），我们预测了相变温度（T c）对施加压力的敏感性。和估计barocaloric系数（δ Ť ç /δ P）中的三个标题化合物表示它们在适当的压力下潜在地表现出对制冷应用感兴趣的压力效应。
• Karsch, Hans Heinz, Chemische Berichte, 1982, vol. 115, # 2, p. 823 - 827
  作者：Karsch, Hans Heinz

  DOI：——

  日期：——
• Grinshtein,E.I. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1966, vol. 36, # 2, p. 311 - 315
  作者：Grinshtein,E.I. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Phase Transition and Band Gap Regulation by Halogen Substituents on the Organic Cation in Organic–Inorganic Hybrid Perovskite Semiconductors
  作者：Ying‐Jie Cao、Lin Zhou、Lei He、Ping‐Ping Shi、Qiong Ye、Da‐Wei Fu

  DOI：10.1002/chem.202001266

  日期：2020.11.6

  hybrid materials have received widespread attention. In particular, hybrid lead halide perovskite‐type semiconductors are very attractive owing to their great flexibility in band gap engineering. Here, by using precise molecular modifications, three one‐dimensional perovskite‐type semiconductor materials are designed and obtained: [Me3PCH2X][PbBr3] (X=H, F, and Cl for compounds 1, 2, and 3, respectively)

  在过去的十年中，混合材料受到了广泛的关注。尤其是，混合卤化钙钛矿型半导体因其在带隙工程中的巨大灵活性而极具吸引力。这里，通过使用精确的分子修饰，三个一维钙钛矿型半导体材料被设计和获得：我3 PCH 2 X] [PbBr 3 ]（X = H，F，和Cl为化合物 1，2，和3， 分别）。在[Me 4 P] +中引入较重的卤素原子（F或Cl）增加了阳离子翻滚运动所需的势能垒，从而实现了相变温度从低温（192 K）到室温（285 K）和高温（402.3 K）的转变。此外，沿着H→F→Cl系列，光学带隙显示出3.176 eV，3.215 eV和3.376 eV的扩展趋势，这归因于结构畸变的形成。