摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

Dihexylmethylsilan | 1001-46-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Dihexylmethylsilan
英文别名
Di-n-Hexyl(methyl)silane;dihexyl(methyl)silane
Dihexylmethylsilan化学式
CAS
1001-46-3
化学式
C13H30Si
mdl
——
分子量
214.467
InChiKey
OQDOWNHXCXIQDA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    245-248 °C

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.0
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    10
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

SDS

SDS:c25e5d3a843c553f0885609d420e464d
查看

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Dihexylmethylsilan盐酸四(三苯基膦)钯正丁基锂Karstedt's catalyst 作用下, 以 四氢呋喃正己烷甲苯 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    通过简单的疏松参数可预测封端寡聚噻吩的热和电性质
    摘要:
    连接到几个低聚噻吩系列上的端基的分支拓扑结构对低聚物的热和电学性质产生系统性影响。该系列以模块化方式合成,并且随着取代基体积的增加,熔点T m明显下降。对于溶液中聚集体的解离温度T dis可以发现相同的趋势。类似地,单层OFET迁移率μ FET是显著随取代基的膨松度降低。提出了一个简单的几何模型,该模型基于体积参数P定量地将转变温度和迁移率与取代基的结构相关联,从而可以预测Ť米,Ť DIS和μ FET对应尚未合成寡聚体与支化的取代基。该模型通常可用于封端的棒状共轭低聚物。
    DOI:
    10.1021/cm400702t
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    Addition of silicon hydrides to olefinic double bonds. XII. Use of aminosilicon hydrides and silazane hydrides
    摘要:
    DOI:
    10.1021/jo00836a065
点击查看最新优质反应信息

文献信息

  • Effect of Double Branching in α,ω-Substituted Oligothiophenes on Thermal Solid-State Properties
    作者:Jochen Gülcher、Roman Vill、Markus Braumüller、Khosrow Rahimi、Wim H. de Jeu、Ahmed Mourran、Ulrich Ziener
    DOI:10.1002/ejoc.201700046
    日期:2017.4.3
    different dendrimer-like branched end groups were synthesized and their thermal solid-state properties were investigated. The substituents vary in terms of length of the linkers between the silicon branching points. Comparison of the series reveals that the linker connecting the oligomeric core with the first branching point has the strongest effect on the thermal properties. Furthermore, the relatively
    合成了一系列系统的 septi-、nona-和 undecithiophenes 以及相应的具有五个不同树枝状分支端基的低聚物,并研究了它们的热固态特性。取代基在硅支化点之间的接头长度方面有所不同。系列的比较表明,连接寡聚核与第一个分支点的接头对热性能的影响最强。此外,对于 10 - 20 kJ mol-1 和 15 - 40 J mol-1 K-1 的低聚物,相对较大的取代基体积导致令人惊讶的低总转变焓和熵,而具有间断共轭的前低聚物分别显示 15 - 40 kJ mol-1 和 40 - 100 J mol-1 K-1 范围内的值。
  • Voronkov, M. G.; Adamovich, S. N.; Sherstyannikova, L. V., Journal of general chemistry of the USSR, 1983, vol. 53, # 4, p. 706 - 710
    作者:Voronkov, M. G.、Adamovich, S. N.、Sherstyannikova, L. V.、Pukhnarevich, V. B.
    DOI:——
    日期:——
  • Nitrogen-containing organosilicon compounds VI. Synthesis and antimicrobial action of trialkyl(3-aminopropyl)silanes
    作者:E. Lukevits、A. Ya. Zile、L. V. Kruzmetra、Yu. I. Khudobin、M. G. Voronkov
    DOI:10.1007/bf01145655
    日期:1975.1
  • Golodnikov,G.V.; Ryabenko,L.F., Journal of general chemistry of the USSR, 1964, vol. 34, p. 4082 - 4084
    作者:Golodnikov,G.V.、Ryabenko,L.F.
    DOI:——
    日期:——
  • XUDOBIN YU. I.; KUMLEVA L. A.; XARITONOV N. P.; ANDREEVA N. A., (REDKOLLEGIYA ZH. PRIKL. XIMII AN CCCP). L., 1978. 11 S., BIBLIOGR. 5 NAZ+
    作者:XUDOBIN YU. I.、 KUMLEVA L. A.、 XARITONOV N. P.、 ANDREEVA N. A.
    DOI:——
    日期:——
查看更多