5-Ethyl-6-methyl-3-phenyl-3H-1,2,3-triazolo<4,5-b>pyridine | 134440-57-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 唑类
• 英文名称: 5-Ethyl-6-methyl-3-phenyl-3H-1,2,3-triazolo<4,5-b>pyridine
• 英文别名: 5-Ethyl-6-methyl-3-phenyltriazolo[4,5-b]pyridine
• CAS: 134440-57-6
• 化学式: C₁₄H₁₄N₄
• 分子量: 238.292
• InChiKey: PHEZDRFWRHAYHA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.2
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.21
• 拓扑面积：
  43.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4-(1-ethyl-propenyl)-morpholine 、 3-phenyl-3H-[1,2,3]triazolo-[4,5-d]pyrimidine 以 xylene 为溶剂， 反应 40.0h， 以5%的产率得到5-Ethyl-6-methyl-3-phenyl-3H-1,2,3-triazolo<4,5-b>pyridine
  参考文献：
  名称：

  Ring transformation of condensed pyrimidines by enamines and ynamines. Formation of condensed pyridines and condensed diazocines.

  摘要：

  喹唑啉（2）和3H-1, 2, 3-三氮杂[4, 5-d]嘧啶（4）与烯胺（1a-e）进行[4+2]环加成反应，导致环转化为喹啉（3a和3c）和相应的3H-1, 2, 3-三氮杂[4, 5-b]吡啶（5a-e）。类似地，烯氨（13a）与2及其4-氰基衍生物6进行环加成，分别生成喹啉（14a和14b）。另一方面，3H-1, 2, 3-三氮杂[4, 5-d]嘧啶（4、15、8、16、17、18和19）与烯氨（13a）发生[2+2]环加成反应，导致环转化为相应的3H-1, 2, 3-三氮杂[4, 5-d]-[1, 3]二氮环（21a-27）。7-甲氧基衍生物20、4-甲氧基和4-氰基的1H-吡唑[3, 4-d]嘧啶（30和31）以及6-氰基-9H-嘌呤（36）也与13a发生[2+2]环加成，分别生成相应的3H-1, 2-3-三氮杂[4, 5-b][1, 5]二氮环（28）、1H-吡唑[3, 4-b][1, 5]二氮环（32和33）和3H-咪唑[4, 5-b]-[1, 5]二氮环（37）。1, 3-和1, 5-二氮环（21a和28）的结构通过X射线晶体学确定。

  DOI：

  10.1248/cpb.39.282

文献信息

• MIYASHITA, AKIRA;TAIDO, NAOKATA;SATO, SUSUMU;YAMAMOTO, KEN-ICHI;ISHIDA, H+, CHEM. AND PHARM. BULL., 39,(1991) N, C. 282-287
  作者：MIYASHITA, AKIRA、TAIDO, NAOKATA、SATO, SUSUMU、YAMAMOTO, KEN-ICHI、ISHIDA, H+

  DOI：——

  日期：——
• CMP POLISHING SOLUTION AND POLISHING METHOD
  申请人：Mishima Kouji

  公开号：US20110318929A1

  公开（公告）日：2011-12-29

  The CMP polishing solution of the invention comprises (A) a metal corrosion inhibitor containing a compound with a 1,2,3-triazolo[4,5-b]pyridine skeleton, (B) an abrasive grain having a positive zeta potential in the CMP polishing solution, (C) a metal oxide solubilizer and (D) an oxidizing agent. The polishing method of the invention comprises a first polishing step in which the conductive substance layer of a substrate comprising an interlayer insulating filth having an elevated section and a trench at the surface, a barrier layer formed following the surface of the interlayer insulating film and the conductive substance layer formed covering the barrier layer, is polished to expose the barrier layer located on the elevated section of the interlayer insulating film, and a second polishing step in which the barrier layer exposed in the first polishing step is polished using the CMP polishing solution to expose the elevated section of the interlayer insulating film.
• US9944827B2
  申请人：——

  公开号：US9944827B2

  公开（公告）日：2018-04-17