3,5-bis{3,5-bis[3,5-bis(3-buten-1-oxy)benzyloxy]benzyloxy}benzoic acid | 221208-80-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 3,5-bis{3,5-bis[3,5-bis(3-buten-1-oxy)benzyloxy]benzyloxy}benzoic acid
• 英文别名: 3,5-Bis[[3,5-bis[[3,5-bis(but-3-enoxy)phenyl]methoxy]phenyl]methoxy]benzoic acid
• CAS: 221208-80-6
• 化学式: C₈₁H₉₀O₁₆
• 分子量: 1319.6
• InChiKey: VTGIEHPPGRMJHV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  1183.8±65.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.138±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  18.9
• 重原子数：
  97
• 可旋转键数：
  51
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.27
• 拓扑面积：
  167
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  16

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,5-bis{3,5-bis[3,5-bis(3-buten-1-oxy)benzyloxy]benzyloxy}benzoic acid 在 草酰氯 、 N,N-二甲基甲酰胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 0.75h， 以64%的产率得到3,5-bis{3,5-bis[3,5-bis(3-buten-1-oxy)benzyloxy]benzyloxy}benzoyl chloride
  参考文献：
  名称：

  树枝状大分子内部的分子印迹

  摘要：

  能够结合卟啉的合成宿主已通过混合共价非共价印迹过程产生，其中在交联的树枝状聚合物中产生单个结合位点。使用 5,10,15,20-四（4-羟基苯基）卟啉和 5,10,15,20-四（3,5-二羟基苯基）卟啉作为模板，制备了两种合成宿主。这两个模板分别用含有高烯丙基端基的第四代和第三代 Fréchet 型树突酯化。使用 Grubbs 的 I 型催化剂 RuCl(2)(P(C(6)H(5))(3))(2)(CHCH(2)C (6)H(5))，提供广泛的树突间交联。卟啉核心的水解去除提供了印迹宿主，其通过紫外-可见分光光度法滴定和尺寸排阻色谱研究了结合卟啉与各种外围取代基的能力。结果表明印迹位点的高产率显示出结合能够形成至少四个氢键的卟啉的高选择性，但只有中等程度的形状选择性。

  DOI：

  10.1021/ja0357240
• 作为产物：
  描述：

  3,5-二羟基苯甲酸甲酯 在 氢氧化钾 、 lithium aluminium tetrahydride 、 三苯基膦 、 偶氮二甲酸二乙酯 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 为溶剂， 生成 3,5-bis{3,5-bis[3,5-bis(3-buten-1-oxy)benzyloxy]benzyloxy}benzoic acid
  参考文献：
  名称：

  树枝状大分子内部的分子印迹

  摘要：

  能够结合卟啉的合成宿主已通过混合共价非共价印迹过程产生，其中在交联的树枝状聚合物中产生单个结合位点。使用 5,10,15,20-四（4-羟基苯基）卟啉和 5,10,15,20-四（3,5-二羟基苯基）卟啉作为模板，制备了两种合成宿主。这两个模板分别用含有高烯丙基端基的第四代和第三代 Fréchet 型树突酯化。使用 Grubbs 的 I 型催化剂 RuCl(2)(P(C(6)H(5))(3))(2)(CHCH(2)C (6)H(5))，提供广泛的树突间交联。卟啉核心的水解去除提供了印迹宿主，其通过紫外-可见分光光度法滴定和尺寸排阻色谱研究了结合卟啉与各种外围取代基的能力。结果表明印迹位点的高产率显示出结合能够形成至少四个氢键的卟啉的高选择性，但只有中等程度的形状选择性。

  DOI：

  10.1021/ja0357240

文献信息

• TEMPLATED METAL PARTICLES AND METHODS OF MAKING
  申请人：Wendland Michael S.

  公开号：US20080152911A1

  公开（公告）日：2008-06-26

  Composite particles of a metal particle within a crosslinked, cored dendrimer are described. Additionally, methods of making the composite particles and compositions that contain the composite particles are described.
• TEMPLATED SEMICONDUCTOR PARTICLES AND METHODS OF MAKING
  申请人：Rakow Neal A.

  公开号：US20080265221A1

  公开（公告）日：2008-10-30

  Composite particles of a semiconductor particle such as a metal chalcogenide within a crosslinked, cored dendrimer are described. Additionally, methods of making the composite particles and compositions that contain the composite particles are described.
• TEMPLATED METAL OXIDE PARTICLES AND METHODS OF MAKING
  申请人：Wendland Michael S.

  公开号：US20100234213A1

  公开（公告）日：2010-09-16

  Composite particles of a metal oxide particle within a crosslinked, cored dendrimer are described. Additionally, methods of making the composite particles and compositions that contain the composite particles are described.
• US7344583B2
  申请人：——

  公开号：US7344583B2

  公开（公告）日：2008-03-18
• US7413607B2
  申请人：——

  公开号：US7413607B2

  公开（公告）日：2008-08-19