1-methylcyclohexyl butanoate | 78106-21-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: 1-methylcyclohexyl butanoate
• 英文别名: (1-methylcyclohexyl) butanoate
• CAS: 78106-21-5
• 化学式: C₁₁H₂₀O₂
• 分子量: 184.279
• InChiKey: UETXBOUPIPLYKW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  219.0±8.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.94±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.9
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.91
• 拓扑面积：
  26.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  丁酸酐 、 1-甲基环己醇 在 CoCl₂ 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 6.0h， 以81%的产率得到1-methylcyclohexyl butanoate
  参考文献：
  名称：

  新型酰化催化剂

  摘要：

  氯化钴（II）以优异的产率催化醇和胺与酸酐的酰化反应。

  DOI：

  10.1039/c39870000114

文献信息

• QUATERNARY AMMONIUM SALT COMPOUND, COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UNDER LAYER FILM, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20150357204A1

  公开（公告）日：2015-12-10

  A quaternary ammonium salt compound is represented by the following formula (A-1), wherein, R 1 , R 2 , and R 3 each represent an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or an aralkyl group, a part or all of hydrogen atoms in these groups may be substituted by a hydroxyl group(s), an alkoxy group(s), or a halogen atom(s), and these groups may include one or more of a carbonyl group and an ester bond; R 4 represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, or an aralkylene group, a part or all of hydrogen atoms in these groups may be substituted by an alkoxy group(s) or a halogen atom(s), and these groups may include one or more of an ether bond, a carbonyl group, an ester bond, and an amide bond; and A − represents a non-nucleophilic counter ion.

  一个四元铵盐化合物由以下式（A-1）表示，其中，R1、R2和R3分别代表烷基、烯基、芳基或芳基烷基，这些基团中的氢原子的一部分或全部可以被羟基、烷氧基或卤原子取代，这些基团中可能包括一个或多个羰基和酯键；R4代表一个单键、烷基、烯基、芳基或芳基烷基，这些基团中的氢原子的一部分或全部可以被烷氧基或卤原子取代，这些基团中可能包括一个或多个醚键、羰基、酯键和酰胺键；A−代表一个非亲核对离子。
• Composition for forming resist underlayer film and patterning process using the same
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2540780A1

  公开（公告）日：2013-01-02

  The invention provides a composition for forming a silicon-containing resist underlayer film comprising: (A) a silicon-containing compound obtained by a hydrolysis-condensation reaction of a mixture containing, at least, one or more hydrolysable silicon compound shown by the following general formula (1) and one or more hydrolysable compound shown by the following general formula (2), and (B) a silicon-containing compound obtained by a hydrolysis-condensation reaction of a mixture containing, at least, one or more hydrolysable silicon compound shown by the following general formula (3) and one or more hydrolysable silicon compound shown by the following general formula (4). There can be provided a composition for forming a resist underlayer film applicable not only to a resist pattern obtained in a negative development but also to a resist pattern obtained in a conventional positive development, and a patterning process using this composition.          R1m1R2m2R3m3Si(OR)(4-m1-m2-m3)     (1)          U(OR4)m4(OR5)m5     (2)          R6m6R7m7R8m8Si(OR9)(4-m6-m7-m8)     (3)          Si(OR10)4     (4)

  本发明提供了一种用于形成含硅抗蚀剂底层薄膜的组合物，该组合物包括 (A)由至少含有下式(1)所示的一种或多种可水解硅化合物和下式(2)所示的一种或多种可水解化合物的混合物经水解-缩合反应得到的含硅化合物，和(B)由至少含有下式(3)所示的一种或多种可水解硅化合物和下式(4)所示的一种或多种可水解硅化合物的混合物经水解-缩合反应得到的含硅化合物。本发明提供了一种用于形成抗蚀剂底层薄膜的组合物，该组合物不仅适用于在负显影中获得的抗蚀剂图案，也适用于在传统正显影中获得的抗蚀剂图案，还提供了一种使用该组合物的图案化工艺。 R1m1R2m2R3m3Si(OR)(4-m1-m2-m3) (1) U(OR4)m4(OR5)m5 (2) R6m6R7m7R8m8Si(OR9)(4-m6-m7-m8) (3) Si(OR10)4 (4)
• US20140273447A1
  申请人：——

  公开号：US20140273447A1

  公开（公告）日：2014-09-18
• US20140273448A1
  申请人：——

  公开号：US20140273448A1

  公开（公告）日：2014-09-18
• UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140363957A1

  公开（公告）日：2014-12-11

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of fluorescein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.