3-(甲基碲基)-1-丙烯 | 114438-52-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机含氧阴离子化合物
• 中文名称: 3-(甲基碲基)-1-丙烯
• 英文名称: methyl(allyl)telluride
• 英文别名: 3-methyltellanyl-1-propene；allylmethyltellurium；allylmethyltelluride；Methylallyltelluride；3-methyltellanylprop-1-ene
• CAS: 114438-52-7
• 化学式: C₄H₈Te
• 分子量: 183.708
• InChiKey: BDYWBKZPUOSJSR-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.34
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-(甲基碲基)-1-丙烯 、 汞 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 mercury(II) telluride
  参考文献：
  名称：

  使用甲基烯丙基碲化物低温生长 HgTe 和 HgCdTe

  摘要：

  使用甲基烯丙基碲化物 (MATe)、二甲基镉 (DMCd) 和元素汞，通过有机金属气相外延在低温下生长 HgTe 和 HgCdTe (MCT) 层。使用 MATe 可以在 250-320°C 的温度范围内生长层，这比使用二异丙基碲化物作为烷基碲时的生长温度低 50°C，且生长速率相同。通过光学显微镜、双晶 X 射线衍射和傅里叶变换红外光谱对这些层进行表征。在 320 °C 下的生长导致 HgTe 和 HgCdTe 层的无特征表面。X 射线衍射的半峰全宽（29 弧秒）非常窄，这证明了在 320°C 下生长的 HgTe 层的高质量，这与本研究中使用的 CdTeZn 衬底相当。

  DOI：

  10.1063/1.102124
• 作为产物：
  描述：

  甲基锂 、 3-溴丙烯 在 碲化氢 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 为溶剂， 反应 2.33h， 以40%的产率得到3-(甲基碲基)-1-丙烯
  参考文献：
  名称：

  RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR AND METHOD FOR PRODUCING POLYMERS

  摘要：

  本发明涉及一种自由基聚合引发剂，其包括由式（1）代表的有机碲化合物，其中R1代表烷基基团或类似物，R2和R3各自独立地代表氢原子或类似物，R4、R5和R6各自独立地代表氢原子或类似物。本发明提供了一种有用于生产在分子末端包含双键的聚合物的自由基聚合引发剂，以及利用该自由基聚合引发剂生产聚合物的方法。

  公开号：

  US20160297755A1

文献信息

• Reaction of 1-bromo-3-chloropropane with tellur and dimethyltelluride in the system of hydrazine hydrate-alkali
  作者：N. V. Russavskaya、E. P. Levanova、E. N. Sukhomazova、V. A. Grabelnykh、A. V. Elaev、L. V. Klyba、E. R. Zhanchipova、A. I. Albanov、I. M. Korotaeva、D. S. Totyashinova、N. A. Korchevin

  DOI：10.1134/s1070363206050112

  日期：2006.5

  A synthesis of oligomeric substance of thiocol type, the poly(trimethyleneditelluride), from 1-bromo-3-chloropropane and elemental tellurium is performed using a hydrazine hydrate-alkali system. Reductive splitting of the tellurocol followed by alkylation with methyl iodide give rise to preparation of bis(methyltelluro)propane, which was synthesized also from dimethyltelluride and 1,3-dihalopropanes using the (N2H4H2O)-H-./KOH system. Mass spectra of the synthesized low molecular weight organotellurium compounds are considered.
• Low‐temperature growth of HgTe and HgCdTe using methylallyltelluride
  作者：S. K. Ghandhi、I. B. Bhat、H. Ehsani、D. Nucciarone、G. Miller

  DOI：10.1063/1.102124

  日期：1989.7.10

  HgTe and HgCdTe (MCT) layers have been grown by organometallic vapor phase epitaxy at low temperature by using methylallyltelluride (MATe), dimethylcadmium (DMCd), and elemental mercury. Use of MATe enabled the growth of layers in the 250–320 °C temperature range, which is 50 °C lower than the growth temperature when diisopropyltelluride is used as the tellurium alkyl, for the same growth rate. The

  使用甲基烯丙基碲化物 (MATe)、二甲基镉 (DMCd) 和元素汞，通过有机金属气相外延在低温下生长 HgTe 和 HgCdTe (MCT) 层。使用 MATe 可以在 250-320°C 的温度范围内生长层，这比使用二异丙基碲化物作为烷基碲时的生长温度低 50°C，且生长速率相同。通过光学显微镜、双晶 X 射线衍射和傅里叶变换红外光谱对这些层进行表征。在 320 °C 下的生长导致 HgTe 和 HgCdTe 层的无特征表面。X 射线衍射的半峰全宽（29 弧秒）非常窄，这证明了在 320°C 下生长的 HgTe 层的高质量，这与本研究中使用的 CdTeZn 衬底相当。
• RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR AND METHOD FOR PRODUCING POLYMERS
  申请人：ZEON CORPORATION

  公开号：US20160297755A1

  公开（公告）日：2016-10-13

  The present invention involves a radical polymerization initiator comprising an organotellurium compound represented by a formula (1), wherein R 1 represents an alkyl group or the like, each of R 2 and R 3 independently represents a hydrogen atom or the like, and each of R 4 , R 5 , and R 6 independently represents a hydrogen atom or the like. The present invention provides: a radical polymerization initiator that is useful for producing a polymer that includes a double bond at the molecular terminal; and a method for producing a polymer that utilizes the radical polymerization initiator.

  本发明涉及一种自由基聚合引发剂，其包括由式（1）代表的有机碲化合物，其中R1代表烷基基团或类似物，R2和R3各自独立地代表氢原子或类似物，R4、R5和R6各自独立地代表氢原子或类似物。本发明提供了一种有用于生产在分子末端包含双键的聚合物的自由基聚合引发剂，以及利用该自由基聚合引发剂生产聚合物的方法。

表征谱图