mercury(II) telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: mercury(II) telluride
• 英文别名: mercury telluride；mercury monotelluride；mercuric telluride
• 化学式: HgTe
• 分子量: 328.19
• InChiKey: AVBOFZQPBVGFPZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  mercury(II) telluride 在 硝酸 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 二氧化碲
  参考文献：
  名称：

  Brukl, A., Sitzungsberichte der Akademie der Wissenschaften in Wien, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Klasse, Abteilung 2B: Chemie, 1924, vol. 133, p. 471 - 484

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  mercury(II) tellurate(IV) 在 SO₂ 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 mercury(II) telluride
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Hg: MVol.B3, 3.5, page 1165 - 1168

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  germanium telluride 、 strontium telluride 、 germanium dioxide 在 mercury(II) telluride 作用下， 以70 %的产率得到Sr₃Ge₂O₄Te₃
  参考文献：
  名称：

  桥接三棱镜单元中的氧原子驱动 Sr3Ge2O4Te3 中的强二次谐波产生效率

  摘要：

  在此，通过“部分O-to-Te取代”策略成功设计并合成了一种新型IR NLO氧碲化物Sr 3 Ge 2 O 4 Te 3 。与母体氧化物相比，Sr 3 Ge 2 O 4 Te 3不仅成功实现了相位匹配性转变（从 NPM 到 PM），而且大大提高了线性和 NLO 性能，包括宽带隙（2.26 eV），强 SHG 响应 (1.3 × AgGaSe 2 ) 和大的光学各向异性 (Δ n = 0.152@2090 nm)。结构-性能关系和 SHG 密度的分析表明 [O 3Ge-O-GeTe 3 ]棱镜单元在倍增倍增效应中起最重要的作用。这项工作为新型 IR NLO 材料的设计和探索提供了一些见解。

  DOI：

  10.1039/d2cc03979f

文献信息

• A Low-Temperature Synthesis for Organically Soluble HgTe Nanocrystals Exhibiting Near-Infrared Photoluminescence and Quantum Confinement
  作者：Marc-Oliver M. Piepenbrock、Tom Stirner、Stephen M. Kelly、Mary O'Neill

  DOI：10.1021/ja060721j

  日期：2006.5.1

  preparation of organically passivated HgTe nanocrystals, without the use of highly toxic precursors. The nanocrystals show bright photoluminescence in the infrared telecommunication windows about 1300 and 1550 nm with quantum efficiencies between 55 and 60%. They have a zinc blende structure with a mean particle diameter of 3.4 nm, thus exhibiting quantum confinement effects. Particle growth is self-limited

  介绍了一种新的低温单锅法，用于制备有机钝化 HgTe 纳米晶体，而无需使用剧毒前体。纳米晶体在大约 1300 和 1550 nm 的红外通信窗口中显示出明亮的光致发光，量子效率在 55% 到 60% 之间。它们具有平均粒径为 3.4 nm 的闪锌矿结构，因此表现出量子限制效应。颗粒生长通过温度淬火自限，因此获得窄的尺寸分布。颗粒的测量尺寸与使用赝势法的计算一致。
• Low‐temperature growth of HgTe and HgCdTe using methylallyltelluride
  作者：S. K. Ghandhi、I. B. Bhat、H. Ehsani、D. Nucciarone、G. Miller

  DOI：10.1063/1.102124

  日期：1989.7.10

  HgTe and HgCdTe (MCT) layers have been grown by organometallic vapor phase epitaxy at low temperature by using methylallyltelluride (MATe), dimethylcadmium (DMCd), and elemental mercury. Use of MATe enabled the growth of layers in the 250–320 °C temperature range, which is 50 °C lower than the growth temperature when diisopropyltelluride is used as the tellurium alkyl, for the same growth rate. The

  使用甲基烯丙基碲化物 (MATe)、二甲基镉 (DMCd) 和元素汞，通过有机金属气相外延在低温下生长 HgTe 和 HgCdTe (MCT) 层。使用 MATe 可以在 250-320°C 的温度范围内生长层，这比使用二异丙基碲化物作为烷基碲时的生长温度低 50°C，且生长速率相同。通过光学显微镜、双晶 X 射线衍射和傅里叶变换红外光谱对这些层进行表征。在 320 °C 下的生长导致 HgTe 和 HgCdTe 层的无特征表面。X 射线衍射的半峰全宽（29 弧秒）非常窄，这证明了在 320°C 下生长的 HgTe 层的高质量，这与本研究中使用的 CdTeZn 衬底相当。
• Low temperature synthesis of binary chalcogenides
  作者：N. Yellin、L. Ben-Dor

  DOI：10.1016/0025-5408(83)90059-4

  日期：1983.7

  Abstract Synthesis of tellurides and selenides of Hg, Cd, Zn, Ge, Sn and Pb at temperatures considerably below the melting point of the compounds, was studied. The reaction went to completion within a few days.

  摘要 研究了在远低于化合物熔点的温度下合成 Hg、Cd、Zn、Ge、Sn 和 Pb 的碲化物和硒化物。反应在几天内完成。
• Convenient, room-temperature liquid ammonia routes to metal chalcogenides
  作者：Geoff Henshaw、Ivan P. Parkin、Graham A. Shaw

  DOI：10.1039/a605665b

  日期：——

  Reaction of sulfur, selenium or tellurium with elemental metals in liquid ammonia at room temperature in a pressure vessel produced metal chalcogenides ME (M = Ca, Sr, Ba, Eu, Yb, Ni, Zn, Cd, Hg, Sn or Pb; E = S, Se or Te), Ag 2 E, solid solutions of mixed-metal chalcogenides M x M′ y E z (x + y = 1, z = 1 or 2), and metal-mixed chalcogenides MS x Se y . Products showed a range of crystallite sizes from 700 Å for PbSe and Ag 2 S to essentially amorphous (ZnS). Heating at 250–300 °C under vacuum for 2 h induced crystallinity in the amorphous powders. The pre- and post-heated metal chalcogenides were analysed by X-ray powder diffraction, Fourier-transform IR, Raman microscopy, scanning electron microscopy-energy dispersive analysis of X-rays, electron microprobe, X-ray photoelectron spectroscopy, elemental analysis and magnetic susceptibility studies.

  在常温下，将硫、硒或碲与元素金属在液态氨中于高压釜内反应，生成了金属硫族化合物ME（M = Ca, Sr, Ba, Eu, Yb, Ni, Zn, Cd, Hg, Sn 或 Pb; E = S, Se 或 Te），Ag2E，固溶体混合金属硫族化合物MxM'yEz（x + y = 1, z = 1 或 2），以及金属混合硫族化合物MSxSey。产物表现出从700 Å的PbSe和Ag2S到基本上非晶态（ZnS）的一系列晶粒尺寸。在真空下加热至250–300 °C保持2小时，诱导了非晶粉末的结晶性。经加热前后的金属硫族化合物通过X射线粉末衍射、傅里叶变换红外、拉曼显微镜、扫描电子显微镜-能量色散X射线分析、电子探针、X射线光电子能谱、元素分析和磁化率研究进行了分析。
• Formation of Crystalline Telluridomercurates from Ionic Liquids near Room Temperature
  作者：Carsten Donsbach、Stefanie Dehnen

  DOI：10.1002/zaac.201600338

  日期：2017.1

  The ternary telluridomercurate Na2[HgTe2] (1) was formed by fusion of Na2Te and HgTe at 600 °C and further treated in the ionic liquid (C4C1Im)[BF4] (C4C1Im = 1-butyl-3-methylimidazolium) at moderately elevated temperatures (60 °C), leading to replacement of the Na+ cations with (C4C1Im)+ and re-arrangement of the inorganic substructure. As a result, we obtained the telluridomercurate (C4C1Im)2[HgTe2]

  三元碲汞酸盐 Na2[HgTe2] (1) 是由 Na2Te 和 HgTe 在 600 °C 下熔融形成的，并在适度升高的温度下在离子液体 (C4ClIm)[BF4]（C4C1Im = 1-丁基-3-甲基咪唑鎓）中进一步处理(60 °C)，导致用 (C4C1Im)+ 替换 Na+ 阳离子并重新排列无机亚结构。结果，除了作为副产物的聚碲化物和 HgTe，我们还获得了碲化物 (C4C1Im)2[HgTe2] (2) 和碲化物/双碲化物 (C4C1Im)2[Hg2Te4] (3)。化合物的重原子组成由显微X射线荧光光谱(μ-XFS)确定，结构由单晶衍射确定。通过紫外/可见光谱进一步研究了阳离子交换盐，表明在 2.80 eV (2) 和 1.63 eV (3) 处有窄带隙光学跃迁，