| 856409-44-4

• CAS: 856409-44-4
• 化学式: C₁₀H₁₀Cl₄N₂W
• 分子量: 483.865
• InChiKey: CEZABVUAPHNNDN-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  、 、 氨 以 苯甲腈 为溶剂， 生成 tungsten carbonitride
  参考文献：
  名称：

  使用烯丙基酰亚胺配合物 Cl[sub 4](RCN)W(NC[sub 3]H[sub 5]) 沉积 WN[sub x]C[sub y]：NH[sub 3] 对薄膜性能的影响

  摘要：

  烯丙基酰亚胺配合物 Cl 4 (RCN)W(NC 3 H 5 ) (la, R = CH 3 ; 1b, R = Ph) 的混合物用于沉积碳化氮化钨 (WN x C y ) 薄膜，其中氨作为共反应物。沉积在化学气相沉积反应器中在 450-750°C 的温度范围内完成。研究了氨对薄膜组成、结晶度、晶格参数、晶粒尺寸、薄膜生长速率和电阻率的影响。重要的是，在 450°C 下以氨作为共反应物生长的薄膜是无定形的，氮含量增加了大约五倍，氧含量显着降低。低于 500°C 沉积的薄膜是无定形的，而在 500°C 和高于 500°C 沉积的薄膜是多晶的。X 射线衍射图表明固溶体 β-WN x C y 或 β-WN 0.5 和 β-WC 0.6 共存于薄膜中。阿伦尼乌斯图产生了 0.34 eV 的表观活化能，用于从 la、b 和氨的生长，而没有氨的沉积报告的值为 0.15 eV。正如预期的那样，用氨沉积的薄膜表现出更高的薄膜电阻率，在

  DOI：

  10.1149/1.2961053