copper(II) 2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylthio)phthalocyanine | 156976-49-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 四吡咯及其衍生物
• 英文名称: copper(II) 2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylthio)phthalocyanine
• CAS: 156976-49-7
• 化学式: C₈₀H₁₁₂CuN₈S₈
• 分子量: 1505.9
• InChiKey: JGWKTAVDQWMSHP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  copper(II) 2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylthio)phthalocyanine 在 间氯过氧苯甲酸 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 16.0h， 以56%的产率得到2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylsulfonyl)phthalocyaninato copper
  参考文献：
  名称：

  2,3,9,10,16,17,23,24-Octakis(hexylsulfonyl)phthalocyanines with good n-type semiconducting properties. Synthesis, spectroscopic, and electrochemical characteristics

  摘要：

  我们系统地研究了具有八个强夺电子己基磺酰基的外围八代酞菁化合物的合成。通过 4,5-二（己基磺酰基）邻苯二甲腈的直接环状四聚化或通过二亚氨基异吲哚啉中间体合成了三种新的酞菁 M[Pc(SO2C6H13)8] [Pc(SO2C6H13)8 = 2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylsulfonyl)phthalocyaninate; M = 2H (1), Cu (2), Zn (3)]。化合物 1-3 也可以通过间氯过苯甲酸氧化相应的 2,3,9,10,16,17,23,24-八(己硫基)酞菁化合物 M[Pc(SC6H13)8] （M = 2H、Cu、Zn）中的己硫基来制备。通过元素分析和一系列光谱方法对这些化合物进行了全面表征。通过循环伏安法（CV）和微分脉冲伏安法（DPV）研究了它们的电化学性质。通过密度函数理论（DFT）计算，研究了强夺电子基团对酞菁分子电子结构的影响。特别是 1-3 对饱和甘汞电极（SCE）的首次还原电位在-0.30∼-0.04 V 范围内，揭示了它们的 n 型半导体性质。其聚集体的电流-电压特性显示了良好的半导体特性，尤其是 1 和 2，其电导率值分别为 5.24 × 10-4 和 2.73 × 10-4 S m-1。

  DOI：

  10.1039/c1jm10295h
• 作为产物：
  描述：

  1,2-dicyano-4,5-bis(hexylthio)benzene 在 辛醇 、 lithium 、 溶剂黄146 、 copper diacetate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 72.0h， 以248 mg的产率得到copper(II) 2,3,9,10,16,17,23,24-octakis(hexylthio)phthalocyanine
  参考文献：
  名称：

  Halide effect in electron rich and deficient discotic phthalocyanines

  摘要：

  合成了一系列盘形八烷基和四烷基硫取代的酞菁，包含四个氯、溴、碘原子或十二个氟原子。所有化合物均表现出柱状介晶性，已通过偏振光显微镜、热分析和变温X射线衍射确认。含卤素原子的酞菁不结晶，而是形成玻璃态或部分结晶的六角柱状相。玻璃转变温度随着卤素原子尺寸的增大和烷基链长度的缩短而升高。相对而言，所有八烷基和四烷基硫取代的酞菁均可结晶，且具有C5–7的烷基链长度的八取代衍生物显示出倾斜（矩形）柱状介晶相。利用循环伏安、差分脉冲伏安、紫外-可见光谱法及DFT水平的量子化学计算来确定所有合成的和一些参考酞菁的前沿轨道能量。八烷基和四烷基硫取代的酞菁是典型的p型半导体，引入四个氯、溴或碘原子仅使前沿轨道能量降低至多0.1 eV，光学带隙降低至多0.03 eV。氟化酞菁的LUMO能量显著降低0.5 eV，降至约−4 eV，这一数值恰好位于有机n型半导体的临界值，可能在空气中稳定。

  DOI：

  10.1039/b917169j

文献信息

• Guerek, Ayse Guel; Bekaroglu, Oezer, Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, 1994, # 9, p. 1419 - 1424
  作者：Guerek, Ayse Guel、Bekaroglu, Oezer

  DOI：——

  日期：——