锌（II）-2,3,9,10,16,17,23,24-八氟-29H，31H-酞菁 | 676519-80-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 四吡咯及其衍生物
• 中文名称: 锌（II）-2,3,9,10,16,17,23,24-八氟-29H，31H-酞菁
• 英文名称: zinc 2,3,9,10,16,17,23,24-octafluoro-29H,31H-phthalocyanine
• 英文别名: zinc octafluorophthalocyanine；[2,2',2'',2''',3,3',3'',3'''-octafluorophthalocyaninato zinc(II)]；ZnPcF8；F8PcZn；F8ZnPc；zinc;6,7,15,16,24,25,33,34-octafluoro-2,11,20,29,37,38-hexaza-39,40-diazanidanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1,3,5,7,9,11,13,15,17,19,21(38),22,24,26,28,30(37),31,33,35-nonadecaene
• CAS: 676519-80-5
• 化学式: C₃₂H₈F₈N₈Zn
• 分子量: 721.846
• InChiKey: LCWFBICUUCOBJG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.24
• 重原子数：
  49
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  9.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  76.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  4,5-二氟酞腈 、 zinc(II) chloride 在 N,N-二甲基乙醇胺 作用下， 反应 18.0h， 以25%的产率得到锌（II）-2,3,9,10,16,17,23,24-八氟-29H，31H-酞菁
  参考文献：
  名称：

  用于产生高能电荷分离态的高电势全氟酞菁-富勒烯二元化合物：形成和光致电子转移研究

  摘要：

  合成了具有高氧化电位的全氟化锌酞菁（ZnF n Pcs），并通过富勒烯（C 60）衍生物的金属-配体轴向配位形成供体-受体二元体系，系统地研究了它们的光谱，氧化还原和光诱导电子转移性质。吸收和荧光光谱研究表明，吡啶（Py）和苯基咪唑官能化的富勒烯（C 60 Im）衍生物可以有效地结合到F n Pcs的锌中心。1：1配合物在邻二氯苯中确定的结合常数K约为10 4至10 5 M -1 ; 比由缺少氟取代基的锌酞菁（ZnPc）形成的二元组所观察到的二元组高出近一个数量级。通过使用B3LYP / 6-31G *方法确定二元组的几何形状和电子结构。HOMO和LUMO级别分别位于Pc和C 60实体上。这表明在电子转移过程中形成了ZnF n Pc 。+ –C 60 Im .-和ZnF n Pc 。+ –C 60 Py .-（n = 0、8或16）的超分子内电荷分离态。ZnPc–C 60的电化学研究二面体

  DOI：

  10.1002/cphc.201402118

文献信息

• Fluorinated phthalocyanines as molecular semiconductor thin films
  作者：H. Brinkmann、C. Kelting、S. Makarov、O. Tsaryova、G. Schnurpfeil、D. Wöhrle、D. Schlettwein

  DOI：10.1002/pssa.200723391

  日期：2008.3

  Thin films of perfluorinated phthalocyanines F16Pc show promise as molecular semiconductors in organic field effect transistors. A review is provided of growth studies and electrical characterization of presently discussed materials. Using this state-of-the-art as a starting point the synthesis and position of energy levels of partly fluorinated Zn(II) phthalocyanines is described. Growth characteristics

  全氟酞菁薄膜 F16Pc 有望作为有机场效应晶体管中的分子半导体。对目前讨论的材料的生长研究和电气特性进行了回顾。使用这种最先进的技术作为起点，描述了部分氟化的 Zn(II) 酞菁的能级的合成和位置。研究了气相沉积薄膜在无机和有机电介质上的生长特性。讨论了在 OFET 技术应用中使用氟化酞菁的可能性。（© 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）