4-[(Methanesulfonyl)amino]cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate | 820972-51-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: 4-[(Methanesulfonyl)amino]cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate
• 英文别名: [4-(methanesulfonamido)cyclohexyl] 2-methylprop-2-enoate
• CAS: 820972-51-8
• 化学式: C₁₁H₁₉NO₄S
• 分子量: 261.34
• InChiKey: GHULUCSDPHYCNS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  80.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲基磺酰氯 、 4-氨基环己醇 、 三乙胺 、 甲基丙烯酰氯 在 氮气 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 6.0h， 以obtaining 196 g of 4-[(methylsulfonyl)amino]cyclohexyl methacrylate的产率得到4-[(Methanesulfonyl)amino]cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate
  参考文献：
  名称：

  Polymerizable ester having sulfonamide structure, polymer, resist composition and patterning process

  摘要：

  具有磺酰胺结构的新型酯类化合物可聚合成聚合物，在波长高达300纳米，特别是ArF准分子激光光下具有改善的透明度和干法蚀刻抗性。 包含这些聚合物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有高分辨率，并易于使用电子束或深紫外线进行微图案化。

  公开号：

  US07285368B2

文献信息

• PATTERN FORMING PROCESS AND SHRINK AGENT
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20160139512A1

  公开（公告）日：2016-05-19

  A negative pattern is formed by applying a resist composition onto a substrate, exposing the resist film, and developing the exposed resist film in an organic solvent developer. The process further involves coating the negative pattern with a shrink agent solution of a polymer comprising recurring units capable of forming lactone under the action of acid in a C 7 -C 16 ester or C 8 -C 16 ketone solvent, baking the coating, and removing the excessive shrink agent via organic solvent development for thereby shrinking the size of spaces in the pattern.
• PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20170010537A1

  公开（公告）日：2017-01-12

  A negative tone pattern is formed by coating a resist composition onto a substrate, prebaking to form a resist film, exposing the resist film to high-energy radiation, PEB the resist film in a high-humidity environment, and developing the resist film in an organic solvent developer. PEB in a high-humidity environment is effective for reducing the shrinkage of the resist film during the step and thus preventing the trench pattern from deformation.
• US9618850B2
  申请人：——

  公开号：US9618850B2

  公开（公告）日：2017-04-11
• US9632415B2
  申请人：——

  公开号：US9632415B2

  公开（公告）日：2017-04-25
• US9658532B2
  申请人：——

  公开号：US9658532B2

  公开（公告）日：2017-05-23