4,4'-亚甲基二偶氮苯二(四氟硼酸盐) | 53091-46-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 4,4'-亚甲基二偶氮苯二(四氟硼酸盐)
• 中文别名: 二(四氟硼酸)4,4'-亚甲基二苯重氮化
• 英文名称: 4,4'-Methylenebisbenzenediazonium bis(tetrafluoroborate)
• 英文别名: 4-[(4-diazoniophenyl)methyl]benzenediazonium;ditetrafluoroborate
• CAS: 53091-46-6
• 化学式: C13H10B2F8N4
• 分子量: 395.9
• InChiKey: GPVFQJGKMHMJIH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.85
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  56.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  12

安全信息

• 海关编码：
  2927000090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4,4'-亚甲基二偶氮苯二(四氟硼酸盐) 、 烯丙基腈 、 水 在 醋酸钯 乙酸乙酯 、 水 、 Brine 、 magnesium sulfate 、 乙醇 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 反应 22.0h， 以yielding 5.44 g (61%) of 4-{4-[4-(3-cyano-propenyl)-benzyl]-phenyl}-but-3-enenitrile as light beige crystals, melting point 128-130° C.的产率得到4-{4-[4-(3-Cyano-propenyl)-benzyl]-phenyl}-but-3-enenitrile
  参考文献：
  名称：

  Unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids

  摘要：

  化合物的公式为I、II或III，其中m为零或1；n为1、2或3；R1包括未取代或取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、杂环基或C2-C12烯基；R′1包括乙烯基、苯基、萘基、二苯基基或氧二苯基基；R2包括CN、C1-C4卤代烷基、C2-C6烷氧羰基、苯氧羰基或苯甲酰基；R3包括C1-C18烷基磺酰基、苯基-C1-C3烷基磺酰基、樟脑基磺酰基或苯磺酰基；R′3包括C2-C12烷二磺酰基、苯基二磺酰基、萘基二磺酰基、二苯基基二磺酰基或氧二苯基基二磺酰基；R4和R5包括氢、卤素、C1-C8烷基、C1-C6烷氧基、C1-C4卤代烷基、CN、NO2、C2-C6酰基、苯甲酰基、苯基、-S-苯基、OR6、SR9、NR7R8、C2-C6烷氧羰基或苯氧羰基；R6包括氢、苯基或C1-C12烷基；R7和R8包括氢或C1-C12烷基；R9包括C1-C12烷基；R10、R11和R12包括C1-C6烷基或苯基；在辐照下反应为产生酸的化合物，因此适用于光刻胶应用。

  公开号：

  US06703182B1

文献信息

• Unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
  申请人：Ciba Specialty Chemicals Corporation

  公开号：US06703182B1

  公开（公告）日：2004-03-09

  Compounds of formulae I, II or III wherein m is zero or 1; n is 1, 2 or 3; R1 inter alia is unsubstituted or substituted phenyl, or naphthyl, anthracyl, phenanthryl, a heteroaryl radical, or C2-C12alkenyl; R′1 inter alia is vinylene, phenylene, naphthylene, diphenylene or oxydiphenylene; R2 inter alia is CN, C1-C4haloalkyl, C2-C6alkoxycarbonyl, phenoxycarbonyl, or benzoyl; R3 inter alia is C1-C18alkylsulfonyl, phenyl-C1-C3alkylsulfonyl, camphorylsulfonyl, or phenylsulfonyl; R′3 inter alia is C2-C12alkylenedisulfonyl, phenylenedisulfonyl, naphthylenedisulfonyl, diphenylenedisulfonyl, or oxydiphenylenedisulfonyl; R4 and R5 inter alia are hydrogen, halogen, C1-C8alkyl, C1-C6alkoxy, C1-C4haloalkyl, CN, NO2, C2-C6alkanoyl, benzoyl, phenyl, —S-phenyl, OR6, SR9, NR7R8, C2-C6alkoxycarbonyl or phenoxycarbonyl; R6 inter alia is hydrogen, phenyl or C1-C12alkyl; R7 and R8 inter alia are hydrogen or C1-C12alkyl; R9 inter alia is C1-C12 alkyl; R10, R11 and R12 inter alia are C1-C6alkyl or phenyl; upon irradiation react as acid generating compounds and thus are suitable in photoresist applications.

  化合物的公式为I、II或III，其中m为零或1；n为1、2或3；R1包括未取代或取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、杂环基或C2-C12烯基；R′1包括乙烯基、苯基、萘基、二苯基基或氧二苯基基；R2包括CN、C1-C4卤代烷基、C2-C6烷氧羰基、苯氧羰基或苯甲酰基；R3包括C1-C18烷基磺酰基、苯基-C1-C3烷基磺酰基、樟脑基磺酰基或苯磺酰基；R′3包括C2-C12烷二磺酰基、苯基二磺酰基、萘基二磺酰基、二苯基基二磺酰基或氧二苯基基二磺酰基；R4和R5包括氢、卤素、C1-C8烷基、C1-C6烷氧基、C1-C4卤代烷基、CN、NO2、C2-C6酰基、苯甲酰基、苯基、-S-苯基、OR6、SR9、NR7R8、C2-C6烷氧羰基或苯氧羰基；R6包括氢、苯基或C1-C12烷基；R7和R8包括氢或C1-C12烷基；R9包括C1-C12烷基；R10、R11和R12包括C1-C6烷基或苯基；在辐照下反应为产生酸的化合物，因此适用于光刻胶应用。