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5-sulfanyl-N-(3,3,3-trifluoropropyl)pentanamide | 1519064-82-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
5-sulfanyl-N-(3,3,3-trifluoropropyl)pentanamide
英文别名
——
5-sulfanyl-N-(3,3,3-trifluoropropyl)pentanamide化学式
CAS
1519064-82-4
化学式
C8H14F3NOS
mdl
——
分子量
229.266
InChiKey
AJTNVSTVMXVPBF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.9
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.88
  • 拓扑面积:
    30.1
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    5

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    5-溴戊酰氯三乙胺硫脲 作用下, 以 乙醇二氯甲烷 为溶剂, 反应 22.0h, 生成 5-sulfanyl-N-(3,3,3-trifluoropropyl)pentanamide
    参考文献:
    名称:
    电荷隧道速率对 AgTSS(CH2)nM(CH2)mT//Ga2O3/EGaIn 结中自组装单层中的极性终端基团不敏感
    摘要:
    本文描述了不带电的极性官能团对电荷传输速率的影响的物理有机研究,该研究通过穿过基于自组装单层 (SAM) 的 Ag(TS)S(CH2 )(n)M(CH2)(m)T//Ga2O3/EGaIn。这里Ag(TS)是模板剥离的银衬底,-M-和-T是“中间”和“末端”官能团,EGaIn是共晶镓铟合金。十二个不带电荷的极性基团 (-T = CN, CO2CH3, CF3, OCH3, N(CH3)2, CON(CH3)2, SCH3, SO2CH3, Br, P(O)(OEt)2, NHCOCH3, OSi(OCH3)3 ),具有在 0.5 < μ < 4.5 范围内的永久偶极矩,被合并到 SAM 中。将这些结的电特性与由正链烷硫醇盐形成的结的电特性进行比较,得出的结论是,电荷隧穿速率对用该组中的末端极性基团替换末端烷基不敏感。在这项工作中测量的电流密度表明,以非极性 n-烷基终止的 SAM 的隧道衰
    DOI:
    10.1021/ja409771u
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文献信息

  • The Rate of Charge Tunneling Is Insensitive to Polar Terminal Groups in Self-Assembled Monolayers in Ag<sup>TS</sup>S(CH<sub>2</sub>)<sub><i>n</i></sub>M(CH<sub>2</sub>)<sub><i>m</i></sub>T//Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/EGaIn Junctions
    作者:Hyo Jae Yoon、Carleen M. Bowers、Mostafa Baghbanzadeh、George M. Whitesides
    DOI:10.1021/ja409771u
    日期:2014.1.8
    substrate, -M- and -T are "middle" and "terminal" functional groups, and EGaIn is eutectic gallium-indium alloy. Twelve uncharged polar groups (-T = CN, CO2CH3, CF3, OCH3, N(CH3)2, CON(CH3)2, SCH3, SO2CH3, Br, P(O)(OEt)2, NHCOCH3, OSi(OCH3)3), having permanent dipole moments in the range 0.5 < μ < 4.5, were incorporated into the SAM. A comparison of the electrical characteristics of these junctions
    本文描述了不带电的极性官能团对电荷传输速率的影响的物理有机研究,该研究通过穿过基于自组装单层 (SAM) 的 Ag(TS)S(CH2 )(n)M(CH2)(m)T//Ga2O3/EGaIn。这里Ag(TS)是模板剥离的银衬底,-M-和-T是“中间”和“末端”官能团,EGaIn是共晶镓铟合金。十二个不带电荷的极性基团 (-T = CN, CO2CH3, CF3, OCH3, N(CH3)2, CON(CH3)2, SCH3, SO2CH3, Br, P(O)(OEt)2, NHCOCH3, OSi(OCH3)3 ),具有在 0.5 < μ < 4.5 范围内的永久偶极矩,被合并到 SAM 中。将这些结的电特性与由正链烷硫醇盐形成的结的电特性进行比较,得出的结论是,电荷隧穿速率对用该组中的末端极性基团替换末端烷基不敏感。在这项工作中测量的电流密度表明,以非极性 n-烷基终止的 SAM 的隧道衰
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