4-(3-hydroxypropyloxy)styrene | 136039-82-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: 4-(3-hydroxypropyloxy)styrene
• 英文别名: 3-(4-Ethenylphenoxy)propan-1-ol
• CAS: 136039-82-2
• 化学式: C₁₁H₁₄O₂
• 分子量: 178.231
• InChiKey: BWJLDSKZWSWLFI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.27
• 拓扑面积：
  29.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-(3-hydroxypropyloxy)styrene 在 氢氧化钾 、 Palladacycle 、 三乙胺 、 三苯基膦 、 偶氮二甲酸二乙酯 作用下， 以 乙醇 、 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 25.0h， 生成 2-methyl-1,4-bis[2-(4-acryloyloxypropyloxyphenyl)ethenyl]benzene
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and characterisation of a conjugated reactive mesogen

  摘要：

  报告了 2-甲基-1,4-双[2-(4-丙酰氧基丙酰氧基苯基)乙烯基]苯（1）和 2-甲基-1,4-双[2-(4-丙烯酰氧基丙酰氧基苯基)乙烯基]苯（2）的合成。对其液晶和光物理行为进行了研究。可以检测到两种液晶相，其中温度较低的液晶相表现出强烈的氢聚集。液晶相中的活性介质薄膜可以排列成单域，并能以受控方式聚合成难以处理的各向异性网络。

  DOI：

  10.1039/a906371d
• 作为产物：
  描述：

  4-乙酰氧基苯乙烯 、 3-溴-1-丙醇 在 sodium ethanolate 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 反应 25.0h， 以58%的产率得到4-(3-hydroxypropyloxy)styrene
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and characterisation of a conjugated reactive mesogen

  摘要：

  报告了 2-甲基-1,4-双[2-(4-丙酰氧基丙酰氧基苯基)乙烯基]苯（1）和 2-甲基-1,4-双[2-(4-丙烯酰氧基丙酰氧基苯基)乙烯基]苯（2）的合成。对其液晶和光物理行为进行了研究。可以检测到两种液晶相，其中温度较低的液晶相表现出强烈的氢聚集。液晶相中的活性介质薄膜可以排列成单域，并能以受控方式聚合成难以处理的各向异性网络。

  DOI：

  10.1039/a906371d

文献信息

• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20150086912A1

  公开（公告）日：2015-03-26

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (P) a resin having a repeating unit (A) represented by the specific formula (I) capable of generating an acid on the side chain of the resin upon irradiation with an actinic ray or radiation, and a resist film formed with the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method comprising: exposing the resist film, and developing the exposed resist film, and a method for manufacturing a semiconductor device, containing the pattern forming method, and a semiconductor device manufactured by the manufacturing method of the semiconductor device.