3-iodo-5-(trifluoromethyl)phenol | 1073339-06-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 3-iodo-5-(trifluoromethyl)phenol
• CAS: 1073339-06-6
• 化学式: C₇H₄F₃IO
• 分子量: 288.008
• InChiKey: IRYVCYRTDUSRLC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  273.7±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  2.007±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  20.2
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-iodo-5-(trifluoromethyl)phenol 在 氢气 、 铜 、 potassium carbonate 、 钯 作用下， 以 甲醇 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 丙酮 为溶剂， 反应 58.0h， 生成 1-(3-((4-amino-6-((3-chloro-4-methylphenyl)amino)-1,3,5-triazin-2-yl)methoxy)-5-(trifluoromethyl)phenyl)pyrrolidin-2-one
  参考文献：
  名称：

  Optimization of First-in-Class Dual-Acting FFAR1/FFAR4 Allosteric Modulators with Novel Mode of Action

  摘要：

  DOI：

  10.1021/acsmedchemlett.2c00160
• 作为产物：
  描述：

  3-amino-5-(trifluoromethyl)phenol 在 硫酸 、 sodium nitrite 、 potassium iodide 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 8.5h， 以79%的产率得到3-iodo-5-(trifluoromethyl)phenol
  参考文献：
  名称：

  PRMT1 INHIBITORS AND USES THEREOF

  摘要：

  本文描述了式（I）的化合物，其药用盐以及药物组成物。本文描述的化合物可用于抑制PRMT1活性。还描述了使用这些化合物治疗PRMT1介导的疾病的方法。

  公开号：

  US20140288140A1

文献信息

• PRMT1 inhibitors and uses thereof
  申请人：Epizyme, Inc.

  公开号：US08952026B2

  公开（公告）日：2015-02-10

  Described herein are compounds of Formula (I), pharmaceutically acceptable salts thereof, and pharmaceutical compositions thereof. Compounds described herein are useful for inhibiting PRMT1 activity. Methods of using the compounds for treating PRMT1-mediated disorders are also described.

  本文描述了公式（I）的化合物，其药学上可接受的盐以及其药物组成物。本文所述的化合物对于抑制PRMT1活性是有用的。还描述了使用这些化合物治疗PRMT1介导的疾病的方法。
• PYRAZOLE DERIVATIVES AS PRMT1 INHIBITORS AND USES THEREOF
  申请人：EPIZYME, INC.

  公开号：US20160039767A1

  公开（公告）日：2016-02-11

  Described herein are compounds of Formula (I), pharmaceutically acceptable salts thereof, and pharmaceutical compositions thereof. Compounds described herein are useful for inhibiting PRMT1 activity. Methods of using the compounds for treating PRMT1-mediated disorders are also described.

  本文描述了式(I)的化合物，其药学上可接受的盐以及其制药组合物。此处所述的化合物可用于抑制PRMT1活性。还描述了使用这些化合物治疗PRMT1介导的疾病的方法。
• Composition for forming a resist upper-layer film and method for producing a semiconductor device using the composition
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10042258B2

  公开（公告）日：2018-08-07

  This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.

  这种用于形成极紫外（EUV）或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物包括（a）聚合物（P）和（b）溶剂，溶剂中的C4-12酮化合物占整个溶剂的1-13质量％，用于半导体设备制造过程中的光刻工艺。这种用于形成 EUV 或电子束上层抗蚀剂薄膜的组合物无需与抗蚀剂混合，尤其是在进行 EUV 曝光时，可阻挡不希望的曝光光（例如紫外线 (UV) 或深紫外线 (DUV)），并选择性地只透射 EUV 射线，曝光后可使用显影液进行显影。
• PYRAZOLE DERIVATIVES ASPRMT1 INHIBITORS AND USES THEREOF
  申请人：Epizyme, Inc.

  公开号：EP2970134A1

  公开（公告）日：2016-01-20
• COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UPPER-LAYER FILM AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITION
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20170205711A1

  公开（公告）日：2017-07-20

  This composition for forming an extreme-ultraviolet (EUV) or electron-beam upper-layer resist film including (a) a polymer (P) and (b) a solvent, the solvent containing 1 to 13 mass % of a C4-12 ketone compound with respect to the entire solvent, is used in the lithography process of a procedure for manufacturing a semiconductor device. Without needing to be intermixed with a resist, and particularly on the occasion of EUV exposure, the composition for forming an EUV or electron-beam upper-layer resist film blocks undesirable exposure light, e.g., ultraviolet (UV) or deep ultraviolet (DUV) rays, and selectively transmits only the EUV rays, and can be developed using a developing solution after exposure.