我们在此报告了一种成功的 n 型半导体材料设计策略,该策略基于与有效 p 型半导体的类比,通过引入吸电子基团,同时在寡芳基核的每一侧省略一个
噻吩单元时保持分子的对称性。以 Suzuki 或 Stille 交叉偶联和 Knoevenagel 缩合为关键步骤合成了两个系列的被各种吸电子基团取代的二
噻吩基
萘和四
噻吩。比较了与吸电子基团效应相关的理论和实验分子性质。DFT计算和实验确定的前沿轨道之间的能隙值均显示出按
全氟烷基、酰基、
全氟酰基、硝基、烷基二
氰基
乙烯基和
全氟烷基二
氰基
乙烯基在这两个系列中。五种衍
生物的 X 射线分析揭示了具有人字形或层状填充图案的寡芳基核心的几乎平面几何形状。四
噻吩的晶体结构呈现出 s-与理论预测相反,晶体中外部
噻吩之间的顺式构象。基于羰基的化合物在OFET器件中作为有源层表现出n型行为,电子迁移率高达0.57 cm 2 V -1 s -1。