3-(2-amino-2-methylpropyl)-5,5-dimethylpyrrolidin-2-one | 2091769-83-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 内酰胺类
• 英文名称: 3-(2-amino-2-methylpropyl)-5,5-dimethylpyrrolidin-2-one
• CAS: 2091769-83-2
• 化学式: C₁₀H₂₀N₂O
• 分子量: 184.282
• InChiKey: WKXNWCZOAJUDSY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.3
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.9
• 拓扑面积：
  55.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-(2-amino-2-methylpropyl)-5,5-dimethylpyrrolidin-2-one 在 N,O-双三甲硅基乙酰胺 、 双(三甲基硅烷基)氨基钾 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙腈 为溶剂， 反应 49.0h， 生成 copper(I) 2,2,5,5-tetramethyl-1,2,3,3a,4,5-hexahydropyrrolo[2,3-b]pyrrolide
  参考文献：
  名称：

  5,5-双环脒作为热稳定气相沉积前体配体的合成

  摘要：

  我们描述了三种全脂族 5,5-双环脒的合成。该合成方法简单且可扩展，并且可以轻松修改以生产具有其他取代模式的其他 5,5-双环脒配体。用 KHMDS 处理其中一个配体，然后用 CuCl 进行金属转移，在重结晶后以 55% 的产率产生二聚铜 (I) 双环脒络合物。这种适度空气稳定的配合物表现出良好的挥发性和热分解速率，比类似但无环的脒酸铜 (I) 低 1 个数量级。总之，这些配体实现了一种通用方法，用于生产具有多种金属的热稳定金属脒前体库，用于气相沉积。

  DOI：

  10.1021/acs.organomet.6b00954
• 作为产物：
  描述：

  2-硝基丙烷 、 2-溴甲基丙烯酸乙酯 在 1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯 、 氢气 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 20.0~50.0 ℃ 、1.03 MPa 条件下， 反应 192.0h， 以72%的产率得到3-(2-amino-2-methylpropyl)-5,5-dimethylpyrrolidin-2-one
  参考文献：
  名称：

  5,5-双环脒作为热稳定气相沉积前体配体的合成

  摘要：

  我们描述了三种全脂族 5,5-双环脒的合成。该合成方法简单且可扩展，并且可以轻松修改以生产具有其他取代模式的其他 5,5-双环脒配体。用 KHMDS 处理其中一个配体，然后用 CuCl 进行金属转移，在重结晶后以 55% 的产率产生二聚铜 (I) 双环脒络合物。这种适度空气稳定的配合物表现出良好的挥发性和热分解速率，比类似但无环的脒酸铜 (I) 低 1 个数量级。总之，这些配体实现了一种通用方法，用于生产具有多种金属的热稳定金属脒前体库，用于气相沉积。

  DOI：

  10.1021/acs.organomet.6b00954

文献信息

• METAL BICYCLIC AMIDINATES
  申请人：President and Fellows of Harvard College

  公开号：US20180273550A1

  公开（公告）日：2018-09-27

  Compounds are synthesized with bicyclic amidinate ligands attached to one or more metal atoms. These compounds are useful for the synthesis of materials containing metals. Examples include pure metals, metal alloys, metal oxides, metal nitrides, metal phosphides, metal sulfides, metal selenides, metal tellurides, metal borides, metal carbides, metal silicides and metal germanides. Techniques for materials synthesis include vapor deposition (chemical vapor deposition and atomic layer deposition), liquid solution methods (sol-gel and precipitation) and solid-state pyrolysis. Copper metal films are formed on heated substrates by the reaction of copper(I) bicyclic amidinate vapor and hydrogen gas, whereas reaction with water vapor produces copper oxide. Silver and gold films were deposited on surfaces by reaction of their respective bicyclic amidinate vapors with hydrogen gas. Reaction of cobalt(II) bis(bicyclic amidinate) vapor, ammonia gas and hydrogen gas deposits cobalt metal films on heated substrates, while reaction with ammonia produces cobalt nitride and reaction with water vapor produces cobalt oxide. Ruthenium metal films are deposited by reaction of ruthenium(II) bis(bicyclic amidinate) or ruthenium(III) tris(bicyclic amidinate) at a heated surface either with or without a co-reactant such as hydrogen gas or ammonia or oxygen. Suitable applications include electrical interconnects in microelectronics and magnetoresistant layers in magnetic information storage devices. Hafnium oxide films are deposited by reaction of hafnium(IV) tetrakis(bicyclic amidinate) with oxygen sources such as water, hydrogen peroxide or ozone. The HfO 2 films have high dielectric constant and low leakage current, suitable for applications as an insulator in microelectronics. The films have very uniform thickness and complete step coverage in narrow holes.

  化合物是由连接到一个或多个金属原子的双环胺基酸配体合成的。这些化合物对于合成含有金属的材料非常有用。例如，纯金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物、金属磷化物、金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、金属硼化物、金属碳化物、金属硅化物和金属锗化物。材料合成的技术包括气相沉积（化学气相沉积和原子层沉积）、液相溶液方法（溶胶-凝胶和沉淀）和固相热解。在加热基底上，通过铜(I)双环胺基酸蒸汽和氢气的反应形成铜金属薄膜，而与水蒸气的反应则产生氧化铜。通过它们的双环胺基酸蒸汽与氢气反应，在表面上沉积了银和金薄膜。在加热基底上，通过钴(II)双(双环胺基酸)蒸汽、氨气和氢气的反应，在表面上沉积了钴金属薄膜，而与氨气反应产生钴氮化物，与水蒸气反应产生氧化钴。通过在加热表面上使用钌(II)双(双环胺基酸)或钌(III)三(双环胺基酸)与氢气或氨气或氧等共反应剂的反应来沉积钌金属薄膜。适用的应用包括微电子中的电连接和磁信息存储设备中的磁电阻层。通过铪(IV)四(双环胺基酸)与水、双氧水或臭氧等氧源的反应来沉积铪氧化物薄膜。HfO2薄膜具有高介电常数和低泄漏电流，适用于微电子中的绝缘体应用。这些薄膜在窄孔中具有非常均匀的厚度和完全的阶梯覆盖。
• Metal bicyclic amidinates
  申请人：President and Fellows of Harvard College

  公开号：US11161857B2

  公开（公告）日：2021-11-02

  Compounds are synthesized with bicyclic amidinate ligands attached to one or more metal atoms. These compounds are useful for the synthesis of materials containing metals. Examples include pure metals, metal alloys, metal oxides, metal nitrides, metal phosphides, metal sulfides, metal selenides, metal tellurides, metal borides, metal carbides, metal silicides and metal germanides. Techniques for materials synthesis include vapor deposition (chemical vapor deposition and atomic layer deposition), liquid solution methods (sol-gel and precipitation) and solid-state pyrolysis. Copper metal films are formed on heated substrates by the reaction of copper(I) bicyclic amidinate vapor and hydrogen gas, whereas reaction with water vapor produces copper oxide. Silver and gold films were deposited on surfaces by reaction of their respective bicyclic amidinate vapors with hydrogen gas. Reaction of cobalt(II) bis(bicyclic amidinate) vapor, ammonia gas and hydrogen gas deposits cobalt metal films on heated substrates, while reaction with ammonia produces cobalt nitride and reaction with water vapor produces cobalt oxide. Ruthenium metal films are deposited by reaction of ruthenium(II) bis(bicyclic amidinate) or ruthenium(III) tris(bicyclic amidinate) at a heated surface either with or without a co-reactant such as hydrogen gas or ammonia or oxygen. Suitable applications include electrical interconnects in microelectronics and magnetoresistant layers in magnetic information storage devices. Hafnium oxide films are deposited by reaction of hafnium(IV) tetrakis(bicyclic amidinate) with oxygen sources such as water, hydrogen peroxide or ozone. The HfO2 films have high dielectric constant and low leakage current, suitable for applications as an insulator in microelectronics. The films have very uniform thickness and complete step coverage in narrow holes.

  双环脒基配体与一个或多个金属原子相连，合成出化合物。这些化合物可用于合成含有金属的材料。例如纯金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物、金属磷化物、金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、金属硼化物、金属碳化物、金属硅化物和金属锗化物。材料合成技术包括气相沉积法（化学气相沉积法和原子层沉积法）、液溶法（溶胶-凝胶法和沉淀法）和固态热解法。金属铜膜是通过铜（I）双环脒蒸气和氢气的反应在加热的基底上形成的，而与水蒸气的反应则产生氧化铜。银和金薄膜是通过各自的双环脒蒸气与氢气反应沉积在表面上的。双环脒酸钴（II）蒸气、氨气和氢气的反应可在加热的基底上沉积钴金属膜，而与氨气的反应可生成氮化钴，与水蒸气的反应可生成氧化钴。钌金属膜是通过钌（II）双（双环脒）或钌（III）三（双环脒）在加热表面与或不与氢气、氨气或氧气等共反应物反应沉积而成的。合适的应用包括微电子中的电气互连和磁性信息存储设备中的抗磁层。氧化铪薄膜是通过铪（IV）四（双环脒）与水、过氧化氢或臭氧等氧源反应沉积而成的。二氧化铪薄膜具有高介电常数和低泄漏电流的特点，适合用作微电子领域的绝缘体。薄膜的厚度非常均匀，在窄孔中具有完整的阶跃覆盖。