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9-(4-iodophenyl)anthracene | 452069-70-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
9-(4-iodophenyl)anthracene
英文别名
——
9-(4-iodophenyl)anthracene化学式
CAS
452069-70-4
化学式
C20H13I
mdl
——
分子量
380.228
InChiKey
SGEJRFOQTCIRIK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.7
  • 重原子数:
    21
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    (10-苯基蒽-9-基)硼酸9-(4-iodophenyl)anthracene四(三苯基膦)钯potassium carbonate 作用下, 以 乙醇甲苯 为溶剂, 反应 3.0h, 以31.6%的产率得到9-(4-(anthracen-10-yl)phenyl)-10-phenylanthracene
    参考文献:
    名称:
    一类9,10-二苯基蒽-蒽二聚体及其制备方法
    摘要:
    本发明专利公开了一类9,10‑二苯基蒽‑蒽二聚体及其制备方法,其结构式可由式(ⅰ)‑(iv)表示:本发明的9,10‑二苯基蒽‑蒽二聚体制备方法为:2‑硼酸蒽或9‑硼酸蒽与卤代蒽类化合物经过Suzuki反应制得四种9,10‑二苯基蒽‑蒽二聚体。本发明的有益效果是通过合成一系列9,10‑二苯基蒽‑蒽的二聚体,以扩展共轭体系的方法开发具有更宽的吸收范围、更强的摩尔消光系数的蒽类化合物,使其能够机场效应晶体管、有机发光二极管、有机光伏电池等领域展现出更加优异的性能。
    公开号:
    CN113800997A
  • 作为产物:
    描述:
    9,10-蒽二硼酸二频哪酯1,4-二碘苯四(三苯基膦)钯potassium carbonate 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 288.0h, 以29%的产率得到9-(4-iodophenyl)anthracene
    参考文献:
    名称:
    通过钯催化的芳基化反应生成芳烃封端的 Si(111) 和 Ge(111) 表面的新方法
    摘要:
    在半导体表面形成硅-芳基和锗-芳基直接键是实现分子电子器件的关键问题,但基于自由基中间体的常规方法存在伴随副反应的问题。我们开发了第一个通用和有效方法的例子,通过应用我们原始的氢硅烷和氢锗烷催化芳基化反应,使用 Pd 催化剂和碱在氢封端的硅和锗表面上形成具有 Si-芳基和 Ge-芳基键的清洁有机单层系统。我们可以固定具有氧化还原活性和光致发光特性的芳基,并进一步应用于刚性π共轭氧化还原分子线复合材料领域,三联吡啶分子与过渡金属离子的连续配位证实了这一点。使用循环伏安法 (CV)、水接触角测量、X 射线光电子能谱 (XPS)、荧光光谱和原子力显微镜 (AFM) 对表面进行表征。特别是,17 nm 长的金属复合分子线的 AFM 分析证实了它们与平面的垂直连接。
    DOI:
    10.1021/ja308606t
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文献信息

  • THIN FILM EL DEVICE
    申请人:MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
    公开号:EP1195422A1
    公开(公告)日:2002-04-10
    The present invention provides a thin film EL device having high electroluminescent efficiency, a low operating voltage, and a long lifetime. A thin film EL device of the present invention uses, as a luminescent layer, a charge-transport luminescent material that has, within a molecule, a portion contributing to charge transport and a portion contributing to luminescence where at least two molecular orbitals contributing to luminescent transition are localized.
    本发明提供了一种具有高电致发光效率、低工作电压和长使用寿命的薄膜电致发光器件。本发明的薄膜电致发光器件使用电荷传输发光材料作为发光层,这种材料在分子内具有有助于电荷传输的部分和有助于发光的部分,其中至少有两个有助于发光转变的分子轨道被定位。
  • Thin film el device
    申请人:——
    公开号:US20030082400A1
    公开(公告)日:2003-05-01
    The present invention provides a thin film EL device having high electroluminescent efficiency, a low operating voltage, and a long lifetime. A thin film EL device of the present invention uses, as a luminescent layer, a charge-transport luminescent material that has, within a molecule, a portion contributing to charge transport and a portion contributing to luminescence where at least two molecular orbitals contributing to luminescent transition are localized.
    本发明提供了一种具有高电致发光效率、低工作电压和长使用寿命的薄膜电致发光器件。本发明的薄膜电致发光器件使用电荷传输发光材料作为发光层,这种材料在分子内具有有助于电荷传输的部分和有助于发光的部分,其中至少有两个有助于发光转变的分子轨道被定位。
  • Thin film EL device
    申请人:Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    公开号:US20040076854A1
    公开(公告)日:2004-04-22
    The present invention provides a thin film EL device having high electroluminescent efficiency, a low operating voltage, and a long lifetime. A thin film EL device of the present invention uses, as a luminescent layer, a charge-transport luminescent material that has, within a molecule, a portion contributing to charge transport and a portion contributing to luminescence where at least two molecular orbitals contributing to luminescent transition are localized.
    本发明提供了一种具有高电致发光效率、低工作电压和长使用寿命的薄膜电致发光器件。本发明的薄膜电致发光器件使用电荷传输发光材料作为发光层,这种材料在分子内具有有助于电荷传输的部分和有助于发光的部分,其中至少有两个有助于发光转变的分子轨道被定位。
  • US6682832B2
    申请人:——
    公开号:US6682832B2
    公开(公告)日:2004-01-27
  • US6989201B2
    申请人:——
    公开号:US6989201B2
    公开(公告)日:2006-01-24
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