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NDS | 1207732-11-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
NDS
英文别名
naphtho[1,2-b:5,6-b']diselenophene;naphtho[1,2-b:5,6-b]diselenophene;[1]Benzoselenolo[7,6-g][1]benzoselenole
NDS化学式
CAS
1207732-11-3
化学式
C14H8Se2
mdl
——
分子量
334.138
InChiKey
LNRYRWHJDPLWJT-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.26
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    NDS正丁基锂 、 (1,5-cyclooctadiene)(methoxy)iridium(I) dimer 、 4,4'-二叔丁基-2,2'-二吡啶copper(ll) bromide 作用下, 以 四氢呋喃N-甲基吡咯烷酮甲醇正己烷环己烷 为溶剂, 反应 42.0h, 生成 5,10-dibromo-2,7-bis(triisopropylsilyl)naphtho[1,2-b:5,6-b']diselenophene
    参考文献:
    名称:
    Borylation on Benzo[1,2-b:4,5-b′]- and Naphtho[1,2-b:5,6-b′]dichalcogenophenes: Different Chalcogene Atom Effects on Borylation Reaction Depending on Fused Ring Structure
    摘要:
    The direct borylation reactions of two types of alpha-silyl-protected acenedichalcogenophenes, i.e., benzo[1,2-b:4,5-b']- and naphtho[1,2-b:5,6-b']dichalcogenophenes, were examined, and it was observed that the reaction efficiency largely depends on the fused ring structure and chalcogenophene ring.
    DOI:
    10.1021/ol302521d
  • 作为产物:
    描述:
    2,6-萘二酚 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 吡啶selenium 、 sodium tetrahydroborate 、 磺酰氯三乙胺 作用下, 以 N-甲基吡咯烷酮乙醇二氯甲烷溶剂黄146N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 52.5h, 生成 NDS
    参考文献:
    名称:
    Novel Compound, Method of Producing the Compound, Organic Semiconductor Material and Organic Semiconductor Device
    摘要:
    提供了一种具有良好场效率的新型化合物,一种生产该化合物的方法,含有该新型化合物的有机半导体材料以及有机半导体器件。该新型化合物由以下通用式(1)、(2)、(3)或(4)表示(其中Z代表硫原子或硒原子,R代表通常式中的氢原子、烷基或苯基),具有两个萘烯环与噻吩环和硒吩环分别结合的结构。这些化合物在分子中具有共轭系统,由于轨道之间的相互作用,通过每个分子中噻吩环或硒吩环中含有的硫原子或硒原子显示出强烈的分子间相互作用,从而具有良好的场效率。
    公开号:
    US20110224445A1
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文献信息

  • Synthesis, Properties, Crystal Structures, and Semiconductor Characteristics of Naphtho[1,2-<i>b</i>:5,6-<i>b</i>′]dithiophene and -diselenophene Derivatives
    作者:Shoji Shinamura、Eigo Miyazaki、Kazuo Takimiya
    DOI:10.1021/jo902545a
    日期:2010.2.19
    In this paper we present the synthesis, structures, characterization, and applications to field-effect transistors (FETs) of naphtho[1,2-b:5,6-b′]dithiophene (NDT) and -diselenophene (NDS) derivatives. Treatment of 1,5-dichloro-2,6-diethynylnaphthalenes, easily derived from commercially available 2,6-dihydroxynaphthalene, with sodium chalcogenide afforded a straightforward access to NDTs and NDSs including
    在本文中,我们介绍了[1,2- b:5,6- b ']二噻吩(NDT)和-二茂(NDS)衍生物的合成,结构,表征及其在场效应晶体管(FET)中的应用。用属元素化物处理容易衍生自市售2,6-二羟基的1,5-二-2,6-二乙炔可直接使用NDT和NDS,包括母体,二辛基和二苯基衍生物。NDT和NDS衍生物的理化评估表明,这些杂芳烃具有与[1] benzothieno [2,3- b ] [1] benzothiophene(BTBT)和[1] benzoselenopheneno [2,3- b ]异构体相似的电子结构。] [1]苯并吩(BSBS)衍生物。尽管尝试用可溶性二辛基-NDT (C 8 -NDT)和-NDS(C 8 -NDS)制造溶液处理的场效应晶体管(FET )失败,但二苯衍生物(DPh-NDT和DPh-NDS)提供了蒸气-场效应迁移率高达0.7 cm 2 V -1
  • 有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备
    申请人:三星电子株式会社
    公开号:CN115872990A
    公开(公告)日:2023-03-31
    公开有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述有机化合物由化学式1表示。在化学式1中,X1、X2、Ar1、n、R1、R2、A1和A2各自与说明书中相同。[化学式1]
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