Compounds having the formula
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are useful for treating diseases that are prevented by or ameliorated with Interleukin-2, Interleukin-4, or Interleukin-5 production inhibitors.
[DE] LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG UND VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHT EMITTIERENDEN VORRICHTUNG<br/>[EN] LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DEVICE<br/>[FR] DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
申请人:OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
公开号:WO2015154958A1
公开(公告)日:2015-10-15
Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb erstes Licht in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und im Strahlengang des ersten Lichts angeordnet ein Wellenlängenkonversionselement (2), das das erste Licht zumindest teilweise in zweites Licht in einem zweiten vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich umwandelt, aufweist, wobei das Wellenlängenkonversionselement (2) Nanopartikel (3) aufweist, die organische lumineszierende Moleküle (31) in einem Grundmaterial (30), das aus einem SiO2-basierten Material gebildet wird, enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung angegeben.
[DE] LEUCHTDIODE, VERWENDUNG EINER LEUCHTDIODE, VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER LEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE<br/>[EN] LED, USE OF AN LED, METHOD FOR OPERATING AN LED, AND METHOD FOR PRODUCING AN LED<br/>[FR] DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, UTILISATION D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
申请人:OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
公开号:WO2019048415A1
公开(公告)日:2019-03-14
Eine Leuchtdiode (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) und ein Konverterelement (2) auf. Der Halbleiterchip und das Konverterelement sind so eingerichtet, dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Halbleiterchiperste Strahlung emittiert. Das Konverterelement konvertiert einen Teil der von dem Halbleiterchip emittierten ersten Strahlung in zweite Strahlung. Die Leuchtdiode emittiert Mischstrahlung aus der nicht konvertierten ersten Strahlung und der zweiten Strahlung. Die Mischstrahlung weist ein Spektrum mit einem ersten und einem zweiten lokalen Intensitätsmaximum auf. Das erste Intensitätsmaximum liegt in einem ersten Spektralbereich (31) zwischen einschließlich 630 nm und 690 nm, das zweite Intensitätsmaximum liegt in einem zweiten Spektralbereich (32) zwischen einschließlich 700 nm und 760 nm. Der im zweiten Spektralbereich liegende Anteil der Mischstrahlung beträgt zumindest 10 % und höchstens 40 % des im ersten Spektralbereich liegenden Anteils der Mischstrahlung.