polymers are separated by 4.5–5.5 Å. Upon irradiation at 315 nm in dichloromethane (DCM), TAE excimer emission is observed at 493 nm with quantum yield Φ = 0.005–0.015. When MeOH/DCM (3/1) is used as the medium, Φs of hexyloxy-substituted TAE ladderphanes increase to 0.45–0.48 due to aggregation-enhanced excimer emission (AEEE). TAE-appended single-stranded polynorbornene has Φ = 0.21 under the same conditions
四芳基
乙烯(TAE)已被用作基于聚
降冰片烯和聚
环丁烯的双链梯形支链中的连接基,并已用作相关单链聚合物中的侧基。这些聚合物中相邻的TAE接头之间的间隔为4.5-5.5Å。在315 nm的
二氯甲烷(DCM)中辐照后,在493 nm处观察到TAE受激准分子的发射,量子产率Φ= 0.005-0.015。当使用MeOH / DCM(3/1)作为介质时,由于聚集增强的准分子发射(AEEE),己氧基取代的TAE梯形
金属的Φs增加到0.45-0.48。在相同条件下,添加TAE的单链聚
降冰片烯的Φ= 0.21。这些单链聚合物中相邻的TAE发色团可能不会被遮盖,因此可能不适合形成受激准分子。己氧基的缠结尤其可能是AEEE的原因。由于没有纠缠,用甲氧基取代己氧基导致量子产率降低70%。导致AEEE的整个过程涉及准分子的形成,聚合物的聚集以及长链烷基的缠结。