본 발명은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체에 관한 것으로, 상기 안티몬-텔루륨 단일 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 제조 중에 별도의 텔루륨을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 안티몬-텔루륨이 포함된 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1] [화학식 2] [화학식 3] (상기 식에서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10인 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C6-C16인 방향족 고리이다.)
该专利涉及一种用
化学式1至
化学式3中的任一表示的
锑-
碲单一前体,所述
锑-
碲单一前体具有改善的热稳定性和挥发性,并且在薄膜制备过程中无需额外添加
碲,从而可以形成包含高质量
锑-
碲的薄膜的优点。【
化学式1】【
化学式2】【
化学式3】(在上述
化学式中,R1、R2、R3、R4分别是独立的C1-C10线性或支链烷基基团,或C6-C16芳香环。)